Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа

Номер патента: 96144

Автор: Штернберг

ZIP архив

Текст

Класс 12 с, 296144 С С С Р ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ А цбе ПОСОБ ВЫРАЩИ ДЛЯ ОСУЩН ИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТАНОВТВЛЕНИЯ ЭТОГО СПОСОБА аявлено 30 апреля 1952 г. за Мо Министерство промышленности-1507/116031релств связи публиковано в Б ллетене изобретений Кз 10 за 1953 г Спосооы выращивания кристаллов из раствора путем его охг 1 ждения известны. Выращивания кристаллических блоков этими способами обычно основаны на использовании температурной зависимости растворимости вещества, Выращивание осуществляется ци- лично, за счет изменения температуры раствора, 1 ри этом оличество кристаллизуемого вещества остается неизменным в течение всего процессд кристдллпзаццп.Кристаллы, выращивдемыс полооными способами, вследствие их образования при различных температурах, как правило, неоднородны по строеник 1 и имеют внутренние механические напряжения. Кроме того, для веществ, обладающих малой температурной за висихОстьо растворимости, способ выращиванияния, основанный на изменении температуры раствора, оказывается недостаточно производительным.Предлагаемый способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа обеспечивают устранение выщеупомянутых цедостятов и позволяют ПОВЫСПтЬ КасЕСт 1 О ВЫРа ЩИВаЕМЫХ ристяллов, Это достигается тем, что, с целью повышения ачествд продукцци, прп выращивании рпСта 71,сОН ПРИМЕНЯ 1 От МЕСТНОЕ (ЛЧ 17 ЬКО В ЗОНЕ РОСтя КРЦСтазГс 1) ПСРЕОХ- лаждепие педонясыщепного в остальной массе расВорсл.У стсл н О в к с 1 Д,1 51 О с У и 1 е ст В, е н и 51 предлагаемого способа состоит из бая с раствором, В оторэм рдс- ПОЛожЕНЫ ФОРМЫ Д.1 Я ВЫР 11 ЦПВс 1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг регородкамн ня 5111 еЙкн 4 и 7, 11 яд и)кдой фо рмой рязмеща 1 отс 5 тру бчатые холодильники 6, по которым циркулирует гхлаждающяя жидкость;мерятуря последней ниже темнс 1 атуры нясыще 1 ия раствора. Холодильники посредством шлангов соединены с резервуаром 7 с охлаждающей жидкостью.,1 ля пополнения крис 1 аллизуемого вещества, расходуемого на рост кристаллов, в баке предусмотрены карманы 8 из пористОго материала, в которые через бункеры. воронки 9 засыпается кристаллизуемое вещество, В баке на некотором расстоянии от дна размещаются электронягреватсли И, позволяющие при помощи соответствующих регулирующих устройств поддерживать требуемую постоянную температуру раствора, Температура охлаждающей жидкости так)1 ее поддер)нивяется постоянной.Г 1 о мере роста кристаллов в формах будет происходить растворение кристаллизуемого вещества в карманах, через поры которых более концентрнчный раствор будет поступать В б)як, восполняя концен грацию раствора, уменьшающуюся вследствие роста кристаллов. 1. Способ выращивания кристаллов из раствора путем переохлаждения последнего, о т л и ч а ю щ и йся тем, что, с цельо повышения качества продукции, применяют местное (только в зоне роста кристалла) переохлаждение недонасы 1 ценного в остальной массе раствора.7. Установка для выращивания кристаллов по способу и. 1, состоя,няя из бака с раствором и системы устанавливаемых в этом баке форм для выращивания кристаллов, отличающаяся тем, что, с целью осу ществлени непрерывной работы, каждая из форм снабжена охладителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной температуре раствора в". баке,

Смотреть

Заявка

446031, 30.04.1952

Штернберг А. А

МПК / Метки

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

Опубликовано: 01.01.1953

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-96144-sposob-vyrashhivaniya-kristallov-i-ustanovka-dlya-osushhestvleniya-ehtogo-sposoba.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа</a>

Похожие патенты