Асалханов

Номер патента: 1669327

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Асалханов, Домбровский, Иванов

МПК: H01J 29/51

Метки: вакууме, луча, места, падения, поверхности, полупроводника, регистрации, электронного

СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ МЕСТА ПАДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В ВАКУУМЕ, включающий очистку поверхности полупроводника и облучение ее электронным лучом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрации низкоэнергетического электронного луча при упрощении способа, одновременно с облучением поверхности полупроводника электронным лучом дополнительно осуществляют сканирование поверхности сфокусированным световым лучом, при этом регистрацию места падения электронного луча проводят по изменению величины тока электронного луча в момент совпадения места падения электронного и светового лучей.

Номер патента: 1749782

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Асалханов, Дарибазарон, Домбровский

МПК: G01N 21/21

Метки: адсорбированного, времени, молекул, поверхности, полупроводниковых, равновесного, слоя, состояния, установления

...близким по технической сущ- полируют, затем помещают в вакуумную каности к предлагаемому является способ оп- меру 9 и устанавливают на юстировочную ределения выхода на равновесное площадку, Череэвходноеокно 10 камеры на состояние методом нуль-эллипсометрии, 35 образец 8 направляют луч линейно полярио предусматривающий помещение исследу- зованного света под углом на 1 - 2 меньше емого полупроводникового материала в главногоуглападениядля поверхностиисвакуум, облучение его поверхности поляри- следуемого материала относительно нормаэовэнным излучением и определение рав- ли к его поверхности. Азимут поляризациио новесного состояния адсорбированного 40 луча может изменяться в пределах 0-360 слоя молекул методом гашения...

Номер патента: 1748202

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Асалханов, Домбровский, Желаев

МПК: H01J 29/48

Метки: медленных, моноэнергетических, пучка, пушка, электронная, электронов

...поло сти диаметром 10 мм на глубину 2 мм так,что внутри цилиндра образована перегородка толщиной 1 мм, по центру которой сделано отверстие диаметром 1,5 мм дляпрохождения электронного луча, Выходнойэлектрод 14 электростатической личзы пристыковывается к коллектору отраженных от образца электронов также с помощью керамических трубок 11 описанным выше способом. Коллектор отраженных электронов представляет собой диск 16 толщиной 1 мм, и диаметром около 30 мм, в центре переходящий в цилиндр высотой 7 мм с наружным диаметром 9 мм, На внутренней поверхно. сти данного цилиндра нарезана сквозная резьба М бх 1, Вторая часть коллектора отражен н ых электроновсостоит из выходного электрода 17 пушки, представляющего собой трубку длиной 15 мм и...

Номер патента: 1717976

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Алсагаров, Асалханов, Домбровский

МПК: G01J 5/58

Метки: температуры

...поляризацию и при пропускании его через поляризатор 4 интенсивность прошедшего света при вращении поляризации изменяется в соответствии с законом Малюса.С целью устранения данного нежелательного эффекта на пути луча лазера перед входом его в поляризатор 4 устанавливается (фазовая) четвертьволновая пластина 2 для используемой длины световой волны. Направления кристаллических осей данного двоякопреломляющего кристалла устанавливаются под углом 45 относительно плоскости поляризации лазерного луча, В этом случае свет на выходе четвертьволновой пластины 2 имеет круговую поляризацию и интенсивность света, прошедшего далее через поляризатор 4, уже не зависит от угла между плоскостью поляризации лазерного луча и плоскостью пропускания...

Номер патента: 1701562

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Асалханов, Дашанимаев, Желаев

МПК: B28D 5/04

Метки: вакуумного, монокристаллов, полупроводниковых, скола

...устанавливать нужное расстояние поверх т)сти образца от плоскости фланца 11,Предлагаемое ус гройсггво обеспечи Вэенадежный раскол кристаллов с боль 1 ВОЙ ЭНЕРРИай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЭЛПИЧаскпми Изобьете)Ра Отн"; л: к устройствамдлЯ обработки ГОл" и ООВОД.ТкОВЬх мдтеоиалов и)лака бьп ь .спо;эо;но при подготовке О ээ ОВ то. 1 ОпВОЯ "лковых мОнОкриста)ЯО 1) с это арно-Тс-ой.товерхностью, 51.РальО иэобРетениЯ ЯвляетсЯ поВышениа наде:кности работы усройства,На черте 1 е предстэвпен обший видпредлагаемого устройства,Устройство для ва.:уум-.ого скола полупроводниковых м,нокриатэплов содержитразмешенн,й В Вакуумной камере корпус 1,в котором устэновла) даэжэтепь кристалла2, выпо)1 а 1 Ныь, В виде цэ гоНого па грона 3,закрепленного,э стар.1 а 4,...

