Патенты с меткой «интегральных»

Номер патента: 1387807

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Мягконосов, Платонов

МПК: H01L 21/98

Метки: гибридных, интегральных, настройки, схем, функциональной

...элементов 2, после чего осущеществляют откачку воздуха (вакуумироночной схемы подключают к источ" нику питания и контрольно-испытательной аппаратуре посредством металлических пленочных проводников10, соединенных с разъемом 11, и при жимных контактных соединений между этими проводниками и внешними кон".тактными площадками платы. Дпя контроля функционирования ГИС используютустановки тестового контроля типа УТКили системы "Элекон-СФ". Затеи на ГИС подают питающие напряжения иОсуществляют контроль,ее электрнчес"кого функционирования, испытания инастройку, в процессе которых выяв-,ляют дефектные кристаллы ИС. Послеэтога отключают питающие напряжения,вакуумный насос, отделяют рамку 9 сгибкой диэлектрической подложкой 8от платы 1, а...

Номер патента: 1700640

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Андреичев, Вовк

МПК: H01L 21/48

Метки: гибридных, интегральных, корпусов, схем

...р фили 3 и 4. На торцевые остроконечные профили заготовки 2 боковых граней наносят металлическое покрытие 5, образующее с Ь материалом заготовок эвтектику. Затем пе- О ред сборкой удаляют с вершин профилей покрытие. Сборку корпуса проводят на оп-, 3 равке 6, зажимая заготовки между электродами 7 и 8. При этом устанавливают шунтирующие вставки 9 и 10, пропускают ток по образовавшейся цепи между электродами 7 и 8 в виде короткого импульса продолжительностью 2 - 3 с в защитной среде.При достижении температуры образования эвтектики, например, никель-титан, происходит оплавление боковых поверхно 1700640стей остроконечных профилей. Одновременно с разогревом на острие профиля действует приложенное к электродам давление.. В процессе сварки...

Номер патента: 1711269

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Ковалевский

МПК: H01L 21/324

Метки: изоляции, интегральных, межслойной, микросхем, производстве, формирования

...не достигается та температура вязкотекучего состояния стекла, при котором время задер жки при оплавлении достигает минимального значения - 0,5 с.Увеличение процентного содержанияборфтористоводородной кислоты больше 35 мас.% в растворе так же, как и увеличе ние скорости потока водорода через объемиспарителя свыше 200 дм /ч, приводит к иззбыточному количеству ионов фтора и бора в газовой среде, способному вызвать кристаллизацию ФСС и разделение фаз. Такое5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 явление нарушает структурное совершенство слоев ФСС, так как в них появляются кристаллические включения, поры, трещины, разнотолщинность, что отрицательно сказывается на величине напряжения электрического пробоя и токов утечки.Увеличение плотности...

Номер патента: 1714389

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Додонов, Иванов, Лазаренко, Лопатин, Сидоренко

МПК: G01K 7/02

Метки: интегральных, схем, температуры

...для ИС, выбранной в качестве датчика температуры, в котором не происходят необратимые изменения. в ней.По результатам этих измерений строится градуировочная кривая для данного экземпляра ИС. Если используется кристалл без корпуса, для него необходимо снять аналогичную градуировочную кривую, исключив попадание на него света, что может изменить значение периода регенерации,Чтобы измерить температуру кристалла микросхемы (в том или ином технологическом и роцессе), необходимо и одкл ючить микросхему к измерителю параметров (если она не подключена в ходе данного технологического процесса), измерить период регенерации, а затем по известной градуировочной кривой определить температуру.Если требуется измерить температуру кристалла без...

