Спалек

Номер патента: 1800345

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Бобрышев, Сергеева, Спалек, Черепков

МПК: G01N 25/18

Метки: датчик, коэффициента, теплопроводности

...фотолитографии изготавливаются тонкопленочные терморезисторы из никеля с контактными площадками на основе структуры 55 хром-медь-никель. Полученные структуры наклеиваются на несущую пластину над пазами, полностью их закрывая диэлектрической пленкой. После этого подложки растворяются в реактивах, травлениемвскрываются участки контактных площадок и к контактным площадкам присоединяются выводы 12 для контактирования с измери- тельной схемой.Датчик работает следующим образом. При введении измерительного 8 и компенсационного 9 терморезисторов в контакт с исследуемым объектом и эталонным материалом 3 соответственно и подаче импульсов тока на мост 16 с импульсного источника 15 температура, а следовательно и сопротивления...

Номер патента: 1516799

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Борщев, Пономаренко, Спалек, Тихомиров

МПК: G01H 13/00, G01M 7/00

Метки: интегрального, полупроводникового, преобразователя, резонансной, упругого, частоты, элемента

...формула изобретения В соответствии с приближенным расчетом для получения при изготовлении преобразователей, значение резонансных частот находится в диапазоне 1, 1-2,3 кГц. Пластину 1 с кремниевыми интегральными преобразователями устанавливали иа специально разработанном для зондовой установки "Зонд А 4 М" столике 5, содержащем отверстия 6 для фррмирования воздушного потока через П-образные вырезы и отверстия 7 для закрепления пластины на столике вакуумом. Затем потоком Составитель Д,ДаниловТехред А.Кравчук Корректор С.Черни Редактор К.Папп Заказ 6375/40 Тираж 511 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1430897

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Борщев, Каленик, Малков, Морозов, Петров, Спалек

МПК: G01B 7/16, G01R 17/10

Метки: диагностического, интегральных, полупроводниковых, преобразователей, тензорезистивных

...и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предприяти., г. Ужгород, ул. Проектная,теля 2 мВт проходит в кремний на глубину порядка 2 мкм, что достаточнодля того, чтобы облучить дно изолирующего р-и-перехода диффузионных 5тензорезисторов. Инфракрасное облучение области тензореэисторов способствует выявлению и идентификациискрытых дефектов структуры ИП,Предлагаемый способ применим не 10только к ИП, но и к датчикам, выполненным на их основе, что позволяетвыявлять дефекты, вносимые при сборкедатчика,Для идентификации дефектов на 15стадии пластин или на разделительныхкристаллах ИП осуществляется измерение информативных параметров при локальном инфракрасном облучении облас"тей тензорезисторов, т.е. Б...

Номер патента: 1370608

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Борщев, Веников, Колесник, Спалек

МПК: G01R 27/02

Метки: тензодатчиков, частотный

...однаполосных смесителей соответственно, Выход третьего однополосного смесителя 11 г одключен к входу резонансного усилителя 12, выход которого соединен с нторьи входом четвертого однополосного смесителя 13. подключенного выходом к второму входу третьего олнополосного смесителя 1. Выход резонансного усилителя 12 подключен к второму входу четвертого однополосного смесигеля 13 и к входу фазового детектора 14. Включенные в кольцевое соединение третий однаполосный смеситель 11, резонансный усилитель 12 и четвертый однополосный смеситель 13, ныход которого соединен с вторым входом третьего однопалосного смесителя 11, образуют автоколебательную систему, н которой в стационарном состоянии при выполнении условий баланса фаз и амплитуд...

Номер патента: 1330469

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Борщев, Веников, Колесник, Спалек

МПК: G01D 5/12

Метки: тензопреобразователь, частотный

...соответствующему включениюдвух или трех перемножителей и двухили трех фаэовращателей в однополосном смесителе,Кроме того, частотно-зависимый фаэовращатель 10 выполнен таким образом, что фазовый сдвиг в нем прямо пропорционален частоте входных колебаний. В качестве частотозависимого Фазовращателя может быть установлена, например, линия задержки,Частотный тензопреобраэователь работает следующим образом.С выхода опорного генератора 1 колебание с частотой , поступает на вход тензорезисторного моста 2 и одновременно на вход фильтра 3 верхних частот, С выходов тенэоре13304 б 96ловие баланса Фаз в этом случае принимает вид К, (2)овых сдвиговя практически+ЧемуПри свЧ неизме следует страив пго это ри нной. что аемого+...

