Патенты с меткой «интегральных»

Номер патента: 1627826

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Ворожбитов, Зиновьев, Песков, Юрмашева

МПК: G01B 7/18

Метки: интегральных, мостов, настройки, тензометрических

...тензорезпсторов до величины отрицательных зцлченцй и практически полного сохранения ТКС у за 1 щеных тецзорезисторов на прежнем уровне от окисления в кислородной плазме тензомоста заключается в следующем.При большой мощности окислительных процессов образование оксидных пленок происходит как ца поверхности тензорезисторл, так и внутри по границам зерен, из которых состоит тело тенэорезисторл. В результате в незащищенных тензорезисторах после окисления перенос зарядов всуеествляется наряду с обычным характерным для металлов переносом внутри зерен, еще ц через узкие окцсные (диэлектрические) зазоры между зернами, Механизмами, ответственньми за перенос заряда, являются термоэлектроцнля эмиссия и туннелировлние. Переход электронов...

Номер патента: 1628236

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Кабзималян, Кочарян, Нерсесян, Петросян, Элбакян

МПК: H05K 1/11

Метки: больших, интегральных, подключения, соединитель, схем

...8-образных пружинных элементов 4зафиксированы в пазах изолирующей накладки 3, которая жестко прикреплена ккрышке-радиатору 5, и крепятся к корпусустойками с ограничительными буртиками 9,не допускающими выхода вертикальной части Я-образных пружинных элементов 4 из отверстий изолирующей накладки 2, т.е, не допуская рассыпания соединителя. Стойки с ограничительными буртиками 9 одновременно являются технологическими для среза и доводки вертикальной части Б-образных пружинных элементов 4 в оазмер, определяемый ходом соединителя для подключения БИС к ПП с помощью технологических шайб (см.фиг.4).Расположение, конструкция и фиксация Б-образных пружинных элементов 4 исключает возможность их соприкосновения друг с другом или радиатором 1, повышая...

Номер патента: 1629746

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Иванов, Иванова

МПК: G01B 7/18

Метки: значений, интегральных, напряженно-деформационного, параметров, состояния, тел

...малая степень наработки - доля площадки, занимаемая растущими зернами на шлифе, Адц менее 0,2; средняя степень наработки 0,2Ад0,8; большая степень наработки 0,8АА1,0; избыточная наработка - изменена вся микроструктура,Чувствительное покрытие с таким образом выявленной и предварительно оцененной микроструктурой помещают в раствор электролита, например 0,1 моль/л раствора серной кислоты. Через фиксированный промежуток времени, например 60 с, по известной методике с использованием высокоомного цифрового вольтметра измеряют разность электродных потенциалов между чувствительным покрытием и электродом сравнения, в качестве которого используют, например, стеклянный электрод, что позволяет производить определения с точностью до 0,5 мВ и...

Номер патента: 1632666

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Облогин

МПК: B23K 3/02

Метки: интегральных, микросхем, паяльник

...а другая, закрываемая крышкой-экраном 5 с прокладкой 7 (нижняя), - гнездом для нагревательного элемента. Прокладка 7, изготовленная из жаропрочного материала с отверстиями для монтажа и под выводы нагревательного элемента; служит теплоизолятором, фиксирует и защищает от воздействия внешней среды нагреватель. Крышка-экран 5 с отверстиями удерживает прокладку 7 и рассеивает избыточное тепло. Изготовленный из фторопласта кронштейн 6 опирается пазами на токонесущие направляющие 2 и удерживает секцию в рабочем положении. Кронштейн 6 своим пазом устанавливается на токонесущие направляющие 2, под которые заводятся токосъемные колеса 8, выполненные с ручкой 1 как одна деталь и установленные на полуоси 9, соединенные втулкой-изолятором 10....