Номер патента: 1714824

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Люпин, Проскуров, Шестак, Яценко

МПК: H05K 13/00

Метки: выводов, интегральных, микросборок, обрезки, перемычек

...ножа 4. микросборок. Цель изобретения - расширение эксплуатационных возможностей, Устройство содержит основание с неподвижным ножом, на котором на оси шарнирно закреплен нож для обрезки рамки выводов. На основании закреплен корпус с толкателем, связанным с приводом, прижимом, набором ножей, амортизатором, прижимом и держателем ножей. При подаче давления в пневмопривод толкатель начинает движение совместно с держателем ножей, ножами и прижимом. При опускании прижим прижимает выводы, амортизатор сжимается, а режущие ножи, продолжая движение вниз, производят обрезку рамки выводов и обрубку перемычек. 2 ил. Устройство работает следующим образом,При подаче давления в пневмопривод 7 толкатель 6 начинает движение совместно с закрепленными на...

Номер патента: 1716586

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Грушковик, Терегеря

МПК: H01R 13/62, H01R 23/00

Метки: выводов, интегральных, контактное, корпусах, нулевым, перпендикулярным, подключения, расположением, расчленения, сочленения, схем, усилием

...9 по направлению перемещения крышки больше толщины вывода ИС, Контактные элементы установлены в гнездах 6 с возможностью взаимодействия подвижными лепестками 4 со стенкой 12 паза 10, При этом ширина паза 10 больше суммы толщины вывода ИС и подвижного лепестка 4 с учетом отгиба 11.Устройство работает следующим образом.При повороте рычага 7 на угол 90 относительно исходного положения крышка 2 под воздействием кулачковой поверхности 8 рычага 7 перемещается по штифтам 3 вдоль их продольной оси. При этом выступающий подвижный лепесток 4 контактного элемента под воздействием стенки 12 перемещается на величину, превышающую толщину выводов ИС, что создает зазор между лепестками 4 и 5 контактных элементов, обеспечивая нулевое усилие...

Номер патента: 1718303

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Безрук, Благий, Новосядлый

МПК: H01L 23/28

Метки: больших, интегральных, корпус, пластмассовый, схем

...микротрещин в корпусе при термоциклировании, ф-лы, 2 ил,К тыльной стороне выводной рамки 1 приклеивают ободок 2, изготовленный из железоникелевого сплава и имеющий теп- СО локомпенсирующие условные прорези 3, (,) расположенные по периметру зоны монта- ) ка кристалла. Ободок имеет форму шестиугольника, большую ось которого при, приклейке ориентируют вдоль продольной оси выводной рамки, Угол шестиугольникапри вершинах, располокенных на продольной оси выводной рамки, выбирают равным 30 - 400 Для увеличения мощности рассеивания корпуса наружную сторону ободка выполняют с демпфирующей теплопроводящей пленкой из силицида титана, карбида кремния или меди, После насадки кристалла1718303 Составитель С.Манякинедактор И,Шулла Техред М.Моргентал...

Номер патента: 1725236

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Верлань, Максимович, Федорчук

МПК: G06G 7/38

Метки: вольтерра, интегральных, первого, решения, рода, уравнений

...Аттенюатор 2 построен на потенциометре 8 с гасящим резистором 9, последний необходимдля гашения паразитных колебаний за счет компенсации паразитной емкости потенциометра. Устройство работает следующим образом.По типу заданного ядра определяют количество блоков устройства и количество инерционных звеньев в каждом блоке и производят настройку параметров. В зависимости от положения переключателя 3 различают два режима работы устройства; "Имитация" и "Решение". На схеме переключатель 3 изображен в режиме "Решение", Устройство переводят в режим "Имитация", Настройку каждого вычислительного блока 1 производят автономно. На первом этапе на вход вычислительного блока 1 подают нулевой сигнал и устраняют дрейф нуля операционных усилителей,...

