Электроустановка для выращивания монокристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
) е, РОЙОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВЭЛ ЕКТРОУСТАНО Я ВЪРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО явлено 13,августа 1956 г, за556156 в Комитет ио делам иаоГретении и открытий при Совете М:аистров СССРИзвестно применение в промышленности электрических печей с тиглем для выращивания крупных искусственных кристаллов, а также автоматизированных электрических печей с силитовыми стержневыми нагревателями. Однако эти печи об)ладают тем недостатком, что не имеют программного изменения температуры.Описываемое изобретение устраняет указанный недостаток и отличается от известных тем, что для со. здания благоприятных условий по выращиванию монокристаллов типа титаната, бария, лития и различного рода солей из расплавов применен ,алундовый экран цилиндрической формы с внутренними спиральными каналами для прохождения воздуха, переменный расход которого вполне обеспечивает программ)н)е изменение температуры.Малогабаритная установка для выращивания монокристаллов состоит из электрической части со стабилизаторами напряжения и регулирующим потенциометром; электродвигателя с .компрессором и дроссельным клапаном с жесткои передачей от электрических часов.Конструкция печи поясняется чертежом.Электропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3, Внутри электропечи заключен жаропрс)щяй, например из алунда, глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха. Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства печи.Таким образом, темп;ратура тигля б с расплавом, потоком воздуха в алундовом цилиндре регулируется в пределах от 800 до 400 в течение 24 часов.1396 пуск Комитет по делам изобретений и открытнйпри Совете Министров СССРОтв. редактор Д. Г, Голандский Информационно-издательский отделОбъем 0,17 и, л, Зак, 2376 Тираж 700 Подп. к печ. ЗО.Л 1-58 г. Цека 25 коп, Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.)ФаПредые 7 изобретенияЭЛектроустановка для выращивания " монокристаллов типа титаната бария, лития и других расплавов, состоящая из электропечи с силитовыми нагревателями, на которые подается постоянная максимальная мощность тока, стабилизатора напряжения, регулирующего г отенциометра, компрессора и дроссельного воздушного д 1 фференци ального кл апана, отличающаяся тем, что для получения программного регулирования температурного режима в рабочем пространстве печи, в ней установлен жаропрочный алундовый цилиндрический экран с имеющимися в его стенках каналами для прохождения воздуха, переменный расход которого обеспечивает программное изменение температуры, например, в пределах от 800 до 1400 за 24 часа.
СмотретьЗаявка
550156, 13.08.1956
Абрамов В. И, Аветисов В. С, Ильин В. Г, Скотников М. И, Соколин И. Д
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02, C30B 29/32
Метки: выращивания, монокристаллов, электроустановка
Опубликовано: 01.01.1958
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-113495-ehlektroustanovka-dlya-vyrashhivaniya-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Электроустановка для выращивания монокристаллов</a>
Печь для выращивания монокристаллов
Номер патента: 132410
Опубликовано: 01.01.1960
МПК: C30B 15/20
Метки: выращивания, монокристаллов, печь
...2 кварцевого кожуха 3. Через пробк 1 пропущен свооодно перемещающийся в ней кварцевыйшток 4, Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составляет 5,ик, Проникновение сквозь зазор 2 - 3 мг)час летучего компонентакомпенсируется из его запаса, находящегося в холодном конце5 печи.Разогрев тигляб осуществляют при помощи индкционной обмотки 7. В труоку 8, введенную через холодный конец 5, вставлены термопары, замеряюшие температуру расплава, Для уравновешиваниявнутреннего давления паров летучей компоненты на пробку 1 прилленена охлаждаемая ппужина 9, сила давления которой на 15 - 207 опревышает силу давления паров.Для наблюдения за поверхностью расплава, находящегося в тигле б, предусмотрено окно 10, выдвинутое за пределы рабочего...
Шихта для выращивания монокристаллов бариевого гексаферрита
Номер патента: 403300
Опубликовано: 27.09.1995
МПК: C01G 49/00
Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта
ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА Ba Fe12O19 из раствора в расплаве на основе флюса BaO B2O3, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения анизотропии скорости роста монокристаллов и увеличения скорости роста по оси С, исходные компоненты шихты берут в следующих соотношениях, мас.Барий углекислый 51,74 55,25Окись железа 33,56 38,10Окись бора 10,16 11,19
Способ выращивания монокристаллов марганец-цинкового феррита
Номер патента: 1746759
Опубликовано: 27.02.1995
МПК: C30B 11/04, C30B 29/26
Метки: выращивания, марганец-цинкового, монокристаллов, феррита
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА, включающий размещение в тигле затравки и исходного материала, его расплавление и направленную кристаллизацию путем перемещения тигля в менее нагретую часть печи при периодической подпитке расплава гранулами исходного материала, расплавляемыми в питателе, нагретом до температуры выше температуры плавления гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения монокристаллов и исключения нарушения процесса выращивания за счет поддержания постоянной требуемой температуры питателя, определяют интервал плавления гранул из соотношения:пл= (0,50-0,75)
Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 121237
Опубликовано: 01.01.1959
Авторы: Бутузов, Добровенский
МПК: C30B 15/22
Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава
...для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.В тигле 1 находится расплав вещества 2 с температурой несколько ВьШе ТЙМПераТуры КРИСТЯЛЛИЗЯЦИИ И Поддержнвае.110 ПОСТоянной С ПО- мощью соответствующего нагревания.ГА 121237 Предмет изобретения1. Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав - кристалл) изменением тока жидкости в холодильнике, охлаждающей верхний конец выращиваемого кристалла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения процесса кристаллизации, границу расплав - кристалл удерживают на...
Способ автоматического регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 137107
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Костенко
МПК: C30B 15/22, G01D 5/24
Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава
...регулятора, применяемого для осуществления способа,Изменение скорости роста мдатчика Д, представляющего со137107 двух полуцилиндрических обкладок, между которыми опускается кварцевая или стеклянная ампула. Перемещение границы расплав- кристалл, находящейся посередине конденсатора, вызывает изменение суммарной емкости его вследствие перераспределения диэлектриков с разными диэлектрическими постоянными (в кр Ф в распл.), Величина емкости конденсатора влияет на резонансную частоту двухтактного генератора, обозначенного в виде преобразователя При Напряжение частоты с преобразователя Пр, и напряжение частоты задатчика 3 подаются на смесительный каскад (преобразователь Пр), с которого снимается напряжение промежуточной частоты, Это...
Предыдущий патент: Преобразователь частоты на кристаллическом триоде
Следующий патент: Опорное оборотное колесо плуга
Случайный патент: Гидрорасширитель