Дашанимаев

Номер патента: 1701562

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Асалханов, Дашанимаев, Желаев

МПК: B28D 5/04

Метки: вакуумного, монокристаллов, полупроводниковых, скола

...устанавливать нужное расстояние поверх т)сти образца от плоскости фланца 11,Предлагаемое ус гройсггво обеспечи Вэенадежный раскол кристаллов с боль 1 ВОЙ ЭНЕРРИай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЭЛПИЧаскпми Изобьете)Ра Отн"; л: к устройствамдлЯ обработки ГОл" и ООВОД.ТкОВЬх мдтеоиалов и)лака бьп ь .спо;эо;но при подготовке О ээ ОВ то. 1 ОпВОЯ "лковых мОнОкриста)ЯО 1) с это арно-Тс-ой.товерхностью, 51.РальО иэобРетениЯ ЯвляетсЯ поВышениа наде:кности работы усройства,На черте 1 е предстэвпен обший видпредлагаемого устройства,Устройство для ва.:уум-.ого скола полупроводниковых м,нокриатэплов содержитразмешенн,й В Вакуумной камере корпус 1,в котором устэновла) даэжэтепь кристалла2, выпо)1 а 1 Ныь, В виде цэ гоНого па грона 3,закрепленного,э стар.1 а 4,...