Номер патента: 1732397

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Комина, Свиноренко

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: интегральных, кассетная, контейнер, преимущественно, схем, транспортирования

...стоек, сводя их к стопе кассет 1.Высота стоек 3 - б такова, что при сведении их одна к другой стопка кассет не приподнимается, а из-за разницы в ширине ( и Ь поперечных пазов 12 и выступов 26 кассет 1 последние располагаются в пазах 12 с зазорами Ь 1 и Ь 2 Затем плиту 2 подают вперед до упора кассет 1 в буртики 22 стоек 5 и б. После чего опускают переднюю дверку 15 аналогично задней по выступам 13 стоек 3 и 4. Сборка контейнера закончена, При подъеме контейнера (вручную или автоматически) его нижняя кассета опирается выступами 26 на базовые поверхности опорных площадок 11 и удерживает всю стопу кассет 1.При использовании контейнера на ручных операциях дверки-шторки 15 и 16 служат и как фиксаторы стоек, и как ограничители от выпадания...

Номер патента: 1737465

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Безроднов, Кондратьев, Овчинников, Поваренкин, Щупаков

МПК: G06F 15/46

Метки: интегральных, схем, функционального

...запуском от ЭВМ 64, начало тестирования, с различными заданными значениями времени задержки входных сигналов и моментов регистрации отклика ИС относительно друг друга, с фиксацией результата в блоке 1. В этом режиме возможны следующие операции: контроль откликов, поступающих с выходов ИС, выполняется путем занесения данных с выходов ИС в блок 1 и последующим программным анализом правильности работы ИС либо сравнением отклика с эта лоном, записанным в блок 1 предварительно, и занесением результата в блок 1 и программным анализом результата сравнения на "0", Совмещенный контроль всей тестовой информации как передаваемой в ИС так и принимаемой от нее. В этом случае вся информация, подаваемая и принимаемая повторно записывается в блок 1,...

Номер патента: 1739316

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Исааков

МПК: G01R 27/28

Метки: измерительный, интегральных, сигналов, характеристик

...дополнения требуемого числа тактов, который в процессе работы перезаписывается автоматически.Режим измерения квазипиковых значений.В первом такте переключатели 1 - 4 переводятся в нижнее положение. При этом переключатель 1 подключает на первый вход блока 13 умножения напряжение входного сигнала 0(е), переключатель 3 подключает выход источника 9 опорного НаПРЯжЕНИЯ Ооп К ВХОДУ фОРМИРОВатЕЛЯ 10 модуля и далее на второй вход блока 13 умножения, На выходе последнего появляется напряжение Ому 1 = О(т)Ооп (1)которое поступает на вход квадратора 6, На выходе последнего образуется напряжение Окв 1 = 0(т)Ооп) (2)Это напряжение через переключатели 4 и 2 поступает на один из входов дифференциального интегратора 7 (предположим, на вход "+")....

Номер патента: 1739325

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Картамышев, Кленов, Котов, Нуров, Сидоренков

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, озу, статических, схем

...информативного параметра- тока утечки в общей шине питания - необходимо проводить в режиме хранения, когПо окончании перезаписи информации 5 из ИС 8 в блок 5 памяти по очередному сигналу с блока 7 управления производится снова включение генератора 2 тестовых воздействий, но в этом случае управляющие сигналы с генератора 2 тестовых воздейст вий создают режим считывания информации с блока 5 памяти и записи ее в контролируемую ИС 8 в инверсном виде. Инверсия сигналов осуществляется с помощью блока 6 инвертирования (для однода ток утечки проверяемой ИС обусловлен утечкой элементов запоминающей матрицы и не маскируется током потребления усилителей записи и считывания.Следующий сигнал, поступающий через 200 мкс с блока 7 управления на блок...

Номер патента: 1742636

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Холопов

МПК: G01J 5/50

Метки: заданной, излучения, интегральных, коэффициентов, отражения, полупрозрачных, пропускания, температуре

...измерении с помощью ФПС ЭЯ образца в различных условиях одновременного облучения обеих его сторон двумя черными телами, измерении ЭЯ черных тел и определении коэффициентов излучения,пропускания и отражения образца расчетным путем по результатам измерений, измеряют первую заданную (Т 1), вторую (Т 2) и третью (Тз) температуры чер-, ных тел, измеряют с помощью спектрально неселективной ФПС ЭЯ образца11) при облучении визируемой и обратной его сторон черными телами при первой температуре, одновременно с облучением виэируемой стороны образца черным телом при первой температуре облучают обратную сторону образца последовательно черными телами при второй и третьей температурах и измеряют соотвегствующие ЭЯ образца12 и ) 1 з), одновременно...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Номер патента: 1751704

