Патенты с меткой «сегнетовой»

Номер патента: 61882

Опубликовано: 01.01.1942

Автор: Шейн

МПК: H03H 3/02

Метки: металлизации, пластин, сегнетовой, соли

...иметь Возмого оосъ;ий диэсек-.трицеский 1(оэффициент.Ос СТ,)ОСНИС ГЬСЗОКОНЛВНСЯТООЯ П;31 Р 51 ДЫ С ПОВСРХНОСТП ДИЭЛСКТРИ 1,ЯПО,НОСТЬЮ ВОСПЭЕЕНИМЯЕОТСЯ Э,/ЕВКТРОДЯ,1 И,ОГ/исянеыи спосоо хСтялл/Езе 4 ии дяст нястолько прочнос рилиняеис мстялл 1 к Говсрхпости к)истялля, что к с 5 с/(лсп 13 як)/Еи//,/ЛЯ СК;ВЕ/(И МСТЯ;1;1 ИЗ///)ОВЯПНЫХ /ЬСЗОПЛЯСТИ 1 НСГ/ОЛЬЗМСТС 5/к си, кот 0 р ы и в тВс рЛО:1 сост 051 ни и 00 л д;СЕ . Одул с) уп ру 1 ости00 льших, чО( ."(Од/ь Г/е)гос/ ньсЗОкр//сте,личсс".ОЙ плестеНк. ХО 1)сНи/ )сзультяГ дяст пеВлснн//5 ссгпсхГОвя ссгь, котовя 51 зятВврдсВЯВТ ПРИ ТСПС)ЯТУРС ООЛСС НИЗКОН СМ ТС)НВРЕГРЕ НЛЯВЛСНИ/, И,;, РВЗВЬЯйпо РоНо СКЛСИВЯСТ МСТЯ 1 ЛИЗОВ/ННЫС /.ГЕСТЕНЫ.,. ,( ./Дл 51 Э,1 СКТРИЧССКОГО СОСЛИ/:СИПЯ СКСИ/3...

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...