Патенты с меткой «интегральных»

Номер патента: 1697410

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Батог, Волошкин, Воронин, Петько, Савенко, Харахаш, Шологон

МПК: C08K 13/02, C08L 63/00, C08L 63/04 ...

Метки: герметизации, интегральных, композиция, микросхем

КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающая эпоксиноволачную смолу, диглицидиловый эфир фенола, отвердитель, кремнийорганический модификатор, ускоритель, антиадгезионную добавку и наполнитель, отличающийся тем, что, с целью повышения физико-механических и диэлектрических показателей и технологических свойств, она в качестве диглицидилового эфира фенола содержит диглицидиловый эфир тетрабромдифенилолпропана, в качестве кремнийорганического модификатора содержит 1,1,1,2,3,4,4,4-октаметил-2,3-бис-( 3 , 4 эпоксициклогексан)-тетрасилоксан, в качестве отвердителя новолачную фенолформальдегидную...

Номер патента: 1664082

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Малинова, Махаев, Ожерельева

МПК: H01L 21/68

Метки: выводов, интегральных, корпусах, микросхем, периметру, плоских, расположением, спутник-носитель

...длякорпуса ИМ С с площадкой 11.Эксплуатация спутника-носителя происходит следующим образом,Корпус ИМС укладывается в окно 4 основания 1 в соответствии с ГОСТ 20,39.40584 крышкой корпуса прибора вниз, ВыводыИМС попадают в пазы 3 опорных площадок2, Окно 4 и пазы 3 предохраняют ИМС отперемещения в горизонтальной плоскости,. Затем сверху накладывают крышку 5 площадкой 11, которая прилегает к дну корпусаприбора и предохраняет ИМС от вертикальных перемещений и защищает ИМС от случайных механических воздействий в местеустановки кристалла, Фигурные прижимы 8при закрытии крышки 5 взаимодействуют свыводами ИМС и прижимают их к опорным Формула изобретенияСПУТНИК-НОСИТЕЛ Ь ДЛЯ И НТЕ ГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ С РАСПОЛОЖЕНИЕМ ВЫВОДОВ ПО...

Номер патента: 1780458

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Кипарисов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлических, многослойных, осаждения, покрытий, селективного, схем

СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ на полупроводниковых пластинах из материалов группы AIII BIV, включающий химическую чистку и обработку пластин, нанесение на лицевую поверхность фоторезиста, формирование путем фотолитографии контактной маски, последовательное осаждение на вскрытый рисунок интегральных схем многослойной композиции металлов из водного раствора, содержащего палладий, и слоя золота, удаление маски, отличающийся тем, что с целью обеспечения качества металлизации рисунка с минимальными размерами элементов порядка микрона и увеличения толщины слоев, первый слой многослойной композиции выполнен из аморфного сплава...

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...

Номер патента: 1780469

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Крячков, Куваев, Носухин, Царева

МПК: H01L 23/18

Метки: герметизации, интегральных, пластмасса, полупроводниковых, приборов, схем, термореактивная

ТЕРМОРЕАКТИВНАЯ ПЛАСТМАССА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающая эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и кварцевый песок в качестве наполнителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения теплопроводности и электросопротивления, наполнитель дополнительно содержит порошок синтетического алмаза при следующем соотношении компонентов, об. ч.Кварцевый песок 5Алмазный порошок 1 106при этом кварцевый песок и алмазный порошок равномерно распределены по объему пластмассы, а объем наполнителя в пластмассе составляет 20 80% ее объема.

Номер патента: 1695781

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Новотный, Орлов, Савинов

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: выводами, выводной, интегральных, кассета, корпусов, микросхем, планарными, плоских, преимущественно, рамкой

КАССЕТА ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ПЛОСКИХ КОРПУСОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПЛАНАРНЫМИ ВЫВОДАМИ И С ВЫВОДНОЙ РАМКОЙ, выполненная в виде ленты из термостойкого пружинящего материала с кадровой перфорацией вдоль ленты с окнами для корпусов микросхем и средствами фиксации выводов, отличающаяся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, средства фиксации выводов интегральных микросхем выполнены в виде сквозных пазов, расположенных по бокам окон для корпусов микросхем вдоль ленты на расстоянии от окон, выбранном из соотношения C (0,2 0,5) a, где a ширина паза для выводов, мм.