Номер патента: 1640660

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Воинов, Кураченко

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, кмоп, надежности, отбраковки, схем, уровням

...у и нижней границе ее изменения РуИзвестно, что при проведении испытаний по биноминальной схеме при отсутствии отказов в процессе испытанийРу=(1 -у)" (3) где и - минимальное количество испытаний.Для определения количества минимально необходимых испытаний положим РуРтр,При этом условии соотношение (3) принимает видР,р (1 -у)(4)Логарифмируя неравенство (4), получим(5)Ограничиваясь минимальным значением и, получимп и (6)откуда и следует формула изобретения, На чертеже показана схема реализации способа.На схеме обозначены источник 1 питания, переменный резистор 2 нагрузки, испытуемая микросхема 3, блок 4 функционально-параметрического контроля, например стенд контроля интегральных схем "Повод".Напряжение питания с источника 1 подается на...

Номер патента: 1646645

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Кочетов, Махаев

МПК: B21D 28/14, B21D 43/00

Метки: вырубки, интегральных, спутники, схем, укладки, штамп

...фиксируемый относительно матрицы 2 ловителем 17, закрепленным на неподвижной плите 13. Позицией 18 обозначен технологический облой, остающийся после вырубки ИС.Штамп работает следующим образом.Рамка с невырубленной ИС 15 подается на матрицу 2 карусельным механизмом 16. Одновременно по каналу 3 для подачи спутников 4 под матрицу 2 подается пустой спутник 4. После этого включают привод 6 штампа, под действием которого подвижная плита 7 с пуансоном 1 переносится вниз, при этом карусельный механизм 16 фиксируется на ловителе 17. Одновременно с этим фиксатор 5 движется навстречу пуансону 1, Зажимные губки 11 и 12 входят в окно спутника 4 и осуществляют его точную ориентацию относительно вырубаемой ИС 15,При дальнейшем перемещении фиксатора...

Номер патента: 1647478

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Августимов, Биднык, Ильюк, Казинов, Матюшин, Остапчук, Пенцак, Саваневский

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, испытания, стабильности, схем

...типичные зависимости пробивного напряжения сток-истоковых областей в первоначальный момент (а) и в конце выдержки (б),Режим задания стабильного тока с устанавливается больше ко, где ко - канальный ток при температуре выдержки между стоком и истоком (фиг,З), В случае, если задаваемый стабильный ток будет менее Ьо, МДП-структура будет выдерживаться при низкой напряженности поля, связанной с приложением к сток-истоковым электродам напряжения менее О (фиг,З), что затруднит активацию зарядовых состояний,Учитывая, что в процессе выдержки канальный ток может возрастать, уровень стабильного задаваемого тока устанавливают больше канального тока при температуре выдержки, но меньше тока начала тепло 5 10 15 20 9 25 ЗО 35 40 45 50 вого...

Номер патента: 1647569

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Аленин, Савкина, Яковлев

МПК: G06F 11/00

Метки: больших, интегральных, схем

...в ноль, При этом сигнал с инверсного выхода О-тригтера 21 разрешает работу генератора 9 тактов, В остальные разрядц регистра ,0 записываются нули, Временная диаграмма для этого случая представлена на Фиг, 3. Выход гене. ратора 9 подается на счетчик 12 адреса. Установленное нулевое значение упомянутого разряда регистра 10 режимных сигналов поступает на вход мультиплексора 17 адреса и разрешает прохождение теперь через него выходов счетчика 12 адреса на выходы 49 блока 1 и далее на адресные входы блока 29 памяти откликов, блока 32 памяти воздействий и блока 33 памяти состояний входов-выходов. При этом в каждом иэ блоков памяти разрешены к обращению все разряды, причем блок 32 памяти воздействий и блох 33 памяти состояний входов- выходов...

Номер патента: 1649474

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Бровко, Дмитриев, Жук, Зайченко, Киселев, Разлом, Смирнов

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, параметров, схем

...точности выделения малыхприращений напряжения, необходимо учитывать даже малое изменение напряженияна конденсаторе 34 эа счет его самораэрядаи разряда через высокоомный вход усилителя 31, Для компенсации саморазряда и разряда конденсатора 34 использована схема,в которой медленно заряжается конденсатор 35, причем скорость разряда выбираетсярезистором 38 такой, чтобы компенсироватьуказанные рязряды.В момент времени тз на вход 52 преобразователя поступает напряжение Овых+ Ь Ос выхода контролируемого ИСН в ответ надестабилизирующее входное воздействие.Таким образом на левой (по схеме фиг. 3)обкладке конденсатора 34 напряжение становится равным Ов+ ЬО, а на правой - Л О,Напряжение Л О, выделенное и усиленноеусилителем 31, поступает с его...

