Патенты с меткой «интегральных»

Номер патента: 1795386

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Демочко, Мащенко, Рабодзей

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, испытаний, микросхем

...В свою очередь, щелочные свойства электролита приводят кразрушению (растворению) пленки А 20 з."0 При этом обнажается чистая поверхностьА, на которой облегчаются условия разряда+ионов Н, что приводит к резкому возрастанию тока через поверхностную пленку воды(как следует из проведенных эксперимен"5 тов, в 50-100 раз). Это сопровождается ростом тока потребления, в которомкомпонента тока становится преобладающей.Дальнейшее развитие коррозионногопроцесса описывается формулой:А ОН -+ А(ОН)з 1, (2)Гидроксид алюминия, выпадающий в.осадок, имеет рыхлую структуру, не препятствующую развитию коррозии, что приво 25 дит к разрушению металлизации.Следует отметить, что скорость процесса нейтрализации ионов водорода в прикатодной области, описываемого...

Номер патента: 1795527

Опубликовано: 15.02.1993

Автор: Добродеев

МПК: H01L 21/00

Метки: герметизации, интегральных, схем

...При ши рине пазов меньше 20 увеличивается ве-. роятность непопадания вывода в паз и его эакусывание; больше 30 ф 6 между пазом и выводом остаются зазоры, в которые вытекает пресс-композиция, образуя на выводах 15 трудно удалимцй облай, Указанные осо"енности предложения представляют собой его отличия от прототипа и обуславливают новизну предложения. Эти отличия являются сущсств".иными, поскольку именно они 20 обуславливают достижение положительного эффекта, отраженного в цели изобретения и отсутствуют в других известных технических решениях.На Фиг.1 показана формообразующая 25 полость ни.кней части пресс-формы, с уложенной в нее рамкой, и положение в пазе; на Фиг.2 - рабочая полость пресс-формы с рамкой в сом ну. ом виде и...

Номер патента: 1798743

Опубликовано: 28.02.1993

Автор: Козлов

МПК: G01R 31/28

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...импульсов), В качестве контактного блока 12 использовано стандартное подключающее устройство типа УК.Вычислительный блок 13 предназначен для долговременного. хранения информации -программы контроля в памяти ЭВМ 18, передачи этой информации через блок 17 согласования в блок 10 тестовых последовательностей, блок 11 синхронизации, блок 9 памяти. В качестве вычислительного блока 13 применен вычислительный комплекс Электроника МС 0102". Выходная шина 14 служит для подключения средств записи и хранения информации (на чертеже не показана). Работа устройства для контроля БИС по группе выводов происходит следующим образом.В контактный блок 12 помещается контролируемая БИС. Перед началом работы из вычислительного блока 13 осуществляется...

Номер патента: 1798939

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Иванов, Лазаренко, Лопатин, Сидоренко

МПК: H05K 1/18

Метки: dip, интегральных, контактное, корпусом, подключения, схем

...более 2:1, а другая часть пластины имеет площадь части, присоединяемой к гибкой пластике-держателю, большую не менее чем в 5 раз площади торца, контактирующего к выводу микросхемы, что повышает надежность контактирования, 2 ил,стягиваются, В собранном КУ с одной стороны диэлектрического основания (из трех пластин) размещаются части контактных элементов, которые контактируют к выводам микросхемы, с другой - части КЭ, которые подключаются к согласующему устройству, Контактные элементы могут быть подпружинены дополнительными плоскими пружинами, если необходимо увеличить силие и ижатия,у р1 В конкретном исполнении КУ гибкиеины контактных элементов выполнены али 65 Г толщиной 0,2 мм, шириной 1,9 закалены до 48 - 52 НРС. Контакты выены из...

Номер патента: 1499604

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газизов, Иванковский, Красин, Луцкий, Стасюк

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, многоуровневой, разводкой, рельефа, сглаживания, схем

...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1412533

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/82

Метки: делителей, интегральных, резистивных, резисторов

...в реакторе пониженного давления при 620 С осаждался слой поликремния толщинами 0,18 мкм; 0,23 мкм 0,3 мкм (три варианта), Поверх поли- кремния осаждался слой нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Методом фотогравировки и плазмохимического травления нитрид кремния удалялся с резистивных участков поликремния, причем нитрид оставался на будущих контактных участках. Методом фотогравировки, плазмохимического травления нитрида кремния и поликремния формировались резисторы делителя; формировалась фоторезистивная маска, защищающая краевые области резистивных участков поликремния и проводилось ионное легирование центральной незащищенной части резистивных участков фосфором энергией 100 кэВ и дозами 250 - 4 400 кмКл/см . После удаления...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1075852

