Патенты с меткой «некристаллических»

Номер патента: 1324069

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Бураченко, Некрасов

МПК: G11C 11/40, G11C 16/14

Метки: информации, некристаллических, памяти, полупроводниковых, стирания, элементах

...2. Генератор 3 серии импульсов через ограничитель 4 тока подключен к одному из выводов (А) полупроводникового элемента, второй вывод В которого заземлен.Схема работает следующим образом, 45Импульсные сигналы серии стирания поступают на полупроводниковый элемент 2, который находится в проводящем состоянии.В момент стирания проводящего состояния происходит ограничение амплитуды напряжения на полупроводниковом элементе из условия Б, - Б ., где Ьсоф - уровень срабатывания стабилизатора 1 напряжения. Это исключает возможность повторного включения под воздействием амплитуды напряжения 11 с.ир и пйедохраняет элемент от избыточной тепловой мощности импульсных сигналов. В качестве опытного состава для элемента памяти был использован...