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Терпигорев

МПК: G01R 31/28, G01R 31/318

Метки: интегральных, параметрического, схем

...12 и элементы Иносится к классу времязадающих микросхемНЕ 13 и 2 И-ИЛИ 23 являются элементами(аналоговые таймеры, одновибраторы), синхронизации работы устройства, функпредназначена для генерации импульсов ции управления отдельными блоками устили стабильных временных интервалов и, ройства, синхронизации работы этихкакправило.содержитдвавхода(запускаю блоков, обработки результатов контролящий и вход для подключения внешней вре- (сравнения с нормой, классификации, арифмязадающей цепи), выход и выводы дляметических и логических операций, преоб. подключения источника питания, разования кодов, запоминания результатов)ЦАП 1-Зсисточниками 4-6 напряжения выполняет внешняя ЭВМ, связанная с уст-,ив выходе лредствелвхтт собой лрограмми. родством...

Номер патента: 1753352

Опубликовано: 07.08.1992

Автор: Иванов

МПК: G01N 3/32

Метки: значений, интегральных, нагружении, напряженно-деформированного, параметров, состояния, тел, циклическом

...осущес вляется следующим образом.На поверхность исследуемого тела (ее участок) наклеиоают чувствительное к повторно-переменным деформациям покрытие из злектролитического металла, Тело с покрытием подвергают циклическому на гружению определенным, достаточно большим числом циклов нагружения. После этого, используя подходящий растооритель,снимают наработанное чувствительное покрытие с поверхности тела и наклеивают на 10 ровную плоскую поверхность предметного стекла, Чувстоительное покрытие на предметном стекле полируют, удаляя поверхностный слой на незначительную глубину; травлением выявляют микроструктуру и с 15 помощью оптического металлогрэфического микроскопа проводят количественную оценку изменений в ней, Перед микроскопическими...

Номер патента: 1758611

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Данилов, Лобанов, Пункевич

МПК: G01R 31/318

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...быть примерноравным половине длительности периодаопорной частоты, а значение максимальной задержки строб-импульсов навыходе блока 4 синхронизации должнобыть меньше на значение периода опорной частоты по сравнению с длительностью такта контроля. Блоки 8 и 9 памяти осуществляют временную привязку информации, поступающей с аналоговых компараторов 2 и 3, к строб-импульсу со сдвигом на три такта контроля. С целью обеспечения нормальной работы устройства следует учитывать это обстоятельство при составлении тестовой таблицы контроля, т.е, ожидаемая эталонная информация должна записываться в блок.5 тестовых воздействий со сдвигом на три такта, Информация с выходов 0-триггеров 12-15 поступает на входы решающего блока 17, который в случае либо...

Номер патента: 1762334

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Лысенко, Мардилович, Мухуров, Сидоренко

МПК: H01J 9/02

Метки: вакуумных, высокотемпературных, диэлектрических, интегральных, схем

...способные удерживать молекулярный СО 2,При добавках в З -ный раствор Н 2 С 20 менее 0,2 Н 2304 после отжига при Т1100 К диэлектрические детали содержат включения как щавелевой, так и серной кислот, При увеличении концентрации Н 2304 от 0,4% и вплоть до 4 о , можно добиться, что в решетку будут внедряться только ионы серной кислоты, Однако при таком содержании Н 2304 в электролите формируется оксид обладающий, особенно после отжига, очень низкими прочностными характеристиками (в связи с этим такой оксид совершенно не пригоден для изготовления диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС) и содержащий большое количество сорбированной воды. Только добавки Н 2304 в количестве 0,2 - 0,4% позволяют формировать диэлектрические...

