Нечунеев
Криостат для исследования электрофизических свойств полупроводниковых материалов
Номер патента: 1686280
Опубликовано: 23.10.1991
Авторы: Мазов, Нечунеев, Пятов
МПК: F25D 3/10
Метки: исследования, криостат, полупроводниковых, свойств, электрофизических
...насосом, охлаждают жидким азотом и опускают в сосуд Дьюара. Охлаждение объектодержателя осуществляется через хвостовой элемент 5. Установку температуры осуществляют с помощью нагревателя 8. Температуру измеряют термометром 9,Предлагаемый криостат позволяет регулировать температуру по линейному, квадратичному, ступенчатому законам. Мини. мальная рабочая температура 4,5 К,Цилиндрическая обечайка 12, установленная между стенкой и объектодержателем,обеспечивает экранировку образца 6 от колебаний температуры газообразного гелия за счет равновесности ее температуры, обусловленной постоянством температуры верхней и нижней частей. Колебания температуры газообразного гелия происходят из-за испарения жидкого гелия, попадания воздуха через...