Номер патента: 1270547

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Борщев, Веников, Колесник, Спалек

МПК: G01B 7/16

Метки: тензодатчиков, частотный

...Б -П соя(с 1 гЮ +р),На выходе фильтра 5 нижних частотвыделяется сигнал разностной частоты,поступающий со смесителя 4;=13сов(Й г-Р, -Ж ),а сигнал суммарной частоты Фильтром нижних частот подавляется.Как видно из выражения (2), фаза сигнала, поступающего на вход усилителя 6, равна, но противоположна по знаку фазе сигнала, поступающего с выхода фазового звена 3.На основании вышесказанного уравнение баланса Фаз (1) можно записать в виде:1 2 Й 1-агс ярд . =1 сЪ; мируются, процесс суммирования приусловии существования в рассматривае-З 5мой колебательной системе гармонических колебаний показан на векторнойдиаграмме (фиг.2). При этом колебаниена выходе сумматора 2 приобретаетФазовый сдвиг по отношению к колебанию на выходе усилителя 6: з 1...

Номер патента: 1259104

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Борщев, Осипов, Спалек, Тихомиров, Харенко

МПК: G01B 7/16

Метки: группового, полупроводниковых, тензоэлементов, чувствительных

...присоединяют вывод-ные проводники, нагружают подложку в зоне расположения. этого тензоэлемента постоянной механической нагрузкой и измеряют в паузах процесса травления выходной параметр контрольного тензоэлемента,Кроме того, предварительно в подложке травят углубление для размещения контрольного тензоэлемента, аподложку нагружают сосредоточеннойсилой,Контрольный тензоэлемент формируют в виде интегрального тензомоста.1На чертеже представлена подложкав случае травления углубления дляразмещения контрольного тензоэлемеита, поперечное сечение.Подложка 1 из исходного полупроводникового материала содержит группу 2 тензоэлементов, локальную мембрану 3, контрольный тензоэлемент 4 и подставку 5.,Способ осуществляют следующим...

Номер патента: 1210076

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Борщев, Волков, Малков, Спалек, Супрун, Харенко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...с упругим элементом или независимо и служит для жесткого закрепления упругого элемента.На мембране 2, имеющей плоскости:имметрии, выполнены ребра 3 жесткости в форме балок, также имеющиеплоскости симметрии, так, что плоскости симметрии мембраны 2 и ребер 3 совпадают, образуя плоскостьсимметрии упругого элемента 1, соз,цавая конструкцию упругого элемен 35та 1, в которой мембрана 2 и ребра 3жесткости поц действием входнойвеличины (давления) Р деформируются(изгибаются) совместно, причем ребра 3 жесткости в Форме балок входной40величиной Р нагружаются осесимметрично,Устройство работает следующимобразом,4Под действием осесимметричногонагружения балки испытывают плоскийизгиб, при котором реализуется линейная зависимость между...

Номер патента: 1068748

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Борщев, Малков, Спалек, Супрун

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, полупроводниковый

...площади упругого элемента ко всей его площади имеет незначительную велищщу, Кроме того, в кольцевом концентраторе между оправами суммируются местные на. пряження, создаваемые закреплением внеш ней оправы к основанию, с напряжениями, создаваемыми измеряемой величиной - давлением, Так как площадь, ограниченная кольцевым концентратором и включащая в себя его площадь, больше площади мембраны, то 40 при равенстве толщин дна кольцевого концентратора и мембраны верхний предел из. меряемого давления будет снижен во столько раз, во сколько максимальные напряжения в кольцевом концентраторе больше соответствующих напряжений в мембране,частью и размещенными на нем чувствнтель. ными элементами и концентраторами, мемб. ранный упГугий элемент...

Номер патента: 885842

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Зеленцов, Спалек

МПК: G01L 9/04

Метки: тензометрический

...каждый калибровочный резисторснабжен приливом, а окно под металлизацию выполнено в этом приливе.На чертеже изображен предлагаемыйпреобразователь.Устройство содержит упругую мембрану 1, на которой размещены диффузионные тензорезисторы В 1, В 2, ВЗи В 4, соединенные в мостовую схему,15 и диффузионные калибровочные резисторы, представляющие собой магаэинфсопротивлений В 5 - В 8 и В 9 - В 12.Каждый калибровочный резистор снабжен приливом 2 внутри которого рас 20 положено окно 3 под металлизацию.Кроме того, калибровочные резисторыметаллизированными перемычками 4-8и 9-13Преобразователь работает следую 25 щим образом.Начальная балансировка нуля мостовой схемы производится путем перерезания металлизированных перемычек4-8 и 9-13, причем в то...

