Способ выращивания блока “косого” среза из кристаллов сегнетовой соли
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 78449
Автор: Поздняков
Текст
в". 7844 й Класс 12 с, 2 СССР БРЕТЕ ТЕЛЬСТВУ НОМУ С оздн БЛОКОВ К ЕГНЕТОВОЙ ЫРАЩИВАН КРИСТАЛЛО ПОС явлено 17 апреля 1948 годан Комитет по изобретения при Совете Министров СССР за М 37772 Опубликовано 31 декабря 1949 года от 17: ИСАНИЕ И Выращивание кристаллических блоков, ориентированных в направлении основных кристаллографических направленийне вызывает существенных трудностей,Однако выращивание кристаллических блоков косого среза обычно не удается и выращенные блоки получаются мутными. При выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является чистым.Отличительная особенность нового способа заключается а том, что применяют кристаллическую затравку, вырезанную параллельно грани В кристалла и установленную под углом 45 к ограничивающим стенкам формы (фиг. 3).Предмет изобретения Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, о тл ич а ю щ и й с я тем, что затравка кристалла устанавливается под углом 45 к ограничивающим стенкам формы,
СмотретьЗаявка
377723, 17.04.1948
Поздняков П. Г
МПК / Метки
МПК: C30B 29/56, C30B 7/00
Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза
Опубликовано: 01.01.1949
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-78449-sposob-vyrashhivaniya-bloka-kosogo-sreza-iz-kristallov-segnetovojj-soli.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания блока “косого” среза из кристаллов сегнетовой соли</a>
Предыдущий патент: Способ очистки лимонной кислоты
Следующий патент: Способ получения фосфида цинка
Случайный патент: Способ изготовления кинофильмов и аппарат для получения при помощи обыкновенного киноаппарата рельефных изображений