Желаев

Номер патента: 1748202

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Асалханов, Домбровский, Желаев

МПК: H01J 29/48

Метки: медленных, моноэнергетических, пучка, пушка, электронная, электронов

...поло сти диаметром 10 мм на глубину 2 мм так,что внутри цилиндра образована перегородка толщиной 1 мм, по центру которой сделано отверстие диаметром 1,5 мм дляпрохождения электронного луча, Выходнойэлектрод 14 электростатической личзы пристыковывается к коллектору отраженных от образца электронов также с помощью керамических трубок 11 описанным выше способом. Коллектор отраженных электронов представляет собой диск 16 толщиной 1 мм, и диаметром около 30 мм, в центре переходящий в цилиндр высотой 7 мм с наружным диаметром 9 мм, На внутренней поверхно. сти данного цилиндра нарезана сквозная резьба М бх 1, Вторая часть коллектора отражен н ых электроновсостоит из выходного электрода 17 пушки, представляющего собой трубку длиной 15 мм и...

Номер патента: 1701562

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Асалханов, Дашанимаев, Желаев

МПК: B28D 5/04

Метки: вакуумного, монокристаллов, полупроводниковых, скола

...устанавливать нужное расстояние поверх т)сти образца от плоскости фланца 11,Предлагаемое ус гройсггво обеспечи Вэенадежный раскол кристаллов с боль 1 ВОЙ ЭНЕРРИай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЭЛПИЧаскпми Изобьете)Ра Отн"; л: к устройствамдлЯ обработки ГОл" и ООВОД.ТкОВЬх мдтеоиалов и)лака бьп ь .спо;эо;но при подготовке О ээ ОВ то. 1 ОпВОЯ "лковых мОнОкриста)ЯО 1) с это арно-Тс-ой.товерхностью, 51.РальО иэобРетениЯ ЯвляетсЯ поВышениа наде:кности работы усройства,На черте 1 е предстэвпен обший видпредлагаемого устройства,Устройство для ва.:уум-.ого скола полупроводниковых м,нокриатэплов содержитразмешенн,й В Вакуумной камере корпус 1,в котором устэновла) даэжэтепь кристалла2, выпо)1 а 1 Ныь, В виде цэ гоНого па грона 3,закрепленного,э стар.1 а 4,...

Номер патента: 1589205

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Беляева, Второв, Горбунова, Егоров, Желаев, Михалев, Саратовцев, Тарасова, Шиляева

МПК: G01N 30/22

Метки: 3-тиазол-4-ил)-2-алкоксиминоуксусных, амино-1, геометрических, кислот, производных, син-анти-)изомеров

...в тех же условияххроматографируют.2 мкл раствора образца анти-изомера этилового эфира-С(С Н )В мерную колбу вместимостью 1 О мл вносят 0,1 г технической пробы 2-ХАТМУК (К 1 - ОН, К 1 - СН, К з - Н)и готовят раствор А аналогично примеру 1, используя 0,05 М раствор бикарбоната натрия, Вводят в колонку, заполненную сорбентом Силасорб С , 2 мкл раствора А и элюируют водой, в которой модификатором (12 об,й) является смесь этанола и ацетонитрила с объемными долями 5 и 7 соответственно. Подвижная Фаза имеет рН 5,8. Измеряют высоту пика с объемом удерживания 1167 мкл. Параллельно в тех же условиях хроматографируют 2 мкл раствора образца анти-изомера 2-ХАТМУК, приготовленного аналогично примеру 1, используя растворитель 0,05 М...