Номер патента: 1649475

Опубликовано: 15.05.1991

Автор: Кривенко

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, потребления, схем

...ИС 1, 21, 22, 23; постоянный ток, потребляемый исследуемой ИС 1 равенизм=А , (1) где А - показания измерителя 2 тока, равное величине тока источника 4 питания;К 1 - коэффициент, показывающий, какая часть всего тока потребляется исследуемой ИС 1Для нахождения коэффициента К 1 используется воздействие на шину питания ИС 1 переменного синусоидального тока от генератора 5, амплитуда колебаний существенно меньше значения 1 изм, Переменный ток генератора 5, проходя по проводнику 24 (через схему 1), наводит в катушке 10 напряжение синусоидальной формы. Мощность Рс, выделяемая в цепи обмотки катушки 10, пропорциональна квадрату значения амплитуды переменного тока, протекающего в проводнике 24 (с учетом того, что проводник 24 и катушка 10...

Номер патента: 1652949

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Григолия, Русских

МПК: G01R 31/26

Метки: интегральных, линейных, параметров, стабилизаторов

...образом.Процесс измерения электрических параметров ЛИН состоит из нескольких этапов,На первом этапе устанавливается выходное напряжение ЛИН 14, Для этого устанавливается необходимое состояние регулятора 6, который представляет собой программируемый делитель, Требуемый коэффициент передачи делителя К рассчитывается по известной формуле где О 0 п - величина напряжения внутреннего источника опорного напряжения ЛИН;Овых - устанавливаемое выходное напряжение ЛИН. Затем на клемму 4 подается напряжение Овх,1 источника 12 напряжения, и на клемме 5 устанавливается выходное напряжение Л И Н 14 Овых. ъ Коммутатору 9 задается режим, пои котором его первый, второй входы соединены соответственно с первым, вторым входами АЦП 10, а третий вход...

Номер патента: 1656418

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Гамалий, Топтыгин

МПК: G01N 21/31

Метки: измерений, интегральных, переходов, поглощения, сечений, электронных

...схема осуществления предлагаемог фиг, 2 - микрофотограмма с ции многомодового лазера в дуемого перехода,Установка состоит из узко зера 1 на рубине с зеркалами затвором 3, нагреваемой кюв калия, кюветы 5 с раствором зонатора многомодового лазе ле, образованного эерк 1656418 А 1 чувствительности измерения интегральных сечений поглощения для электронных переходов. Измерение интегральных сечений поглощения осуществляется по измерению спектрального расстояния между двумя пиками интенсивности в крыльях линии поглощения (эффект спектральной "конденсации" излучения), Эффект спектральной "конденсации" излучения возникает при временной модуляции коэффициента усиления многомодового широкополосного лазера при наличии внутри его резонатора паров...

Номер патента: 1659924

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Кармызов, Петров

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, контактирования, схем

...отклонение опорного (на входе) и исследуемого (на выходе)сигналов, Разность уровней между ними задавали как функцию переходного сопротивления, В случае, если разность вышезаданной величины переходного сопротивления, качество контактирования неудовлетворительное и дальнейший маршрутсхемы определяется технологической картой. В случае, если разность равна или нижезаданной, условия контактирования удовлетворительные. Заданная величина переходного сопротивления выбирается взависимости от требований, предьявляемыхк схеме,При включении генератора и подаче питающих напряжений на выходе испытуемойИС появляется выходное напряжение, уровни "0" и "1" которого определяются переходными сопротивлениями 81 - 84. При Вт -84, РаВНЫХ НУЛЮ, Овх =...