Номер патента: 1762431

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Беляев, Израилев, Колесник, Савченко

МПК: H05K 13/02

Метки: загрузки, интегральных, кассеты, корпусов, оснований, преимущественно, схем

...кассеты, вдоль образующей имеет технологический выступ 25, необходимый в дальнейших технологических операциях и нарушающих равномерность расположения гнезд кассеты по окружности,Привод линейного перемещения каретки 17 состоит из шагового двигателя 26 (фиг.2), сообщающего ей возвратно-поступательное перемещение через муфту 27 и винтовую передачу 28. Исходные (конечные) положения каретки контролируются фото- датчиками 29, 30 при помощи флажка 31. На каретке.размещены флажки 32, 33 с лепестками по количеству гнезд вдоль образующей цилиндрической поверхности кассеты, 176243110 с ограничителем 40, установленным на каретке. Когда упор 39 совмещен с ограничителем 40, кассета, зафиксированная 15 взаимодействующие с фотодатчиком 34....

Номер патента: 1772772

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Гаврилов, Покровский

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, схем

...напряжении питания ниже критического ука 1772772занное условие соблюдаться не будет, Таким образом можно построить частотные характеристики (ЧХ) критических напряжений, Если в КМОП ИС утечки пренебрежимо малы, ЧХ будет падающей с уменьшением частоты. В противном случае ЧХ, начиная с некоторой частоты., выйдет на горизонтальный уровень, зависящий лишь от величины утечки, Обьясняетсл зто тем, что при снижении напряжения питанил, начиная с напряженил, зависящего только от величины утечки, а не от частоты, указанная утечка становится слишком сильной нагрузкой для МОП-транзистора с уменьшающимся током стока, вследствие чего транзистор перестает выполнять функции ключа,На чертеже приведена типовая зависимость ЧХ критического напряженил Екя...

Номер патента: 1775691

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Холопцев, Чубаров

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, микросхем, параметров, электрических

...напряжения 505, повторитель 6, выход которого подключенко входу блока задания масштабов 2, Блокзадания режимов с переключателями 8 и 9,первый реэистивный делитель напряжения10, первый вход которого соединен с источником опорного напряжения 4, второй егавход связан через переключатель 8 с выходом повторителя 6, э выход связан с первымвходам измерительного усилителя 1, второйрезистивный делитель напряхения 11, первый вход которого подключен к общей шине, второй вход связан с выходом измерительного усилителя 1, а выход связан свторым входом компаратора 3. при этомвторой вход измерительного усилителя 1чрез переключатель 9 блока задания режимов 7 соединен либо с входом повторителяб либо с вторым входом компаратора 3,Измерительный...

Номер патента: 1545864

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дорогутин, Ильинский, Славинский, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: интегральных, микросхем, многокристальных, сборки, свч-транзисторов

...ПТШ и СВЧмощных кремниевых транзисторов в плоские металлокерамические корпусы на модернизированном полуавтомате УВП. П,-ЗОО. Отличительная особенность сборки - распределение кристаллов и плат в соответствии со схемой, совмещение схемы с инструментом (вакуумной матрицей) и последующее перенесение схемы к подложке,Сборку СВЧ многокристальных транзисторов производят по схемам прямого и обратного монтажа. В первом случае производят сборку кремниевого транзистора, имеющего 24 кристалла толщиной 30 мкм. Перед разделением пластины на кристаллы на ее контактной поверхности создают гетерокомпозицию из слоев золота и германия, Затем пластину режут алмазной пилой и кассетируют отбракованные кристаллы. Кассету с кристаллами устанавливают в сборочный...

Номер патента: 1780869

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Афанасьев

МПК: B07C 5/28, B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...термодатчик16, барабан 15; измерительный бок 17 и .блок термонагревания 18, далее"ймеетсяприспособление 19 для сортировки и приема интегральных схем 3.Устройство работает следующим образом,В пейалы 2 загружаются йнтегральнь 1 есхемы 3. Пеналы устанавливаются вячейку 30магазина 1, Магазин подводит при помощипривода 4 на загрузочную позицию, которую:определяет датчик 5, ячейку"с заполненным пеналом, По направляющим 6, 11интегральная схема 3 подается на нижнюю 35заслонку 9 отсекателя 7. При помощи привода 10 отсекатель 7 совершает прямой ход,8 результате нижняя заслонка 9 открывается, э верхняя заслонка 9 прижимает следующую интегральную схему 3 к 40направляющей 11. Нижняя интегральнаясхема 3 освобождается и попадает в каналбарабана 15,...

