Способ получения полирующего состава для обработки полупроводниковых пластин

.ЙЬ ДРуци ц АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ДЕТЕЛЬСТВУ ТОРСКОМ следова- кометаледмет" и теза им,В.А.Каба.В,Селин,ИРУЮЩЕ ОЛУПРО олучению ых подлоивания и получении полируюОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(71) Государственный научно-ительский и проектный институт релической промышленности "ГирИнститут нефтехимического синА,В.Топчиева(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛГО СОСТАВА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН(57) Изобретение относится к ибездефектных полупроводниковжек для эпитаксиального наращможет быть использовано пристабильных составов с высокой Изобретение относится к получению бездефектных полупроводниковых подложек для эпитаксиального наращивания и может быть использовано при получении стабильных составов с высокой полирующей способностью,Цель изобретения - улучшение качества полирующего состава, полирующей способности и качества поверхности полупроводниковых пластин.П р и м е р 1. В сосуд с кремнийсодержащим золем, нагретым до 30" С, вводят последовательно 2,50-ный водный раствор этилендиаминтетрауксусной кислоты (ЭДТА), раствор натрийдодецилсульфата. ПолЫ,1 б 77049 А 1 щей способностью. Изобретение позволяет улучшить качество полирующего состава, полирующую способность и качество поверхности полупроводниковых пластин за счет осуществления способа получения полирующего состава смешением водного раствора крем нийсодержа щего золя с температурой 25 - 40 С с 2,5-ным водным раствором этилендиаминтетрауксусной кислоты, с раствором натрийдодецилсульфата и 25-ным раствором поли-й, й-диметил-М, М-диаллиламмонийфторида до получения однородной консистенции с последующим введением окислителя - гипохлорида натрия при массовом соотношении кремнийсодержащего золя, этилендиаминтетрауксусной кислоты, натрийдодецилсул ьфата, поли-й, М-диметил-й, И-диаллиламмонийхлорида, гипохлорида натрия и воды соответственно 1:(0,0004 - 0,005) : (0,002 - 0,007): (0,0025 - 0,0187): (3,5-7,0): (15,48 - 31,99), 2 табл,ученный раствор перемешивают, затем вводят 25-ный раствор поли-й, К-диметил-К, М-диаллиламмоний хлорида (ПД МДААХ) и снова тщательно перемешивают. После этого вводят гипохлорид натрия, Вещества вводят до получения соотношения соответственно 1;(0,005 - 0,0004): (0,002 - 0,007): (0,0025-0,0187): (7 - 3,5): (31,99 - 15,48),Агрегативную устойчивость контролировали с помощью ареометра в измерительном цилиндре емкостью 500 мл.Полупроводниковые пластины (кремния, А В, А В ) обрабатывали в течениеГН У И Ч 130 мин на полировальнике из галантерей-ной замши, удельное давление на пластины 0,25 кг/см, число оборотов полировальни 2ка 80 об/мин, Пластины закрепляли на планшайбе с помощью воска, Полирующую способность суспензии определяли путем измерения толщины пластины индикатором часового типа до и после обработки, Поверхность пластин контролировали под микроскопом-М БС.В табл, 1 представлена зависимость результатов получения полирующего состава для обработки полупроводниковых материалов от температуры кремнийсодержащего золя при соотношении кремнезол ь: ЭДТА: натрийдодецилсульфат: ПДМДААХ: гипохлорид натрия: вода = 1:0,0027:0,005:0,0106:5,2:23,7В табл, 2 представлена зависимость результатов получения полирующего состава для обработки полупроводниковых материалов от массового соотношения кремнийсодержащий золь; ЗДТА: натрийдодецилсульфат; ПДМДААХ: гипохлорид натрия: вода (пластины кремния, кремнезольаэросил) при температуре золя = ЗО С Из табл. 2 видно, что предлагаемый способ позволил прежде всего, улучшить качество, а именно повысить агрегативную устойчивость состава за счет его структурирования. Структурированный таким образом полирующий состав позволил повысить в 1,5 - 2,0 раза выход годных полированных пластин за счет снижения уровня дефектности и степени загрязнения, Такое увеличение выхода годных пластин позволяет получать значительный зкономический эффект в случае обработки пластин из дорогостоящих монокристаллических полупроводниковых соединений несмотря на сравнительно небольшие объемы по сравнению с кремниевыми пластинами. Кроме того, в связи с повышением скорости съема в процессе химико-механического полирования в 2-3 раза увеличилась производив,ельность процесса, что особенно важно при крупносортном производстве кремниевых подложек для кремниевых однослойныхструктур и т.д.Способ, позволяющий получать структу 5 рированные составы, обладающие помимовысокой стабильности, неслеживающимися,подвижными осадками, весьма технологичные, т.к, дает возможность организовать централизованное снабжение станков10 полирующим составом, что позволяет получить дополнительные экономический эффект и улучшить условия труда насоответствующих участках производства.Применяемые добавки не токсичны и15 успешно выделяются из сточных вод, а также автоматически экстрагируют из нихшлам, образующийся на стадии полирования,20 Формула изобретенияСпособ получения полирующего состава для обработки полупроводниковых пластин смешением водных растворов25 кремнийсодеркащего золя и окислителя,о т л и ч а ю щ и й с я тем,.что, с цельюулучшения качества полирующего состава,полирующей способности и качества поверхности полупроводниковых пластин, перед30 смешением с окислителем в водный растворкремнийсодержащего золя с температурой25 - 40 С последовательно вводят 2,5 -ныйводный раствор этилендиаминтетрауксусной кислоты, раствор натрийдодецилсуль 35 фата и 25-ный раствор поли-й,й-диметил-й, К-диаллиламмонийхлорида дополучения однородной консистенции споследующим введением окислителя -гипохлорида натрия при массовом соот 40 ношении кремнийсодержащего золя, этилендиаминтетрауксусной кислоты,натрийдодецилсульфата, поли-й, М-диметил-й, К-диаллиламмонийхлорида, гипохлорида натрия и воды соответственно45 1:(0,0004 - 0,005): (0,002 - 0,007): (0,0025 -0,0187): (3,5 - 7,0): (15,48 - 31,99),1677049 Таблица 1 1:0,0027:0005;00106;5,2:23,7 74 74 1,5 1,5 74 1,5 Редкие короткие лассины 1,5 1,5 74 1,5 Редкие короткие лассины 74 1,5 1,5 1,5 Составитель И,Гинзбург Редактор М,Циткина Техред М.Моргентал Корректор А;ОсауленкоЗаказ 3083 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 1;0,005;0,005:0,0106:5,2;23,71:0,0004:0,005:0,01.06:5,2;23,71:0,0027;0,002:0,0106;5,2:23,7 1:0,0027:0,007:0,0106:52:23,7 1:0,0027:0,005:0,0025:5,2:23,7 1;0,0027:0,005;0,0187:5,2:23,7 1:0,0027:0,005:0,0106:7,0:23,7 1;0,0027;0,005;0,0106:3,5:23,71:0,0027:0,005:0,0106:5,2:31,991:0,0027:0,005;0,0106:5,2:15,48 Редкие короткие лассины