Номер патента: 1662020

Опубликовано: 07.07.1991

Автор: Бербасов

МПК: H05K 1/11, H05K 1/18

Метки: бескорпусных, интегральных, контактное, схем

...групп 4. Подобным образом в корпусе 1 размещаются одновременно несколько держателей с ИС 13, При этом все выводы ИС оказываются надежно замкнуты накоротко посредством основания 2, которое в свою очередьзаземлено. Для исключения электростатического пробоя и любых других видов повреждений полупроводниковых приборов в процессах транспортировки и хранения контактные устройства штабелируют друг на друга посредством элементов 6 и 7 сочленения на корпусе 1 (фиг,4). При этом вследствие того, что высота выступов 7 меньше высоты штифтов, осуществляется примыкание основания 2 вышеразмещенного контактного устройства к торцам базирующих цанговых штифтов 3 нижеразмещенного устройства,Этим обеспечивается общее заземление всех полупроводниковых...

Номер патента: 1670668

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Афанасьев, Кухаренко, Мещеряков, Перов

МПК: G03B 27/32

Метки: интегральных, печатных, плат, схем, фотошаблонов

...5 осуществляется ручкой 17. Оригинал 18 закреплен на оригиналодержателе 2.Устройство работает следующим образом. 15 го 25 30 35 40 45 50 55 На оригиналодержатель 2 устанавливают оригинал 18, на рейки 8 пластинодержателя устанавливают тестовое контрольное стекло с нанесенной прецизионной сеткой. Подключают фотокамеру к сети питания и открывают электромеханический затвор, По рискам сетки тестового стекла настраивают на резкость установочный микроскоп 9. Настраивают на резкость изображение оригинала 18, добиваясь наилучшего качества изображения по всему полю топологии, Для этого перемещают в разные точки установочный микроскоп 9, проверяют в этих точках резкость изображения и при необходимости вводят корректировку путем...

Номер патента: 1670823

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Котов, Шейко

МПК: H05K 13/04

Метки: интегральных, схем, установки

...возможностей лючения интегдля измерения - достигается тэктных площа- диэлектрическоментами для ых схем 4, Устрпус 1, направль 6 и печатную выводов интегральнои схемы 4. Для обеспечения контакта выводов интегральной схемы 4 с соответствующими контактными площадками 3 корпус 1 снабжен центрирующими элементами 5, расположенными между пластинами 2. В корпусе 1 установлен с возможностью перемещения подпружиненный толкатель 6, Устройство предназначено для установки интегральных схем 4 с двумя рядами выводов на печатную плату 7 с отверстиями 8 для выводов интегральных схем с одновременным контролем параметров интегральной схемы и для контроля интегральных схем без выпайки их из платы,Устройство работает следующим образом.Интегральную схему 4...

Номер патента: 1672421

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Бабаян, Ованесян, Окропиридзе

МПК: G05D 23/19

Метки: интегральных, микросхем, пластин, полупроводниковых, термостатирования

...и отрицательного питающих напряжений. Коллектор и база регулирующего транзистора 4 соединены соответственнос шиной 12 положительного питающего напряжения и с выходом усилителя 2, а эмиттер регулирующего транзистора 4 подключен через стабилитрон 11 смещения к базе транзистора 3 подогрева, Между базой и эмиттером транзистора 3 подогрева включен резистор 6 смещения. Усилитель 2 подключен своим неинвертирующим входом через компенсирующий резистор 9 к базе транзистора 3 подогрева и через компенсирующий резистор 8 к шине нулевого потенциала. Резистор 5 смещения резистор обратной связи включены между инвертирующим входом дифференциального усилителя 2 и соответственно шиной 12 положительного питающего напряжения и эмиттером транзистора 3...

Номер патента: 1672454

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Гремальский

МПК: G06F 11/22, G06F 11/36

Метки: больших, интегральных, схем

...в исходное состояние, Разряд, соответствующий выходу30.2, установлен в "1" - чтение сдвунаправленных выводов объекта 8 контроля и блока 9. Разряды, соответствующие выходам 30,3 и 30,4, такжеустановлены в "0", т,е. опрос генератора 6 тестов и сравнения откликов объекта 8 контроля и блока 9 не выполняются. К моменту выработки задающим генератором 3 второго тактового импульса на выходе формирователя 20 установлено значение "0" (фиг,8), поэтому навыходе элемента 23 устанавливаетсязначение 0 ВтороЙ тактовыпульс ( с Выхода генератора 3 черезэлемент 2 поступает на вход +1счетчика 29 и его содержимое становится равным А О + 1, Из блок памлт,1считьгвается следующее слово. В , ЛсБИС КР 580 ИК 80 рассматриваемое л; -во совпадает с первым, т.е. на...

