Способ изготовления контактов интегральных схем

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Корешков, Шикуло

МПК: H01L 21/302

Метки: интегральных, контактных, окон, схемах, формирования

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Номер патента: 741093

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Дрозд, Матлин

МПК: G01N 3/00

Метки: двух, жесткости, контактной, коэффициента, нормальной, поверхностей, стыке

...нормальной контактной жест кости в стыке двух поверхностей деталей, заключающийся в том, что поверхности 2 о деталей с определенными геометрическими параметрами шероховатости и упругими константами материалов контактирукицих деталей прижимают одна к другой заданной 2 силой, нормальной к плоскости стыка деталей и определяют величину сближения в контакте двух деталей в режиме властической деформации и коэффщиэнт нормальной контактной жесткости 21,Недостатком ьзвестных способов является низкая точность определения, обуоловленная отсутствием определения пластической твердости, позволяющей одновременно учитывать упругую и остаточную части полного сближения при контакте двух поверхностей деталей, что особенно важно ча ранней старил...

Номер патента: 1624549

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Агейкин, Вьюков, Габович, Гасанов, Ищук, Карабанов, Колочко, Полозов, Проценко, Романюк, Соломатин, Шрайнер

МПК: H01H 11/04

Метки: герметизированных, контакт-деталей, контактного, контактов, магнитоуправляемых, покрытия

...герметизированных контактов путем предварительной очистки контактной поверхности и ионной обработки,о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и увеличения срока службы магнитоуправляемых контактов за счет стабилизации величины переходного сопротивления и экономии благородных метамов за счет замедления процесса эрозии приповерхностных слоев подложек контакт- деталей из магнитомягкого материала, ионную обработку производят имплантацией в указанные подложки ионов азота св энеугией 10 - 2 10 эв и дозой 10 - 10 см 30 35 40 45 Составитель Е.СафоноваРедактор Л.ВеселовскаяТехред М.Моргентал Корректор И.Муска Заказ 195 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 1176774

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Венков, Манжа, Патюков, Шурчков

МПК: H01L 21/18

Метки: диффузионных, контактов, ним, областей, формирования

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных областей и повышения процента выхода годных структур, после осаждения первого слоя поликремния легируют его примесью типа, противоположного типу проводимости подложки, после вскрытия окон в поликремнии и диэлектрике подтравливают диэлектрическую пленку под поликремнием, а термообработку проводят с...

Номер патента: 594838

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Болдырев, Гайдук, Малейко, Савотин, Степанов

МПК: H01L 21/8222

Метки: интегральной, схемы

...сформированными областями скрытого слоя, разделения, глубокого подлегирования коллекторных контактов и ниэкоомной области базовых контактов транзистора с одновременно изготовленным твердотельным резистором; на фиг.2 - структура пластины со сформированными слоями активной базы и эмиттера транзистора; на Фиг.3- структура пласт 1 пщ со вскрытыми контактами к областям транзистора и резистора и сформированными металлическили электродами.П р и м е р. На кремниевой пластине, состоящей из подложки 1, скрытого слоя 2 и эпитаксиальной пленки 3 соответствунией требованиям ЕТО.035.058.ТУ, термическим окислением выращивают пленку двуокиси кремния (Б 10 1 толщиной 0,35 мкм. Методом фотолитографии вытравливают в Б 10 . дорожки разделяющие компоненты...