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1589932

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/306

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...

Номер патента: 1549386

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Жуков, Смолин

МПК: H01C 17/22

Метки: величины, гибридных, интегральных, микросхем, пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления

СПОСОБ ПОДГОНКИ ВЕЛИЧИНЫ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, включающий формирование в резистивном элементе пленочного резистора областей повышенной проводимости с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления путем термообработки резистивного элемента лучом лазера с одновременным контролем величины сопротивления, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности рассеивания резистора, области повышенной проводимости формируют вдоль боковых кромок резистивного элемента, причем ширину области повышенной проводимости формируют не превышающей 0,25 ширины резистивного элемента, а заданную величину удельного поверхностного сопротивления области повышенной проводимости определяют следующим...

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1581142

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...

Номер патента: 1628838

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Космодемьянская, Шурова

МПК: H05K 3/26

Метки: гибридных, интегральных, микросхем, подложек

...воздухом. Далее подложкипоступают на визуальный контроль качества очистки. Показатели качества очисткиприведены в таблице,15 Как следует из таблицы, состав обеспечивает качественную очистку подложек гибридных микросхем от канифольного флюсав процессе монтажа. Отклонение значенийсопротивлений резисторов после очистки от2 первоначальных составляет +0,6. Повышается стабильность процесса УЗ-сварки,увеличивается прочность сварного соединения. Отсутствуют механические нарушенияповерхности (изолирующей, проводниковой, резистивной). Выход годных увеличивается до 100,1628838 Продолжение таблицы Выход годных,Способность к Качество очиПример разварке стки Канифоль флюс не обнаружен0,016 2 3 4 5 6 7 100 100 100 100 100 71 6,5-8,0 6,5-8,5 6,5-9,5...

Номер патента: 1195862

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над...

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...

Номер патента: 824824

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: изоляцией, интегральных, комбинированной, конструкция, схем

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...

Номер патента: 705934

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сергеев, Стадник, Шварц

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si*), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Si* диэлектрической пленкой, которая не травится в травителях два SiO2 и Si3N4, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 1135378

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярных, интегральных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 952051

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Ишков, Кокин, Лукасевич, Манжа, Сулимин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легированной пленки кремния, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных интегральных схем и повышения их надежности, после создания базовых областей формируют дополнительное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для пленки кремния, а обтравливание легированной пленки кремния осуществляют при формировании металлизации.

Номер патента: 1340500

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Зайдлин, Манжа, Фишель

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и в исходной подложке канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение двуокиси кремния, удаление двуокиси кремния с изолирующих областей и частично с канавок, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления изоляции элементов за счет снижения требований к профилю канавок и повышения выхода годных интегральных схем путем устранения пустот в канавках, осаждение двуокиси...

Номер патента: 1797407

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементные, соединения, схем

...0,3 мкм.Содержание фосфора в ФСС, определенное при помощи рентгенофлуоресцентного анализа, составляло 3,5 мас,. Псаждение плазмохимического нитрида кремния осуще ствлялось на установке Ладас горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками при температуре 300+3 С и вводом мощности сзади при частоте 40 кГц, Плотность мощности при осаждении составила 50 мВт/см, суммарный поток газовой смеси не превышал 2500 см /мин. Использовалась следующая парогазовая смесь: 31 Н 4-КНз-й 2. Давление 110-130 Па. Межэлементные соединения согласно прототипу реализовали при помощи литографии и сухого травления двухслойной структуры для формирования областей для присоединения выводов. Предлагаемые межэлементные соединения интегральных схем реализовали...

