Дипчак
Устройство для измерения параметров полупроводниковых детекторов ядерных излучений
Номер патента: 1684725
Опубликовано: 15.10.1991
Авторы: Дипчак, Константинов, Подъячев
МПК: G01R 27/26
Метки: детекторов, излучений, параметров, полупроводниковых, ядерных
...1,5-2 ,гдел л постоянная нремени формирования переходной характеристики усилителя 1), а на выводе 10 - блокирующий импульс првмс 1 гольной формы длительностью 10, кторцережает измерительный импульс нв. 11 зе 1 т льный импульс,л проходя через измеряемый ППЛ 4, формирует на входе усилителя 1 зарядовый импульс, амплитуда которого пропорциснальна емкости ППД. Этот импульс усиливается зарядочувствительным усилителем 1 и регистрируется амплитудным вольтметром 6, который проградуированединицах емкости. На управляющий вход электронного ключа 7 подается блокирующий импульс от вывода 10 генератора 5, который переводит электронный ключ 7 из состояния проводимости в состояние отсечки на время прохождения по усилителю 1 измерительного...