Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем

Номер патента: 1370752

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Кузьменко, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 17/687, H03K 5/153

Метки: импульсных, мдп, постоянного, сигналов, транзисторах, уровней, формирования

...на вход 30 блока управления ключом логического "0". где инвертируется и поступает на вход 63 ключа логического "0". В зависимости от уровня входного сигнала шина выходного сигнала будет подключаться или к шине напряжения логической "1" (при высоком уровне входного сигнала), или к шине напряжения логического "0" (при низком уровне входного сигнала). Таким образом, на шине 17 будут формироваться сигналы высокого и низкого уровней, синфаэные с входным сигналом. С выхода 28 переключателя 3 фазы сигнал, синфазный входному поступает на вход 29 линии 2 задержки, где задерживается н поступает на вход 33 блока 1 усилителей задержанного сигнала, на выходах 34 и 37 которого формируются два противофаэных сигнала, задержанных относительно...

Номер патента: 858787

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Лапченко, Рево, Тарасов

МПК: A61B 17/00

Метки: глотки, нижнего, отдела, формирования

...Л. Иван Редактор Н. Кешеля Заказ 7392/10 Тираж 687 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Предлагаеьвй способ позволяет создать грушевидный синус путем обеспечения адекватного механизма глотания. Способ формирования нижнего отдела глотки путем мобилизации пищевода с последующей фиксацией его к глотке, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью создания грушевидногосинуса путем обеспечения адекватногомеханизма глотания, проксимальныйотдел мобилизованного пищевода перегибают, ушивают его проксимальныйконец и формируют на куполе вход впищевод.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское...

Номер патента: 1172030

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Герасименко, Лиференко, Лукин, Марков

МПК: H04B 3/36

Метки: биполярных, многоуровневый, регенератор, сигналов

...5 тактовой частоты, и-пороговый блок 6, первый, второй и третий формирователи импульсов 7 - 9, первый и второй элементыИ 10 и 11, интегратор 12.Работа регенератора описана для случая трехуровневого сигнала п=3. Входнойсигнал, усиленный входным усилителем 1,поступает на пороговые блоки 2 и 6, а также на выделитель тактовой частоты 5(фиг. 2 а). При передаче по линии связиимпульсов с логическим уровнем + 1 происходит переключение (ив 1)-пороговогоблока 2, порог срабатывания которого равен +0,5 и его выходной сигнал (фиг. 2 б) 30открывает первый и второй элементы И 10и 11. При этом, если сигнал на выходе входного усилителя 1 превысит порог срабатывания п-порогового блока 6, равный +1,то третий формирователь 9 импульсов синхронно с...

Номер патента: 1081521

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Брайнина, Грузкова, Ройтман

МПК: G01N 27/30

Метки: инверсионно, микрои, ультрамикроколичеств, формирования, электрода, электрохимического, элементов

...мкг/л.Дополнительное нанесение из электролита на графитовый стержень ультрамикроколичеств металлов более электроотрицательных, чем нанесенный на него металл, способствует повышению чувствительности определения за счет создания на поверхности электрода устойчивых сорбционных центров концентрирования, на которых накапливается и удерживается определяемый элемент, что позволяет при дальнейшем анодном электрорастнорении сконцентрированного элемента получить четкую, нераздноенную кривую, пропорциональную концентрации элемента в растворе, кроме того, ускоряется процесс концентрирования, продолжительность которого сокращается в б раз и составляет 5-10 мин. Таким образом, с помощью сформированного предлагаемым способом электрода появляется...

Номер патента: 374743

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Науменко, Солдатов, Шур

МПК: H03K 19/0175

Метки: согласования

...выводе выходноготранзистора появляется потенциал, равныйсумме падения напряжения на резисторах 11,12 и напряжения эмиттер-коллектор открытоговыходного транзистора интегрального элемента,Для надежного закрытия ключевого транзистора необходимо, чтобы во всем диапазонетемператур управляющее напряжение базаэмиттер было приложено в направлении, запираюцтем переход, т. е. необходимо, чтобы на374743 Предмет изобретения Составитель О. Федорова Редактор Е. Кравцова Тсхред Л. ГрачеваКорректор О. Усоваказ 247/902 Изд.340 Тираж 780НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СовеМосква, Ж, Раушская наб., д, 415 ПодписноеМинистров СССР Тип. Харьк,. пред. Патент пряжение источника смещения Е подключенного к эмиттеру ключевого...