Номер патента: 1674017

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Данилов, Лобанов, Пункевич

МПК: G01R 31/317

Метки: динамических, интегральных, параметров, схем, функционирования, цифровых

...информация, а на выходе триггера 6 сигнал "Разрешения контроля",С приходом на синхронизирующий вход регистра 15 памяти задержанного элемента 7 задержки строб-импульса информация с входов регистра 15 памяти переписывается на его выходы. Указанная информация поступает на входы решающего блока 16. Если контролируемая информация по своим логическим уровням соответствует заданным значениям "0" или "1", а также соответствует ожидаемому местонахождению, фиксируемому строб-импульсом, то на выходе решающего блока 16, а следовательно, и на выходе 12 устройства сигнал отсутствует. Это означает, что контролируемая цифровая микросхема функционирует правильно. В противном случае на выходе 12 устройства формируется сигнал несоответствия выходной...

Номер патента: 1674019

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Запольский, Лобанов, Пункевич

МПК: G01R 31/317

Метки: интегральных, схем, цифровых

...триггер 19 переключается два раза за такт, что соответствует режиму "Длительность импульса меньше такта". Уровни "0" на третьем и четвертом выходах приемного регистра 3 запрещают 15 прохождение этих импульсов, триггер 19находится в предыдущем состоянии, а элемент И 17 переводит амплитудный формирователь 7 в третье состояние, характеризующееся высоким импендансом, и 20 клемма 14 может служить выходом контролируемой ЦИС.Сигнал с выхода ЦИС поступает черезклемму 14 на сигнальный вход амплитудного формирователя, на второй вход которо го подается опорное напряжение с шины12. Результат сравнения запоминается на выходе логического компаратора 6 на время, определяемое длительностью строб-импульса. За это время на логиче ском компараторе 4...

Номер патента: 1674021

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Белогуб, Бровко, Буцкий

МПК: G01R 31/319

Метки: выходное, интегральных, схем, тестера

...поступают от блоков 2 и 4 компенсации сигналы, зависящие от длительности и паузы формируемых формирователем 5 импульсов. При этом установка постоянных времени г 1 и т 2, соответствующих тепловым постоянным времени установления верхнего и нижнего уровней формируемых формирователем 5 выходных импульсов, осуществляется блоками 2 и 4 компенсации по входам "Установка т 1" и "Ус 1 ановка г 2", Включение блоков 2 и 4 производится по входу "Компенсация".На вход блока 2 через инвертор 3 и на вход блока 4 поступает тестовая последовательность, определяющая длительность импульсов и пауз выходного сигнала, формируемого формирователем 5,По входу "Режим" задается режим работы буферного усилителя 1, а именно с внутренней обратной связью; с внешней...

Номер патента: 1675176

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Афанасьев

МПК: B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...заслонку 27 на сортировочном устройстве для удержания интегральных схем на случай, если под сортировочным устройством находится пенал для интегральных схем, 1675176Устройство работает следующим образом,В пеналы 6 загружают интегральные схемы. Пеналы вставляют в ячейки магазина 5, который поворачивается на шаг с помощью делительного храпового механизма 4 пневмопривода 10, Храповой механизм 4 движется поступательно, собачка, установленная на штоке пневмоцилиндра, переходит на следующий эуб храпового колеса, Одновременно под действием кулачка 13, установленного на штоке пневмопривода, открывается фиксатор 11. Фиксатор 12 не дает колесу двигаться в обратном направлении во время прямого хода. Затем собачка движется в противоположном...