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Куценко, Мухин, Таланцев

МПК: H01C 17/26

Метки: делитель, интегральных, резистивный, схем

...резистивных элементов. ние относится к электроннойет быть использовано в техн ления прецизионных поли- резисторов, в частности, делителей для интегральных кристаллического кремний с я тем, что, с цельювоспроизведения отнолений резисторов .в делития диапазонаивления в низкоомной он расположенными на изке под резистивными элех боковых сторон дополнми поликристаллическоге сопротивление которыпорядок, больше удельния резистивных элементо На чертеже схематично показан резистивный делитель для интегральных схем,вид сверху.Резистивный делитель содержит изолирующую подложку 1, покрытую слоем двуокиси кремния (не показана), на которойрасположен слой 2 поликристаллическогокремния толщиной 0,5 мкм, резистивныеэлементы 3, контактные элементы 4,...

Номер патента: 1808147

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Виноградов, Жуков, Зеленова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, монолитных, схем

...получаются загонкой бора при температуре 1000 С в течение 30 мин и последующей разгонкой при температуре 1200"С в течение 1,5 часов, Поверхностное сопротивление слоя 30 - 40 Ом/Д.Слой и-типа (7) получается эпитаксиальным осаждением кремния, легированного фосфором, на подложку (3) с диффузионными слоями (1,2,3,4.5,6), Удельное сопротивление слоя (7) 0,7-1,0 Ом см, толщина 6-8 мкм,В эпитаксиальном слое (7) над областями (1), (4) и. (5) создаются области р-типа (8), (9) и (10), а также область (11) ионным легированием бором с дозой 0.5-1,0 мкК /см и2 энергией 100 кэВ, Затем проводится отжиг при температуре 1200 С в течение 2 часов в сухом кислороде, В процессе отжига происходит встречная диффузия бора из погруженных р областей (1), (4), (5)...

Номер патента: 1809398

Опубликовано: 15.04.1993

Автор: Козлов

МПК: G01R 31/28

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...контроля.Вычислительный блок 24 служит для долговременного хранения информации - программ контроля в ОЗУ ЭВМ 26, передачи этой информации через блок 25 согласования (интерфейс) в блок 20 тестовых последовательностей, блок 21 синхронизации, а также для обработки результата контроля, поступающего с выхода блока 22 памяти. В качестве вычислительного блока 24 применен вычислительный комплекс "Электроника МС 0102",Работа устройства при контроле БИС по одному выводу происходит следующим образом,В контактный блок 18 помещается контролируемая БИС. Перед началом работы из вычислительного блока 24 производится запись информации в блок 20 тестовых последовательностей и в блок 21 синхронизации. В блок 21 синхронизации заносится информация о...

Номер патента: 1812646

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Нестеренко, Серянов, Таушканов

МПК: H05K 3/22

Метки: гибридных, защитных, интегральных, лазерно-электрохимической, плат, покрытий, реставрации, схем

...можно оценить по величине коэффициента лазерного ускорения Ку злектрохимической реакции, представляющего собой отношение "лазерной" плотности тока осаждения металла к "темновой", Из хода кривой 1140 45 50 5 10 15 20 25 30 Ку-Е можно заключить, что наибольшая эффективность лазерного электроосаждения золота с использованием заявленного устройства наблюдается при потенциале Е= -0,89 В второго локального максимума КУ=151 кривой Ку-Е при скорости "лазерного" осаждения золота 12,12, мкм/мин и "темнового" осаждения золота 0,08 мкм/мин, (Первый локальный максимум Ку=195 на кривой 1 И отвечает режиму селективного осаждения золота. непригодному для реставрации ГИС из-за слишком малой скорости "лазерного" осаждения, составляющей 0,078...

Номер патента: 1671070

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Огурцов, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...повреждения транзистора при использовании -обработки, так как одной из причин выхода транзистора из строя является появление последова" тельного сопротивления из-за компен сации кремния радиационными дефектами в коллекторной области.В предлагаемом способе стабилизирующий отжиг преДлагается проводить при 180-220 С. Температура (220 С) 11 ОУОна верхнем пределе опведепф на экспериментально и соответств,ет началустадии отжита радиационных дефектов,5которые ответственны за бысгруюкомпонентуизменения Ьг 1 прп попивг,зирующем излучении, те 1 пн ературы ниже180 С не обЕспечивают стабилиэацййпараметров схемы, Так как и ряде случаев после изготовления кристалловИС их необходимо нагревать лс ЗОО 350 С (например, при посадке крнсталлов в корпус на...

