Межсоединение для сверхбольших интегральных схем

ZIP архив

Описание

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

75 нм d2.

2. Межсоединение по п.1, отличающееся тем, что в слой тугоплавкого металла введен алюминий, концентрация которого не превышает 85%.

Заявка

4790819/21, 13.02.1990

Научно-производственное объединение "Интеграл"

Турцевич А. С, Красницкий В. Я, Дулинец Ю. Ч, Лесникова В. П, Демьянович А. В, Родин Г. Ф

МПК / Метки

МПК: H01L 23/46

Метки: интегральных, межсоединение, сверхбольших, схем

Опубликовано: 20.01.2008

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1730989-mezhsoedinenie-dlya-sverkhbolshikh-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Межсоединение для сверхбольших интегральных схем</a>

Похожие патенты