Номер патента: 1675908

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Осадчук, Паламарчук, Стронский, Яровенко

МПК: G01R 31/303, G06F 11/277

Метки: интегральных, качества, объемных, схем, теплового

...л) соз хо о оплхх соз х (уй соз укЕ+ Ь Е з)п ук Ехехх бх 1 у бк, (6)где Т(п, )т), К) - изображение температурыТ(х, у, к);у)с - положительные корни уравнениясщ у А = ( = О, 1, 2, . ) , (7)2 у)с Ьуравнение (1) переводится в пространствоизображений Фурье. Для этого обе частиуравнения (1) умножаются на ядро преобразования (6) и интегрируются по х от О до Ь,по у от О до (х, по х от О до ЬОо)с О ф нх д Ь Ь"Таким образом, в пространстве изображений Фурье уравнение (1) имеет виде) т(О,О,1Их П(е Х;, П (е(; Гп 1( х сЮ р 5 П д С 05 и гп кх х15 Рз) Оо СООЕхс,ою)г;)х 3,".фпк 9.(п 1, еп 1 ). Формула обращения для преобразования (6) имеет вид 25 ТЬг)(Г -у Е 30 35 005 СОО Екс 05(5+ 3 11 ,) Ь -(,"-),3, где дпо, дно дельта функции Кронекера 1 п=О(51 О )...

Номер патента: 1680735

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Акопов, Арутюнянц, Гитис, Исагулянц, Кашинская, Конышева, Неумоева, Пойманов, Путилина, Рязанцева

МПК: C08L 63/04, C09K 3/10

Метки: герметизации, интегральных, полупроводниковых, пресс-материал, приборов, схем

.... ратуре 800 С в течение 8 ч.Стандартные образцы для проведения испытаний получали методом литьевого прессования при температуре 1655 фС, удельном давлении 15,0 ИПа с последунмцей термообработкой при температуре 200 С в течение 8 ч.Удельное объемное электрическое сопротивление определяли по ГОСТ 6433,2-.71 при постоянном напряжении 100-105 В на трех дисках диаметром 50 мл толщиной О, 8-1,0 мм.Влагопоглощение пресс-материала ,в процессе выдержки в автоклаве определяли на трех образцах диаметром 50 мм, толщиной 2 мм. Расчет влагопоглощения проводили по изменению массы образцов после выцержки их в автоклаве емкостью 500 мл, содержащем 50 мл деионизованной воды, герметично закрытом и помещенном в термостат со ф;Т=120 С. Взвешивание...

Номер патента: 1682286

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Афанасьев

МПК: B07C 5/38, B65H 3/24

Метки: интегральных, параметров, схем

...14 и ее имеется приспоовки и приема, вырех модулей 17, каретки 19 с пане- Каждый модуль 17 я 22 и заполнениялку 24 с двумя намодуль или в бракгруппы, оснащен работает следующим обраружаются интегральные танавливаются в ячейку н подводит с помощью эочную позицию, кото 16822 обрую определяет датчик 5, ячейку с заполненным пеналом. По направляющим 6 и 11 интегральная схема 3 подается на нижню . заслонку 9 отсекателя 7, С помощью привода 10 отсекатель 7 совершает прямой ход. В результате нижняя заслонка 9 открывается, а верхняя заслонка 9 прижимает следующую интегральную схему 3 к направляющей 11, Нижняя интегральная схема 3 освобождается и попадает в зону контактного средства 13 на заслонку 14, затем привод 10 возвращает отсекатель...

Номер патента: 1160896

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Белицкий, Бочвар, Колешко, Лапицкий, Лысова

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, материал, межсоединений, микросхем, тонкопленочных

...определяет минимальное содержание примеси, при отарой наблюдается эффект уменьшения контактного сопротивления тонкой пленки и сохраняются необходимые требования по размеру зерен, микрарельефу поверхности (см.табл,1, в которой приведены примеры граничных и оптимального количества содержания ингредиентов), а также сохраняются высокая устойчивость к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокое качество микросварки алюминиевой и золотой проволокой. Повышение устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического токаи коррозии, а также качества ультразвуковой микросварки достигается введением в пленку примесей РЗМ. Верхняя граница Определяет та максимальное...