Номер патента: 1406661

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Асалханов, Дондоков, Пронькинов

МПК: H01J 37/20

Метки: вакууме, образца, позиционирования

...термоэмиссионного цдгревателя 6, рдзл)сщенного на стерж цс (, закрепленном цд втором дополнитель.ол флдние 8, ус")дс)овлецном с возможно.стью перемешеция вдоль оси стержня стакана 2. Установочное гнездо 4 выполнено в виде основания цз элсментов 9 и зажимов О 1 о(цсть стаканы 2 соединена со средствами откачки. Флани1 через уплотнительную 1)роклсдкл пристыковывается к вакул мной камере. При получении в ней разрежения сцльфоццод действием атмосферного давлсгцця рдст 51 гив(ется, )(Влекая зд собой флд 30 цси 5,;(о его осташ)вкц упорами микрометрцческцх юстировочцых винтов 12. Флднеп 8 со стержнем 7 через уплотнительцук) прокладку пристыковывдется к фланцу 5 ц проц цн,игся откачка илстц стержня зц) высокого ваклумз, после получения которого...

Номер патента: 1052899

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Асалханов, Пронькинов

МПК: G01L 21/00

Метки: вакуума

...заключающемусяв измерении сопротивления полупроводникового датчика, вызванного адсорб- д 5цией газа на поверхности его чувствительного элемента, в пооцессе измеренияна чувствительный элемент датчика направляют пучок медленных электронов и повеличине полного тока в цепи чувстви- ЗОтельного элемента судят о величине измеряемого вакуума.Полный ток электронов, прошедшихв тело, определяется особенностями отраЖЕННОГО КотоРЫй СКЛадЫВавтсЯ ИЗ УПРУГго и неупруго отраженных электронов,В полупроводниках неупругое рассеиваниеприводит к возбуждению переходов науровне локальных центров прилипвния,что приводит к их перезарядке и изменя Оет характер упругого рассеивания, что из меняет особенности в поведении упругойкомпоненты отраженного тока и...

Номер патента: 704627

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Арбузова, Асалханов, Проскурова, Царфис

МПК: A61N 1/06

Метки: анкилозирующим, больных, лечения, спондилартритом

...от степени активности процесса,Продолжительность воздействия 12-15 мин,2 раза в день с интервалом 4-5 ч, на курс20-24 процедуры, На втором этапе назначаютрадоновые ванны с концентрацией 200-250 нКи/лпри температуре 36-37 С продолжительностью7-15 мин, на курс лечения 10-12 процедур,три дня подряд с одним днем перерыва междуними.П р и м е р. Больного анкилозирующимспондилартритом средней или высокой активности процесса укладывают в утренние часыживотом вниз на кушетку и на область позвоночника вдоль поперечных отростков от шеидо поясницы накладывают индуктор-кабельот аппарата для проведения индуктотермии,фиксируя в этом положении с помощью пе.сСоставитель Л. СоловьеваТехред 3. Фанта Корректор М. Вигула Редактор О, Кузнецова...

Номер патента: 699689

Опубликовано: 25.11.1979

Авторы: Асалханов, Ламажапов

МПК: H05K 13/02

Метки: вакууме, образцов, ориентации, пространственной

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5 Филиал ППП Патента, г. Ужгород, ул. Проектная, 4резьбы с толкателем 9. Кулачок толкателя проходит через прорезь в трубчатой тяге, которая исключает проворачивание толкателя относительно трубчатой тяги и ограничивает ход толкателя вдоль оси трубчатой тяги. Трубчатая тяга через резьбу на ее внешней поверхности соединена с втулкой 10. Втулка своим выступающим ступенчатым ободком вставлена в ступенчатое отверстие во фланце. Разрезная накидная шайба 11, приваренная своими краями к фланцу, не дает втулке передвигаться относитель но фланца в осевом направлении. Втулка на другом конце имеет маховичок 12, Стержень, проходящий внутри трубчатой тяги,...