Способ и устройство для выращивания кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 72182
Автор: Штернберг
Текст
Мо 72182 Класс 12 с, 2ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АвтОРСкою сВИДьтлЬЬтц;,11 АТГ 1 Т.:;:-(,ТГ1.", - ., с";, Г о, ЦА, А. Штернберг СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлеио 30 гповя 1947 г. за М 3577 об в Министерствопрогиышлепиости средств связи СССРДля одно 1 одности питания растущего кристалла ссгнетовой соли автором разработан способ выращивания кристаллов в растворе,В кристаллизатор 1 цилиндрической формы (см. чертеж) полезной емкост 1 но 7 - 9,4 налива 1 от раствор, насьпцс;п 1 ый при 42 и нагретый до 52. Кристаллизатор накрывают стеклянным диском 2, охваченным для обеспечения герметичности резиновым кольцом 3, В центре крышки вмонтирована бронзовая направляющая втулка 4, в которую вставлена вертикально вращающаяся ось - кристаллоносец 5; он имеет коническую форму, которая обеспечивает легкий съем кристалла. В самом низу нарезаны два паза: кольцевой, предупреждающий спадение кристалла с оси, и вертикальный, предупреждающий проворачивание кристалла.По мсрс роста кристалл врастает в эти пазы и укрепляется на осп. Кристаллоносец оканчивается стальной шпилькой б, к которой воском прп слсивают затравку 7, имеющую следующие размеры по осям; Х=1,5; 7=-0,8; Е=5,0.Верхняя часть затравки на 5 льи отстоит от низа крпсталлоносца, Вся затравка, за исключением верхнего среза, покрывается сло м воска и таким образом оказывается как бы в восковой сумочке, предохраняющей сс от растворения при погружении в сильно перегретый раствор, Г 1 ослс охлаждения растет верхняя грань затравки площадь 1 о всего 1 и.ц, что исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли, о тл ич а ю щ и й с я тем, что затравку кристалла перед внесением в пересыщенный раствор заключают в восковую или из другого подобного материала оболочку.2. Устройство для осуществления способа по и, 1 с применением кристаллодержателя, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что кристаллодержатель. снабжен на своем нижнем конце кольцевой выточкой и продольной сквозной щелью с целью самоукрепления кристалла на квисталлодержателе,Редактор Н. А. Седов Техред А, А, Камышникова Корректор Л. Комарова Поди, к печ. 1.111-6 г Зак. 10690 Формат бум. 70 М 108/6 Тнраис 2"0 ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и при Совете Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский, пер, д.2,/6 Типография ЦБТИ Комитета по делам изобрстений н открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петро на, 14.Технические преимущества этого метода закапочаются в следующем.1. Максимальное использование объема кристаллизаторов и. раствора,В кристаллизаторе емкостью 8 л вырастает кристалл весом 4 кг; при этом, по мере роста и приближения кристалла к стенкам сосуда, условия обмывания его поверхности улучшаются, чего нельзя достигнуть иным методом перемешивания.2. Рост кристалла начинается от точечной затравки, что исключает наследственные искажения кристаллической решетки,3. Затравка погружается в сильно перегретый раствор (на 10), что предохраняет от паразитических кристаллов.4. Выращивание производится при значительном переохлаждении (1,5), чем достигается большая скорость роста кристаллов (в среднем.3,5,им за 20 дней) и снижаются требования к терморегулировке.
СмотретьЗаявка
367, 30.06.1947
Штернберг А. А
МПК / Метки
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, кристаллов
Опубликовано: 01.01.1948
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-72182-sposob-i-ustrojjstvo-dlya-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ и устройство для выращивания кристаллов</a>
Способ определения начала кристаллизации при выращивании кристаллов из раствора-расплава
Номер патента: 1589173
Опубликовано: 30.08.1990
Авторы: Воронов, Епифанов, Космына, Некрасов, Суздаль
МПК: G01N 25/04
Метки: выращивании, кристаллизации, кристаллов, начала, раствора-расплава
...фазового сдвига, коммутатор и блок синхронизации, реверсивный счетчик, схему сравнения изадающее устройство.Блок 4 управления содержит триггери согласующий блок.Блок 5 фиксации температуры содержит коммутатор, аналого-цифровойпреобразователь и регистр памяти.Блок б фиксации электросопротивлеиия содержит счетчик импульсов, схеМу сравнения, задающее устройство,блок синхронизации.20Блок 7 обработки информации со".держит вычислительное устройство тиПа "Электроника Д 3-28", входящее вуправляющую микросхему ВУМС.Блок 8 индикации содержит дисплей, у 5термопечатное устройство, схему звуковой сигнализации.Момент начала кристаллизации определяют следующим образом,При помощи блока 1 перемещений.измерительный электрод 3...
Способ выращивания монокристаллов сегнетоэлектриков из раствора
Номер патента: 1813816
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть
МПК: C30B 29/54, C30B 7/08
Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков
...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...
Затравочная суспензия для образования кристаллов сахарозы в сахарном растворе
Номер патента: 269072
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Герд, Иностранна, Иностранцы, Ланген, Пфейфер, Тило, Федеративна
МПК: C13F 1/02
Метки: затравочная, кристаллов, образования, растворе, сахарном, сахарозы, суспензия
...по весу 40% раствора глюкозы и 60% насыщенного раствора сахарозы, а в добавке - 30% раствора глюкозы и 70% насыщенного раствора сахарозы,Для приготовления добавки берут насыщенный при 20 С раствор сахарозы, имеющий 66,6% сухих веществ, и раствор глюкозы, имеющий 84% сухих веществ, в количестве 5 соответственно по весу 70 и 30% и под атмосферным давлением сгущают до достижения точки кипения 116 С. Потом раствор осторожно, по возможности без движения, охлаждают до 60 С и после этого кристаллизуют при 10 интенсивном механическом перемешивании ибыстром охлаждении. Полученная таким образом добавка содержит микрокристаллы правильной формы, имеющие размер 5 - 10 мк,Для приготовления раствора-носителя бе рут по весу преимущественно 40%...
Устройство для выращивания кристаллов
Номер патента: 850765
Опубликовано: 27.02.1996
Авторы: Емельченко, Ушаковский
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов
1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ на затравку, включающее тигель для расплава с затравкодержателем внутри, выполненный в виде полого закрытого цилиндра, закрепленного в керамической оболочке, которая установлена в нагревательной камере с возможностью поворота, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы, тигель выполнен разъемным в виде двух одинаковых стаканов, состыкованных открытыми краями.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью исключения попадания расплава в разъем для стыковки стаканов, на их краях выполнены цилиндрические проточки, а затравкодержатель установлен на дне стакана с внутренней проточкой.
Устройство для выращивания монокристаллов твердых растворов
Номер патента: 1050300
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Бабашова, Емельченко, Куриленко, Титова
МПК: C30B 9/00
Метки: выращивания, монокристаллов, растворов, твердых
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ, включающее нагревательную камеру, установленную в ней с возможностью поворота вокруг горизонтальной оси керамическую оболочку, кристаллизатор, расположенный в оболочке и имеющий внутри затравкодержатель и установленный напротив него подпитывающий тигель, снабженный в верхней части перфорированной крышкой, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и уменьшения расхода сырья, нижняя часть подпитывающего тигля выполнена с отверстиями и расположена на расстоянии B от горизонтальной оси кристаллизатора, выбираемом из следующего соотношения:
Предыдущий патент: Устройство для определения количества жидкости в баках
Следующий патент: Способ получения искусственной смолы
Случайный патент: Способ предотвращения образования конусов газа