Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1022112

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Кривицкий, Мезенцев

МПК: G05B 11/40

Метки: закона, интегральной, составляющей, формирования

...единицы 50 дискретности Ь. Это исключает воэможность выбора Ь исхоая яз условия обеспечения требуемой статической точности регулирования, что может приводить к ееснижению, 55Белью изобретения .является повышениеточности регулирования. Поставленная цель достигается тем,что в устройство аля формирования интегральной составляющей закона регулирования, соде ржашее цифро-аналоговыйпреобразователь, генератор частоты задающего сигнала и датчик частоты сигналаобратной связи, введены блок синхронизадии и соединенные последовательно счетчик импульсов, первый регистр памяти,первый сумматор, второй регистр памяти,второй сумматор и третий регистр памяти, выход которого подключен к второму входу второго сумматора и к входуцифро аналогового...

Номер патента: 1624443

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Горский, Ковалев, Коваленко

МПК: G06F 7/50

Метки: переносов, сумматора, схема, формирования

...1, то на выход 5 г-го б)локд 1 проходит сигнал сего входа 4 . Если Р, = 1 и О ; = О, тонд выходе 5 .-го блр)ка 1 устдцдвливается уровень логического нуля независимо от значения сигнала цд его входе 4, В противном случае (Р, = 1 и Ь, = 1) на выходе 5 -г блока 1 сохраняется .единичное значение сигнала. Для выполнения указанные выше функций блок 1 переноса может быть реализован на двух элемецтах ИЛИ-НЕ 23 и 24 и трех транзисторах 25-27(фиг.2). Таким образом по цели сквозного переноса происходит распространение инверсных значений сигналов переноса (С; = 1; + ,С;,). Одновремен; но на выходах 7 блоков 1 устанавливаются прямые значения сигналов распространения переноса (Р,) . Причем, если Р, = =- Рп , = 1, то на выходе элемента И,...

Номер патента: 885980

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Луговой, Флоринский, Щедрин

МПК: G05D 9/02

Метки: бьефа, гидротехнических, нижнего, регулятор, сооружениях, уровня

...полости камеры, нижняя полость которой сообщена с первымотверстием, причем другая кромка гибкойоболочки и щит шарнирно связаны со стен.кой, а щит выполнен с возможностью поворота в сторону нижнего бьефа.Щит в закрытом положении образует с.горизонтом бьефа угол о = 40.На фиг, 1 схематически изображен предлагаемый регулятор, в закрытом положении;на фиг, 2 - то же, вид сбоку, в открытомположении.Регулятор уровня нижнего бьефа состоитиз жесткого щита 1, прикрепленного шарни.ром 2 на 1/3 высоты щита. К верхнейкромке щита 1 прикреплена оболочка 3, другая кромка которой соединена с вертикальнойстенкой 4. Вода в образованную емкость 5поступаетчерез калиброванное отверстие 6.Опорожнение емкости 5 производится черезпервое отверстие 7, вода из...