Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем

Номер патента: 1783932

Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Сухопаров, Турцевич

ZIP архив

Описание

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям:

где d1 0,15 мкм;

d2 0,1 мкм,

создание микрорисунка проводят реактивным ионным травлением в плазме BCl3 с добавкой SiCl4 10-20 об.%, Cl2 10-15 об.%, N2 20-30 об.% при давлении 10-15 Па и плотности мощности 0,6-0,8 Вт/см2 .

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание меди в верхнем слое сплава составляет 0,5-8 мас.%.

Заявка

4787240/25, 30.01.1990

Научно-производственное объединение "Интеграл"

Турцевич А. С, Сухопаров А. И, Красницкий В. Я, Дулинец Ю. Ч, Родин Г. Ф

МПК / Метки

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, микросхем

Опубликовано: 20.01.2008

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1783932-sposob-izgotovleniya-mezhsoedinenijj-integralnykh-mikroskhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем</a>

Похожие патенты