Номер патента: 1824354

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Макаренко

МПК: B65B 35/56

Метки: интегральных, кассету, перегрузки, схем, штампа

...устройства для того, чтобы обеспечить их сопряжение с ребрами установленной кассеты (фиг, 3) с последующим размещением в ней выводов ИС 9, Позицией 10 вынесен шарнир накопителя-кантователя 3.Работа устройства осуществляется следующим образом.ИС 9 после выхода иэ комбинированного штампа, производящего вырубку выводной рамки и гибку выводов, поступают в распределитель 1, причем выводы ИС ориентированы вверх. Каждая ИС перемещает 1824354ся по определенному каналу между двумя соседними перегородками 2 распределителя 1, Движение ИС происходит под действием собственного веса. т,к. устройство для перегрузки расположено наклонно. Количе ство каналов распределителя 1 соответствует или кратно количеству каналов в кассете 7. Т.к. перегородки 4...

Номер патента: 1824678

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Кобяков, Шолков

МПК: H05K 1/11

Метки: интегральных, контактное, микросхем

...пазов 12 должно быть равно числу выводов 13 микросхемы 14, а расположение таким, что при установке ИМС в ложе 15 обоймы 8 каждый вывод микросхемы попадает в паэ (фиг,З). При этом ИМС становится очень точно сориентирована относительно обоймы, а ее корпус и гибкие выводы - менее восприимчивыми к механическим повреждениям.Фиксирующие штыри 11 (достаточно двух) располагаются так, что при установке обоймы 8 с ИМС 14 на плату 7 попадают в перехОдные (или специальные) отверстия 16 платы 7 и располагают обойму 8 с микросхемой 14 таким образом, что выводы 13 мик росхемы точно попадают на ламет 17 платы 7, что значительно упрощает процесс установки ИМС на плату. Подключение микросхемы осуществляется следующим образом Контактное устройство по...

Номер патента: 865053

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/335

Метки: интегральных, мдп-транзисторов

...с удельным сопротивлением 7,5 Ом см. На подложку осаждают за счет реакции дихлорсилана саммиаком в среде азота нитрид кремния толщиной 700 А при температуре 710 С.фотолитографией формируют фоторезистивную маску и на установке "Плазма 600 Т" вытравливают нитрид кремния и кремний на глубину 0,35 мкм. В открытые участки поверхности подложки проводят ионную имплантацию бора с энергией 80 кэ 8 и дозой 2 мК /см. В результате на этих участках формируются р -области, препятствующие образованию инверсионных каналов между диффузионными шинами. Тем самым увеличивается пороговое напряжение паразитного транзистора.После снятия фоторезиста и отмывки в перекисно-аммиачной смеси (10:1) проводят окисления при температуре 1050 С в течение 120 мин в среде...

Номер патента: 1827652

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Козлов, Кураченко, Наумов, Прохоренко, Чуварыгин

МПК: G01R 31/28

Метки: бесконтактного, диагностирования, интегральных, логических, состояний, схем, цифровых

...проводились с использованием осциллографа С 1-99 с коаксильным кабелем РКи выходным сопротивлением 1 мОм. Эпюры напряжений, снятых с осциллографа приведены на фотографии (фиг. 8), где развертка А - соответствует импульсу на выводе элемента 2 ИНЕ, развертка Б - сигнал, снимаемый с датчика,Выбор датчика, состоящего из 3-х витков объясняется компромиссом между сложностью конструкции датчика и собственной резонансной частотой контура, т.к. увеличение числа витков приводит к увеличению Ь, росту Ск и, следовательно, к уменьшению резонансной частоты 1 рез и снижению требований к широкополосности и быстродействию последующих устройств. Переколебательный процесс контура ударного возбуждения при необходимости можно демпфировать, введением...

Номер патента: 1828557

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Абдуллин, Агафонов, Зарицкий, Кощиенко, Тукмачев, Чигонин

МПК: H01B 1/02

Метки: золочения, интегральных, композиция, корпусов, металлических, поверхностей, схем

...кремниевого кристалла к.золотому покрытию до 1,4-2,4 кГс, величина адгезии"5 проволочных выводов соствляет 1-2 г, процент образования эвтектики находится впределах 10 - 21, Выход годных не превышает 52.При содержании этилцеллюлозы более2,63 мас.увеличивается вязкость композиции, при этом величина эдгезии к золотому покрытию поверхности корпуса ИСпроволочных выводов составляет 1 - 2 г, усилие сдвига кристалла кремния 1,8-2,2 кГс,25 качество монтака кристалла кремния попроценту образования эвтектики 34 - 52%,Процент выхода годных не превышает 51.При содержании дибутилфталата менее9,6 мас,0 ухудшается растекаемасть компо 30 зиции по поверхности корпуса ИС, снижается величина адгезии проволочных выводовдо 1-2 г, усилие сдвига кристалла...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Номер патента: 1830555

