Патенты с меткой «интегральных»

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Корешков, Шикуло

МПК: H01L 21/302

Метки: интегральных, контактных, окон, схемах, формирования

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 965239

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Больших, Диковский, Каусова

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1077512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, структур

1. Способ изготовления интегральных структур, включающий проведение в исходной пластине одного полупроводника локального травления на глубину, превышающую глубину "карманов", присоединение ее с использованием диэлектрика к пластине другого полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции компонентов схем и улучшения их электрофизических параметров путем снижения механических напряжений в структуре, в пластине другого полупроводника дополнительно производят локальное травление по технологии, соответствующей негативу технологии исходной пластине, в их присоединение осуществляют под давлением 2-10 кг/см2 до взаимного проникновения в пазы друг друга при...

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1840163

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Коваленко, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, схем, элементов

Способ изготовления диэлектрической изоляции элементов интегральных схем, включающий формирование скрытых слоев в полупроводниковой подложке, наращивание эпитаксиальной пленки, нанесение маскирующих слоев, вытравливание канавок в эпитаксиальной пленке, формирование противоканальных р+-стопорных областей, нанесение пленки поликремния и заполнение канавок окислом кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и процента выхода годных схем, после нанесения маскирующих слоев наносят легированную окисную пленку, канавки травят на толщину эпитаксиальной пленки, затем перед формированием противоканальных р+-областей формируют диэлектрическую пленку на стенках и дне канавок, удаляют локально окисел...

Номер патента: 1655252

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Лесникова, Малышев, Попов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой...

Номер патента: 1760920

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...

Номер патента: 1766208

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактов, схем

Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.

Номер патента: 1563516

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Ковалевский, Коваленко, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий нанесение слоя алюминия на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, формирование рисунка нижнего уровня разводки, создание межуровневой изоляции последовательным нанесением первого слоя двуокиси кремния при 250-300°С и второго слоя двуокиси кремния, вскрытие контактных окон к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки из алюминия, термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности разводки интегральных схем за счет уменьшения механических напряжений, первый слой двуокиси кремния наносят толщиной 0,15-0,25 мкм в плазме...

Номер патента: 1769635

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, контактных, межсоединений, столбиков, схем

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...

Номер патента: 1730989

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Демьянович, Дулинец, Красницкий, Лесникова, Родин, Турцевич

МПК: H01L 23/46

Метки: интегральных, межсоединение, сверхбольших, схем

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

Номер патента: 1575832

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Казачонок, Колешко, Красницкий, Солодуха, Таратын, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...

Номер патента: 1780467

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Зайцев, Кабаков, Карпиевич, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/76

Метки: борофосфоросиликатного, изоляции, интегральных, межуровневой, стекла, схем, формирования

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Сухопаров, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, микросхем

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...

Номер патента: 1694015

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Воронин, Малышев, Мамедов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами слоя алюминия или его сплавов с микрорисунком нижнего уровня разводки, формирование межуровневой изоляции с контактными окнами к нижнему уровню, формирование слоя проводящего материала с микрорисунком верхнего уровня разводки, имплантацию ионов металлов в слой материала уровня с энергией 30-150 кэВ, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и увеличения надежности интегральных схем за счет уменьшения деградации параметров разводки, имплантацию в слой материала нижнего и/или верхнего уровня разводки проводят ионами металлов...

Номер патента: 1598707

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Кисель, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, схем, элементов

Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...

Номер патента: 1669333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, кмдп, схем

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и...

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1393233

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Васильев, Згировская, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, схем

Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик и упрощения способа за счет формирования рисунка элементов металлизации и пассивирующего покрытия в едином технологическом цикле, второй слой кремния наносят толщиной от 100 до 150 нм, затем проводят травление этого слоя в соответствии с рисунком элементов металлизации, после чего...

Номер патента: 1542342

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...

Номер патента: 1268001

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Канищев, Куксо, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, мдп, схем

Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа изготовления и улучшения электрофизических характеристик МДП интегральных схем, нанесение слоя металлизации на первой стадии осуществляют методом магнетронного распыления при температуре подложки от 453 до 493 K, плотности мощности разряда...

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...

Номер патента: 1356895

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Корешков, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, интегральных, мдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...