Способ стирания информации в некристаллических полупроводниковых элементах памяти

,ЯО 13240 А 1 С 11 40 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ НИЯ ИНФОРМАЧЕСКИХ ПОЛУЛЕМЕНТАХ ПАчен дников. ектрондниках. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(54) СПОСОБ СТИРА ЦИИ В НЕКРИСТАЛЛИ ПРОВОДНИКОВ ЫХ Э МЯТИ (57) Изобретение относится к полупроводниковой электронной технике, Целью изобретения является повышение надежности стирания и ресурса работы элемента памяти. Способ стирания полупроводниковых элементов состоит в том, что на данный элемент, находящийся в проводящем состоянии, поступает серия стирающих импульсов тока с амплитудой напряжения 1.1 стпр, обеспечивающей заданный ток через полупроводниковый элемент. В момент стирания проводящего состояния производят ограничение амплитуды напряжения на полупроводниковом эле/менте из условия 1.3 стир(1 1 пор, цде 1 1 пор- пороговое напряжение включения. 2 ил, 13240691Изобретение относится к полупроводниковой электронной технике и может быть использовано при репрограммировании матриц памяти на основе некристалли, ческих полупроводниковых элементов памяти.Цель изобретения - повышение надежности стирания и ресурса работы элемента памяти.На фиг. 1 представлен график поступления серии стирающих импульсов тока. 10Способ реализуется следующим образом.На полупроводниковый элемент, находящийся в проводящем состоянии, поступает серия 1 стирающих импульсов тока с амплитудой напряжения 1.3 стнр. (фиг. 1), обеспечивающей заданный ток через полупроводниковый элемент.Тепловая мощность серии и - 1 импульсовподготавливает рабочую область полупроводникового элемента к выключению, а п-й (и+ +1, ) импульс переводит ее в аморфное непроводящее состояние,В момент стирания проводящего состояния амплитуда напряжения 1.)-нр на элементеФвозрастает до величины Б -р. Ограничение уровня амплитуды производится из условия 251 1 стир ( Ь пор.мин ( 1 )В течение всей серии импульсов.При условии (1) обеспечивается надежное стирание проводящего состояния. Минимальная величина порогового напряжения включения, соответствующая величине 1.3 с.ир позволяет произвести контроль состояния элемента памяти, осуществляемый серией контрольных импульсов 1 - и (1 - и+ +1, ), Нарушение устойчивости при контроле свидетельствует о необходимости снижения уровня ограничения.На фиг. 2 изображен пример схемнойреализации предлагаемого способа при введении отрицательной обратной связи по напряжению. Это осуществляется подключением стабилизатора 1 напряжения парал лельно стираемому полупроводниковому элементу 2. Генератор 3 серии импульсов через ограничитель 4 тока подключен к одному из выводов (А) полупроводникового элемента, второй вывод В которого заземлен.Схема работает следующим образом, 45Импульсные сигналы серии стирания поступают на полупроводниковый элемент 2, который находится в проводящем состоянии.В момент стирания проводящего состояния происходит ограничение амплитуды напряжения на полупроводниковом элементе из условия Б, - Б ., где Ьсоф - уровень срабатывания стабилизатора 1 напряжения. Это исключает возможность повторного включения под воздействием амплитуды напряжения 11 с.ир и пйедохраняет элемент от избыточной тепловой мощности импульсных сигналов. В качестве опытного состава для элемента памяти был использован известный состав беьАз 4 Теи, нанесенный на интегральные структуры (йпленки=1 - 2 мкм). Параметры серии импульсных сигналов следующие: 1 стир=40 МА; 1.1 стнр=4 В; тимп.стир=0,2 мкс; Т.=2 мс; т=70 мс.По окончании серии импульсов измерялась величина сопротивления непроводящего состояния (К р.). Разброс параметра Кн.пр. 20 Я в сторону уменьшения сопротивления оценивался как ненадежное стирание. Количество надежных стираний в процессе циклов перезаписи составляло около 95 Я.В другом примере также был использован стеклообразный проводник аналогичного состава, нанесенный на интегральные структуры. Прямоугольные импульсные сигналы длительностью тнип.стиР.=0,4 мкс с периодом следования 1 мс поступают на проводящий элемент памяти. Ток стирания через элемент поддерживается 1 стир=20 мА. Момент стирания контролируется на экране осциллографа С 1 - 55, подключенного к выводу А (фиг. 2), и определяется по резкому изменению уровня напряжения до величины 11 стир=5 В. Количество надежных стираний в процессе циклов перезаписи составляло около 90 Я,Сравнение прототипа и предлагаемого способа осуществляют при одинаковых параметрах серии включающих импульсов,Различие в способах стирания проявляется после перехода элемента в непроводящее состояние. По предлагаемому способу падение напряжения на элементе памяти, находящемся в непроводящем состоянии, равно Ь-.р(соответствующее уровню срабатывания стабилитрона), которое необходимо задавать меньшим по амплитуде, чем величина порогового напряжения включения элемента (1). Этим обеспечивается надежное стирание проводящего состояния, Последующие импульсы контроля также меньше по амплитуде, чем У и, следовательно, не влияют на устойчивость не- проводящего состояния полупроводникового элемента.формула изобретенияСпособ стирания информации в некристаллических полупроводниковых элементах памяти, заключающийся в подаче серии импульсов напряжения на полупроводниковый элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности стирания и ресурса работы элемента памяти, определяют момент перехода элемента памяти в непроводящее состояние, после чего импульсы напряжения ограничивают по амплитуде до значения меньшего, чем пороговое напряжение включения полупроводниковой памяти.1324069 бер 48 гс азу фиг 1 АмусьеваКорректорПодписноеделам изобретенийая наб., д. 4/5атак ткрытий ектна оизводстве Составитель Л Р Техред И. Верес Тираж 589 арственного комитета СССР по 3035, Москва, Ж - 35, Раушск но-полиграфическое предприяти