Олоничев

Номер патента: 1705783

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Векштейн, Котов, Олоничев, Очкуров, Шпилевой

МПК: G01R 31/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...значением (НГЗ) прямого импульсного падения напряжения на контролируемом диоде 16 (Опри); верхним граничным значением (ВГЗ) Опри, константой "0,1 Ои" и константой "0,90 и", где О, - значения амплитуды импульсов относительно нулевого уровня, формируемых генератором 1. Амплитуда импульсов Ои выбирается равной удвоенному значению Одри, Значения НГЗ и ВГЗ определяются с учетом разброса Опри относительно некоторого среднего значения, принимаемого эа номинальное для контролируемого типа диодов.По результатам сравнения реально полученных значений падений напряжения на диоде 16 с уставками судят о правильности его включения и виде дефекта.Проверяемая плата с диодами 16 при ключается к блоку 7 коммутации. По включении питания блок 10 формирует...

Номер патента: 1471158

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Байда, Котов, Олоничев, Очкуров, Шпилевой

МПК: G01R 31/04, G01R 31/28

Метки: блоков, импульсных, составе, трансформаторов, электронных

...85 при помощи контактного устройства подключается к коммутатору 14.По включении питания блок 12 управления формирует сигналы, устанавливающие все запоминающие элементы устройства в исходное состояние (на фиг.1эти связи не показаны). Код режимаработы блока 12 управления (фиг.2) свыхода счетчика 44 поступает на адресные входы мультиплексора 45 и навход дешифратора 46. При нулевом состоянии счетчика 44 (после установкив исходное состояние) мультиплексор45 коммутирует на свой выход нулевойуровень с выхода триггера 49, который закрывает элемент И 48, запрещаяподачу импульсов с генератора 47 навход счетчика 44, и, следовательно,переключение последнего в очередноесостояние. В результате блок 12 управления находится в ждущем...

Номер патента: 1435184

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Борисов, Борисова, Изаков, Олоничев, Хетагуров

МПК: A01C 21/00, A01M 21/04

Метки: внесения, почву, удобрений

...дозой 336 Дж/см на почву влажностью 18 О содержание аммиачного азота увеличивается на 10,5 Я. А при обработке почвы влажностью 24 Я дозой 930 Лж/см содержание аммиачного азота возрастает на ЗОЯ, т.е. по сравнению с про- ЗО тотипом потери аммиачного азота из почвы уменьшаются от 10 до ЗОО,".В таблице приведены экспериментальные данные закрепления мочевины (карбамида) в почве выщелоченный чернозем.На опытном участке выделялись делян- З 5 ки размером 0,25 р,0,25 м, увлажнялись до 18 и 24 Я. После этого на каждую из них вносилась мочевина на глубину 4 см. Обработка почвы на делянках велась электромагнитным полем сверхвысокой частоты с частотой 2375 МГц от промышленного источника. После обработки делянки оставались нетронутыми в течение...

Номер патента: 1231354

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Лебедев, Макеев, Олоничев, Симонов

МПК: F26B 17/10, F26B 3/34

Метки: кипящего, слоя, сушилка

...Заказ 2553/45 Тираж 634ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. ужгород, ул, Проектная, 4Изобретение относится к сушке сыпучих материалов и предназначено преимущественно для сушки семян сельскохозяйственных культур. Кроме того, оно может найти применение для сушки любых термостабильных сыпучих материалов с начальной влажностью не более 207 .Цель изобретения - повышение качества сушки.На чертеже схематически изображена предлагаемая сушилка.Сушилка содержит камеру 1 с газо- распределительной решеткой 2 и размещенными над последней поперек направления движения материала вертикальными перегородками 3 и...

Номер патента: 1182246

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Лебедев, Липп, Мильман, Олоничев

МПК: F26B 15/14, F26B 3/34

Метки: сушилка, сыпучих

...которых заземлена, при этом обе решетки подключены посредством коаксиального фидера 11 к высокочастотному генератору 12, снабженному охладителем 13, расположенным в газоподводящей камере 6 секции 3 сушки.Газораспределительные решетки 8 установлены с чередующимся накло 35ном по ходу движения материала.Секция 2 предварительного нагрева снабжена патрубком 14 для загрузки влажного материала, а секция 4 охла 40 ждения -выгрузочным уствройством 15. В верхней части корпуса 1 расположен вентиляционный колпак 16 с вытяжным патрубком 17, а под газо- распределительной решеткой 8 секции 4 охлаждения расположена камера 18 высокого давления, к которой присоединен напорный патрубок 19 вентилятора (не показан).Сушилка для сыпучих материалов работает...

Номер патента: 1110434

Опубликовано: 30.08.1984

Авторы: Лебедев, Олоничев, Хетагуров

МПК: A23K 1/22

Метки: карбамидного, концентрата, производства

...ингредиентов и Формования готового продукта. Затем вклю.чают установку и производят нагревсмеси до температуры 133 С в электромагнитном поле высокой частоты с параметрами Е = 700 - 800 В/см и40,68 МГц в течение минуты. Высокочастотный нагрев обеспечивает всеусловия для интенсивного протеканияпроцесса желатинизации крахмала,плавления карбамида и диффузии расплава (молекулярного внедрения азота)в массу клейстеризованного крахмала.После обработки готовый продукт,представляющий собой прочный брикет,выгружают из Формочки, охлаждают иизмельчают.В таблице представлены основныепоказатели качества карбамидного концентрата,Полученные результаты свидетельст.вуют о том, что качество продукта1110434 5 10 15 25 30 Зерно Карбамид 25 20 20 Бентонит 40...

Номер патента: 1059382

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Лебедев, Олоничев

МПК: F26B 17/10

Метки: кипящего, слоя, сушилка, сыпучих

...кипящего слоя для сыпучих материалов, содержащая камеру с газораспределительной решеткой и размещенные над ней с зазором вертикальные перегородки, установленные поперек направления движения материала от загрузочного устройства к разгрузочно му с шагом, уменьшающимся в направлении разгрузочного устройства 131 .Недостатком известной сушилки является низкая интенсивность процесса сушки вследствие недостаточной интенсивности процесса тепломассообмена,.Цель изобретения - интенсификация процесса сушки.Поставленная цель достигается тем, что сушилка кипящего слоя сыпучих материалов, содержащая камеру с гаэораспределительной решеткой и размещенные над ней с зазором вертикальные перегородки, установленные поперек направления движения 5 0 15...