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Газаров, Гвоздев, Кузаев, Подковырин, Чохонолидзе

МПК: H01J 29/00, H03B 7/14

Метки: генератор, интегральных, объемных, схем

...основной ток протекает по внутреннему краю круглых отверстий 5, то потери в резонаторе практически равны потерям в диэлектрике (О 10"). Потери за счет других типов волн исключаются, благодаря выбору запредельных пазмеров слоев диэлектрика б (б Й/2 Ч) и введению поглощающих пленок 7 на внешние стороны металлических слоев 4. Экспериментально получено, что улучшение самофильтрации резонатора 3 достигается при смещении соседних центров круглых отверстий на величину не бол ее 0,14,/1 Я. Рост числа активных элементов 10, включенных в щелевые шлейфы 8 позволяет увеличить выходную мощность генератора, Потери на излучение исключаются благодаря введению со стороны крайних металлических слоев экранов либо . параметры крайнего слоя диэлектрика...

Номер патента: 1838796

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Гаськов, Гирлин

МПК: G01R 31/28, G01R 31/318

Метки: больших, интегральных, схем, функционального

...происходит сравнение выходного сигнала с микросхемы с логическими уровнями "1" и "О". задаваемыми источниками 21, 22 опорных напряжений, Сравнение сигнала проверяемой микросхемы с опорным уровнем осуществляется в момент прихода сигнала стробирования компаратора с управляющих входов 24 (фиг, 2, в) или 25 (фиг. 2, г),Пусть п-й импульс синхронизации установил счетный триггер 18 в состояние, когда на прямом выходе счетного триггера 18 устанавливается нуль, а на инверсном - единица (фиг, 2, д, е). При этом и-й импульс синхронизации, проходя через элемент И 19, формирует импульсы сброса элементов памяти 10, 12, устанавливая на их выходе состояние "ГОДЕН" (логическая "1" на выходе элемента памяти) (фиг, 2, з), Задержанный элементом...

Номер патента: 1431619

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/8238

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 2002340

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Сероусов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, структур, схем, элементов

...диоксида кремния толщиной, большей45 глубины рельефа, соединение подложекмежду собой, термическую обработку поддавлением и вскрытие областей монокристаллического кремния, после формирования слоя поликристаллического кремния50 толщиной на 5-100% больше глубины рельефа на соединяемые стороны наносят соединительный слой толщиной 5-95% отглубины рельефа подложки, следующего состава, мас,%:55 Оксид бора 3-5,Спирт 97-95а термообработку проводят в азотной средес расходом азота(5,6-83) х 10 м Ус,Применение раствора оксида бора указанного состава в качестве основы соедини 2002340тельного слоя позволяет избежать высокоточной полировки кремниевых пластин, необходимости удалять наружный слой полировки и фаску, образующуюсяпри полировке по...

Номер патента: 2002341

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Сероусов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, структур, схем, элементов

...счет продуктов газовыделения и, следовательно выхода годных структур.В предлагаемом способе получения структур для интегральных схем с диэлектрической изоляцией элементов, включающем механическую обработку подложек кремния, формирование на поверхности монокристаллической подложки рельефа с углублениями и скрытого слоя, формированиеслоя диоксида кремния толщиной, большей глубины рельефа, соединение подложек между собой, термообработку под давлением и вскрытие областей монокристаллического кремния, после формирования слоя поликристаллического кремния на соединяемые стороны наносят дополнительный слой диоксида кремния и соединительный слой толщиной 5-95,4 от глубины рельефа подложки следующего состава, мас,Д:Оксид бора 3-5Порошок...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...

Номер патента: 667011

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Черный

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, схем

...пленки. разде-.., ных областей.:.:.:. ;-, . лительных канавок, прй:этом проиеходитДля точного определения момента.", йолная электрическая изоляция -Структур.окончания сошлифовки монокристалла на .,;Таким образом, глубина изолированных об: . фоторезисторной маске располагают окна .:;: ластей монокристалла определяется глуби- "под контрольные углублениятакой формы и З 0ной вытравлейного рельефа и не зависит отразмеров,:чтобы йри .травлении раздели- ": прогиба подложки.На:поверхности.вскры-тельныхканалов на заданную глубйну конт- :, :. той пластины: находятся изолированнйе об-.рольные углубления изготавливалйсь на , ласти, разделенвые промежутками окйсла,.номинальнуа глубину зз 4 егания.монокри : который образовался:при:окислении...