Номер патента: 819856

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Богатов, Борщев, Спалек, Черепков

МПК: H01L 21/00

Метки: совмещаемости, фотошаблона

...стробоскопирования.На чертеже схематично представлено устройство для реализации предлагаемого способа контроля совмещаемости изображе- Б ний фотошаблонов.Устройство состоит из диска 1 с закрепленными на нем фотошаблонами 2, экрана 3, оптического канала, Состоящего из импульсного осветителя 4, коллиматора 5, объектива 6, системы синхронизации, состоя 10 щей из осветителя 4, датчика 7, фотоэлектрического датчика 8 и блока синхронизации 9.Пример. На диске 1 закрепля.от любое количество фотошаблонов 2, предварительно совместив их по реперным знакам 10, с базовыми метками 11 на экране 3, Затем диск 1 приводят во вращательное движение. В момент введения фотошаблона 2 в оптический канал (4, 5, 6) при совпадении реперных знаков 10 фотошаблона 2...

Номер патента: 681376

Опубликовано: 25.08.1979

Авторы: Богатов, Борщев, Спалек, Харитонов

МПК: G01P 15/08

Метки: акселерометр

...напряжения в тензорезисторе 2, расположенном в теле деформируемой части 3,Механические напряжения преобразуются 2тензорезистором 2 в электрическийсигнал, который регистрируется измерительным прибором 5. При пропусканииэлектрического тока от регулирующеготемпературу элемента б через контактные площадки 7 происходит разогревдеформируемой части 3 балки эа счетвыделения в ней джоулева тепла. Потоквыделенного тепла нагревает тензореэистор, и чувствительный к изменениютемпературы элемент 8, управляющий 30сигнал от которого поступает на регулирующий температуру элемент 6, поддерживает заданную температуру в деформируемой части 3 балки, Контактныеплощадки 9 и 10 служат для коммутации тенэорезистора 2 и элемента 8,Совмещение нагревательного...

Номер патента: 647535

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Богатов, Борщев, Буеров, Спалек

МПК: G01F 1/36

Метки: расходомер

...тензорезисторы.;На фиг.показан разрез описываемогорасходомера по оси симметрии; на фиг. 2 вид расходомера сверху; на фиг. 3 - се.чение чувствительного элемента.Расходомер содержит корпус(например, часть трубопровода) с фланцами 2.Поперечное сечение корпусаперегорожено чувствительным элементом - диском 3.Диск 3 состоит из двух частей: централь, ной 4 и отделенной от нее кольцевой С образной щелью 5 периферийной части 6, зажатой припомощи колеци винтов 8 в корпусе .Чувствительный элемент - диск 3 выполнен в виде монокристаллической полупроводниковой диафрагмы, а в теле ее на участке наибольшей деформации, на перемычке между торцами С-образной шслн раз.мешены тензорезисторы 9, изготовленные647535 формула изобретения г Составитель Ь. Розу...

Номер патента: 574602

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Богатов, Борщев, Манышев, Спалек, Харитонов

МПК: G01B 7/16

Метки: тензорезистор, термостатиреванный

...тензорезистор.Он содержит тензоэлемент 1, диэлектрический слой 2, обхватывающий тензоэлемент, термоэлемент 3, размещенный на диэлектрическом слое 2, второй диэлектрический слой 4, размещенный на термоэлементе, и нагревательные элементы 5 и 6, обхватывающие тснзоэлемент и термоэлементы. Изоляция нагревательных элементов осуществляется диэлектрическими слоями 7 и 8. В цепь нагревательных элементов включен регулирующий элемент 9, а в цепь тензоэлемента - измерительный прибор 10.Термостатированный тензорезпстор работает следующим образом.Тонкопленочный тснзоэлемент 1 воспринимает воздействие изменяющегося механического параметра. Величина сигнала является функцией температуры,Для исключения температурной погрешности измерения...