Ячейка памяти
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 611581
Автор: Ракитин
Формула
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ, содержащая полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней двумя изолированными диффузионными областями второго типа проводимости, в одной из которых расположена область первого типа проводимости, подключенная к основной числовой шине, слой диэлектрика и электрод, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения площади, занимаемой ячейкой на кристалле, она содержит дополнительную числовую шину, к которой подключен электрод, нанесенный на слой диэлектрика, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки между изолированными диффузионными областями второго типа проводимости.
Описание
Известны интегральные матрицы ЗУ, ячейки которых выполнены на p-n-p-n приборах с продольной структурой, которые изолированы друг от друга при помощи обратносмещенного p-n перехода. Необходимость изоляции приборов, обусловленная наличием паразитной связи между ними, приводит к увеличению площади ячейки и, следовательно, матрицы.
Наиболее близким к изобретению техническим решением является ячейка памяти, содержащая полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней двумя изолированными диффузионными областями второго типа проводимости, в одной из которых расположена область первого типа проводимости, подключенная к основной числовой шине, слой диэлектрика и электрод. Однако они характеризуются низкой степенью интеграции, связанной с необходимостью изоляции одной ячейки от другой.
Цель изобретения - уменьшение площади, занимаемой ячейкой на кристалле. В описываемой ячейке это достигается тем, что она содержит дополнительную числовую шину, к которой подключен электрод, нанесенный на слой диэлектрика, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки между изолированными диффузионными областями второго типа проводимости.
На фиг. 1 представлена описываемая ячейка памяти; на фиг. 2 - фрагмент топологии матрицы.
В полупроводниковой подложке 1 первого типа проводимости, например из кремния n-типа проводимости, выполнены изолированные диффузионные области 2 и 3 второго типа проводимости (p-типа), в одной из которых сформирована область 4 первого типа проводимости (n-типа). Указанные области образуют n-p-n-p прибор, эмиттерами которого являются области 4 и 2, а базами - области 3 и 1. Эмиттер 4 подключен к основной числовой шине 5, эмиттеры 2 приборов ячеек в столбцах связаны между собой диффузионными разрядными шинами 6. Между областями 3 и 2 в ячейке нанесен слой 7 диэлектрика, например окисла кремния, толщиной порядка 0,2 мкм, на котором выполнен электрод 8, подключенный к дополнительной числовой шине 9. Области 3 и 2 вместе с изолированным от подложки электродом 8 образуют МОП-транзистор.
При считывании на числовые шины 5 и 9 выбранной строки матрицы подаются отрицательные импульсы напряжения, причем амплитуда импульса на числовой шине 9 должна быть меньше порога отпирания МОП-транзистора, а на числовой шине 5 - больше динамического порога включения p-n-p-n прибора, находящегося в равновесном состоянии. Приборы выбранной строки, бывшие в состоянии "1" (т.е. в равновесном состоянии, когда потенциал области 3 близок к "0"), включаются, и через них протекает ток считывания. При этом неосновные носители инжектируются p-эмиттером 2 лишь в область n-базы 1, расположенную под электродом 8, а так как ее потенциал понижен напряжением на этом электроде. Приборы, бывшие в состоянии "0" (когда область 3 заряжена отрицательным зарядом), не включаются.
При записи на выбранную числовую шину 9 подается отрицательный импульс, превышающий пороговое напряжение МОП-транзистора, а на разрядную шину 6 тех приборов, в которых должен быть записан код "0", подается отрицательный импульс. Во время выполнения этой операции работает только МОП-транзистор, что сохраняет самоизоляцию ячеек.
Использование матрицы, обладающей свойством самоизоляции ячеек, упрощает изготовление интегральных схем ЗУ на p-n-p-n приборах и позволяет на порядок повысить их степень интеграции, и, тем самым, информационной емкости. Это достигается существующими в настоящее время технологическими методами.
Рисунки
Заявка
2373268/24, 17.06.1976
Ракитин В. В
МПК / Метки
МПК: G11C 11/34
Опубликовано: 15.07.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-611581-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Способ определения температуры изменения типа проводимости на границе области гомогенности соединений а в
Номер патента: 1827693
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Бестаев, Мошников, Томаев
МПК: H01L 21/66
Метки: гомогенности, границе, изменения, области, проводимости, соединений, температуры, типа
...о парах лигатуры соста 30 35 40 45 50 55 длиной 150 мм, которую предварительно подвергали травлению, затем термообрабатыоали о вакууме, создавали давление 10мм. рт. ст, и затем отпаивали, Процесс вы-. ращивания занимал 4 - 5 дней, Условия выращивания были следующие: температура роста 860 - 925 С, градиент температуры 3 - 10 С. На плоском своде ампулы, как правило, о конце процесса роста получали 5 -7. кристаллов с формой правильного параллелепипеда и с линейными размерами 3 х 3 х 2 мм.Состав полученных монокристаллов РЬо,дзЗпо,отЯе определяли методом локального рентгеновского анализа. Однородность по электрофизическим свойствам контролировали с помощью нестационарного термозондооого анализа. Для кристаллов была характерна высокая...
Триггер с эмиттерной связью на транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 748812
Опубликовано: 15.07.1980
МПК: H03K 3/2893
Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной
...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...
Способ измерения напряжения пробоя при анодном окислении арсенида галлия n-типа проводимости и устройство для его осуществления
Номер патента: 1042531
Опубликовано: 23.08.1989
МПК: H01L 21/66
Метки: n-типа, анодном, арсенида, галлия, окислении, пробоя, проводимости
...галлия и-и -типа с концентрацией носи% 6 телей тока в а-слое 2 10, 1,5 10 5 ,10425лелепипеда, В ячейке установлены ка"тод 4 и образец 5, являющийся анодом, Ячейка снабжена фторопластовойкрышкой 6, стальными зажимами 7,8 изаполнена электролитом. Внешняя электрическая цепь состоит из источника9 белого света, источника тока 10"прибора 11 для регистрации напряже"ния на электродах электрохимической 10ячейки, Устройство содержит также,массивное основание 12, линзу 13,источник 14 стабилизированного напряжения, ключ 15, магнитную мешалку 16. 15На фиг,2 приведена зависимость напряжения пробоя от времени предвари"тельного (темнового) анодирования,где кривая 17 соответствует условиям:Н= 610, плотность тока 1=3 мА/см, 20время выхода на насыщение...
Мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 653735
Опубликовано: 25.03.1979
Автор: Спиричев
МПК: H03K 3/28
Метки: двух, мультивибратор, проводимости, разного, типа, транзисторах
...разного типа провэдимости по авт. св; М 400006, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения скважности и периода формируемых импульсов, в него введены транзистор, конденсатор, резистор и диод, причем коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, соединен с источником тока через базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительные резистор и диод соединен с базой транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и через дополнительный конденсатор со своим эмиттером и с кэнденсатором время- задающей цепи. 07/42 Тираж 1059 Подпис ЦНИИПИ За лиал П 1 П фПатент г, Ужгород, ул, Проектная, 4 На чертеже приведена принципиальная схема мультивибратора,Мультивибратор содержит...
Компаратор на транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 725220
Опубликовано: 30.03.1980
МПК: H03K 5/20
Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах
...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...
Предыдущий патент: Электронный инжектор
Следующий патент: Способ получения алкилбензилфталатов
Случайный патент: Устройство для автоматического управления штабелером