Номер патента: 1371445

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, транзисторов

...250-300 нм. Осаждают первый слой поликремния толщиной 300 нм, маскируют его нитридом кремния толщиной 100- 150 нм и под защитой фоторезистора в Я зй 4 вскрывают окна о местах комбинированной изоляции и осуществляют селективное окисление первого слоя голикремния при Т = 1123 К и Р = 10 атм. Удаляют нитрид крем ния, ионным легированием вводят бор с Е = =60 кэВ и О = 3,7510 сгл о первый слой13 -2поликремния и осаждают окисел кремния толщиной 500 нм. Под защитой фоторезистд плазмохимическим травлением удаляют окисел кремния и первый слой поликремния и осаждают окисел кремния иэ паров дихлорсилана и закиси азота при Т = 1123 К прн пониженном давлении, толщиной 500 нм, Далее ионно-реактивным травлением удаляют окисел кремния со дна...

Номер патента: 1805793

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, создания, структур

...поверхности кремния продуктами реакции обеспечивается 20-40-ным содержанием гексафторида серы в травящей смеси.4045 5055 обработку структур при температуре 510 Св среде азота в течение 15 мин.Использование предлагаемого способасоздания интегральных структур позволитувеличить коэффициент усиления по току биполярных транзисторов в 1,5 - 2 раза, снизить величины контактного сопротивления к эмиттерным областям на 30 - 50, контактного сопротивления к базовым областям в 1,3-2 раза (при температуре - 60 С - в 5 - 8 раз), уменьшить ток утечки обратной ветвидиодов Шоттки в 3 - 4 раза при коэффициенте неидеальности 1,03 - 1,04. Улучшение данНых параметров интегральных структур позволяет исключить отказы по статическим и динамическим...

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...

Номер патента: 1834588

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Берестенко, Боков, Буравцев, Можаров, Мшенская, Сатаров, Шевченко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, микросхем, рельефа, формирования

...ф 10 кл/смприводит к тому, что резист не сшивается,а края рисунка расплываются, что существенно повышает дефектность.Экспонирование дозой более 5 ф 102кл/см может привести к полимеризациипленки резиста, которая является маской дляплазмополимеризованного слоя, что такжеповышает дефектность.Реактивно-ионное травление плазмополимеризованного стирола проводят при давлении не более 10 Па и удельной мощности2,5 - 3 Вт/см,Травление плазмополимеризованного стирола при давлении более 10 Па ведет кувеличению остаточных частиц в объеме и,к уменьшению длины их свободного пробега,а значит эти частицы имеют возможностьчаще сталкиваться с рабочей поверхностьюподложки и могут быть захвачены, ею, чтоповышает привносимую дефектность,Травление при...

Номер патента: 1814434

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бычок, Макарова, Нижникова, Становский, Терехов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

...контактных окон. Использование в качестве плазмообразующего газа СНРз или СР 4 + Н 2 порождает трудности, связанные с низкой скоростью травления диэлектрика и наличием полимерной пленки на дне контактного окна, Нижняя граница времени травления выбрана с учетом необходимости вытравливания максимальной толщины межуровневого диэлектрика. Верхняя граница выбрана с целью предотвращения образования полимерной пленки на дне контактного окна. Экспериментально установлено, что при перетраве диэлектрика, находящегося на поверхности пленки на основе алюминия, в1814434 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ течение времени более 75;4 от времени травления пленки происходит образование полимера на дне контактных окон, для удаления которого требуются спецобработки. Выбор...

Номер патента: 1799203

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Буляк, Довнар, Кастрицкий, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем

...перекрыло покрытие из ФСС на 0,1-6,0 мкм.Приборы собирали в пластмассовые корпуса и проводили ускоренные испытания попарно 8 групп по 15 приборов на безотказность (при температуре 120 С, влажности 950 ). На специальных тестовых структурах методом поляризационного сопротивления системы электрод - раствор определялась скорость коррозии межэлементных соединений,Испытательной средой служил раствор ортофосфорной кислоты. Дополнительно провели сравнительные испытания пластин со сформированным защитным покрытием (16 групп пластин по 5 шт.) путем обработки в автоклаве под давлением 1,2 атм при повышенной температуре и влажности, Контроль на наличие следов коррозии проводили при помощи микроскопа 1 епа(ееЬ.Рассчитывалось отношение скорости...