Номер патента: 1684756

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Козлов, Лепехин

МПК: G01R 31/3163

Метки: интегральных, схем, функционального, цифровых

...уровнями напряже 84756 10 15 20 25 30ний 11 оп 111 оя о, эввавяс мяли со д- ветствсвво источннкямн 19 и 20 опор-. ных напряжений. На выходе ус илителяко; р= яо "1,. 2 цг ркнРго уровня при этОм форьнц 7". .с з "игналпрнвРдгьяый на фиг,2 б, 1 а вьводе уснлителякомиаратор;: нижнРгс уровня ф рмируется сиг.:и, приведенный на Фиг.2 в, гДР о - ЭРДОРжка сигнала УсилителЯЛми-компаратор,ями 2 и 3, С приходом строб-импул са на управляющий вход 15 (фиг.2 г) и., следовательно, на вторые входы триггеров 4 и 5, в последние запиивается информация, у становленная : данный момент на выходах усилителей-компараторов 2 и 3 (фиг,2 д,е). Запись информации осуществляется по переднему фронту строб-импульса, ь, - задержка сигЛнала триггерами 4 и 5. На...

Номер патента: 1691790

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Балабанов, Цветков, Шаевич

МПК: G01R 31/02, G01R 31/303

Метки: внешних, выводов, диодной, замыканий, изоляцией, интегральных, коротких, корпус, обрывов, подложку, схем, твердотельных, фиксации

...источника 5. При нали.чии на всех входах блока 6 компараторов 45потенциалов, отличных от нуля и меньшихнапряжения источника 5, на выходе блока 6компараторов имеется напряжение, соответствующее уровню "0",. В случае обрыва любой из клемм 3,1 - 50З.п микросхемы 1 на соответствующем входе блока 6 компараторов устанавливаетсянулевой потенциал, В случае обрыва клеммы 2, соединенной с подложкой кристалламикросхемы 1, нулевой потенциал устанавливается на всех входах блока 6 компараторов. В случае короткого замыкания любойиз клемм 3.1 - З.п микросхемы 1 на корпусили подложку кристалла на соответствующем входе блока 6 компараторов устанавливается полное напряжение источника 5. Появление на любом входе блока 6 компараторов нулевого потенциала,...

Номер патента: 1694502

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Горина, Никитин, Яковенко

МПК: C03C 21/00

Метки: интегральных, микролинз

...использовано любое натрий-силикатное стекло с содержанием г)а 20 не ниже 70 ь,Ниже приведен конкретный примеросуществления способа.П р и м е р. На подложке стекла отфотопластин размером 30 х 30 х 1,25 мм припомощи термического вакуумного напыле1694502 Составитель Т.НикульниковаТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор А.Маковская Заказ 4123 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 ния и фотолитографии создают алюминиевые диски диаметром 20 мкм и толщиной 1,5 мкм. На противоположную поверхность стеклянной подложки наносят сплошной слой алюминия толщиной 1,5 мкм,...

Номер патента: 1329599

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Демиденко, Короткевич, Костюченко, Татаренко

МПК: H05K 1/05

Метки: алюминиевой, гибридных, интегральных, микросхем, подложки

...Г,с Оп Бс.1" (с; яе М.ЛЫХ УС ИЛИИ РЕ ЛЦЛЯ и ОСя-, л- З- ги заусенцев ца кромках Применение з(Р 1 Т 11;слс гл 1 л (снов Ве Орто)ос(0 орОЙ ки(сит;1 Обе псив л "ет высо-(ую скорост рзг гл лц элц( го окисл; Г ; менее 0 э м:,г м-,ц) . -,б рлзовацяе структуры Оксилс (. Пор и болспого диаметра (тэ 1 ОГ)Г ,)ЗлПОЛЦЕЕИ" 1 ОР ПОЛ 1 Ы(гСЧм П;КОМ ЯО" ЗВОЛЯРТ ПОСЪСГИТЬ т(П 1 О(. Та 1 о.Ь ЗОЛ ПОЖЕК УЛУЧ 1 ИТЬ ЛР К 1 ССЭч Г РОБОТЯЩИХРРЗПСТИВЦ,СХ : г: с, УЦ г 11- 15 ть пл-сскостцо т 1, .Опсчс,(иП р "1 м е р. 11 одложя и. епг лсэа М 11 2 р заме)эом:ОЪ 8 "Я т.:1 Г 0,8-2,2 м обезжирисэлп э гс; .чсогл растворе, содержлщам .с(1 с цл р я трицлтряй 1 ОГ(сэат., приКцлсят , т Г,;ячей и холодной поде, сСе ег(; тепморихлуют г:.ри темп.ажуре 511 1( я усилии:жатия...