Номер патента: 1780870

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Афанасьев

МПК: B07C 5/38, B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...состоящая из теплоизолирующего корпуса 7, в которомсмонтированы барабан 8 с направляющимипазамидля интегральных схем 3, которыйсопряжен с металлическим корпусом 9, имеющим винтовую канавку, которая служитдля разделения йнтегральных схем 3, барабан 8 снабжен приводом 10, измерительныйблок 11, находящийся под барабаном 8, на-.правляющие 12, термонагреватель 13 и терМодатчик 14, под камерой находитсяприспособление 15 для сортировки и приема интегральных схем 3.Устройство работает следующим образом.8 пеналы 2 загружаются ийтегральныесхемы 3. Пеналы устанавливаются в ячейку. магазина 1. Магазин подводит при помощипривода 4 на загрузочную позицию, кото: рую определяет датчик 5, ячейку с заполненным пеналом. По направляющим...

Номер патента: 1781733

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Жора, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, сборки, схем

...няют свои геометрические размеры, т.е. титана и никеля с.толщинамйсоответственимеетместоусад полимера. Этоприводит . но 100 - 300 А и 0,3 - 0,6 мкм с последующим к появлению внутренних напряжений в пол горячим облуживанйем, Это обеспечиваетимериыхэлементах, кихдеформациии, как ся тем, что, как показывают эксперименследствие, к смещению выводов гибких но- тальные данные, прочность паяных сителей. Смещение вызывает изменение га- микросоединений (30 - 65 г) оказывается баритно-присоединительных размеров изначительно большей прочности соединеухудшаетсовмещаемость выводов носителя 30 ний этих же выводов, полученных методом с контактными площадками при сборке и ультразвуковойсварки(5 - 25 г), Важнаотме. монтаже. В результате существенно...

Номер патента: 1783595

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ваганов, Пряхин

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

...стороне глубокого профилирования поверхности кристалла чувствительного элемента, расширяется диапазон линейного преобразования,На фиг. 1-5 изображена последовательность операций для изготовления интегральных механоэлектрических преобразователей.П р и м е р. Использованы полированные с двух сторон кремниевые пластины п-типа проводимости с ориентацией поверхности в плоскости (1 00) (КЭФ 4,5).1. Выращивают термический окисел 1 толщиной 0,7 мкм при 1200 С на двух сторонах пластины 2 в высокотемпературной печи марки СДП 125-4 А,2, Проводят фотолитографию, чтобы вскрыть окна 3 в двуокиси кремния в месте расположения внешних вь 1 водов,3, На установке УВПМ наносят слой плазмохимического нитрида кремния толщиной 0,15 мкм.4, Проводят...

Номер патента: 1787079

Опубликовано: 07.01.1993

Автор: Облогин

МПК: B23K 3/03

Метки: демонтажа, интегральных, микросхем, пайки

...вертикальном положении. Незначительный перекос или отклонение от.вертикальной оси вызывает стекание припоя и делает его неработопригодным. В труднодоступных местах изделия РЭП использование такого паяльника вообще исключается, Требующая замены в труднодоступ ном месте И М С вызы вает необходимость полной или частичной разборки изделия., Целью изобретения является расширение функциональных возможностей патения не ограничивается одним положением, и не исключает его использование в труднодоступных местах, не прибегая к Заявленная цель достигается заменой,используемой в качестве теплоносителя жидкой фазы, веществом передающим тепло и способным впитывать припой, Сочетанием таких свойств обладает смачиваемое припоем, капиллярно-пористое...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...