Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 912778
Авторы: Зайончковский, Кудряшова, Левина, Лихолетов, Мосевич
Текст
Оп ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ м 912778 Сфюа СфавтекикСфцналиетнчвсиыореспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУтот 3 Приорите 3) УДК 621,315,592 (088.8) ао дооея изобретение н открытойОпубликовано 3,8.03 Дата опубликования Бюллетень М 1 описания 17.03 ончковский, Г. Н, Кудряшова, Л. Е. Левини А. Н. Мосевич. Я Авторызобретени ихолетов енингрвдский сфдена Ленина электротехнический институт им, В. И. Ульянова (Ленина)(54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ МОНОКРТИТА НАТА СТРОНЦИЯ 2 ставлены в РезультатебВеКачеетеещвйеетн ейрейещчеемм метещемПоследний коиности кристаллаэлектронаорвмм ты полировки пр чжин ебрее тет ищерфере я метедем ед щнщ, что трввл проведено п ы соответствужйи иеюРмИНИЕЖЫМ Ютттйщ Езщйщ 3 вфйе. ение поверхопностыо, Вид еийетей тЕЧЕЧза озволявт ботки по ектр Изобретение относится к области электронной техники и может быть ис пользовано, например, для изротовлення нелинейных конденсаторов, работающих при криогенных температурах.Известен способ обработки поверх- ности монокристалла титаната стронция с плоскостью ориентации (100) раствб ром едкого кали при 410-710 С 13Недостатком известного способа яиляется невозможность осуществлении полировки поверхности, твк как раствор оказывает травящее воздействие.Наиболее близким к предлагаемому является способ химической полировки монокристаллов титаната бария, включающий обработку кристалла нагретым раотворем ертефееферией кйаддты ири иере МетцПЕФНИП:ЦНеДЕЕтатЮМ ЕтаЕ ЕИЕЕЕба Н тэ, что ЕИ ттрПМЕДИМ тЕВЬКЕ аа ной обработки кристалла и не п достигать высокой чистоты обра верхности. Цель изобретения - повышение чистотьобработки поверхности.Поставленная цель достигаетсятем, что хямическую полировку монокрксталлов титаната стронция с плоскостью ф ориентации (100) осуществляют 7087 вес.%-ньтм водным раствором ортофосфорной кислоты, нагретым до 180200 оС, в течение 20-25 мин при вращении 70-80 об/мкн.П р к м в р. Проводят полировку поверхности монокристалла титанатв строяция сплоскостью ориентации 100) фос- форной кислотой разной концентрации при180 200 С, время обработки 20 25 мин.3Заметноепол иров ание 242 211 Удовлетворительпол ированиеХорошее полирование 0,170 0,135 0,165 0,105 Способ кристаллов тью ориент работкупо ортофосфор о т и я ч ацелью повышверхности, пр87%-ным ( Составитель Б. РыцаревРедактор Л, Веселовская Техред С.Мигунова Коррек оном аренк 1324/36 Тираж 373 ВНИИПИ Государственного ком по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, РаушсПодписта СССРытий к кая набд. филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная ППП,Патент Зак, Я.),аС ,ф39127 нограмме, которая попучена с поверхности, имеющей атомарные гладкие участки. Применение предлагаемого способа химической полировки обеспечивает высокую чистоту обработки поверхности, простоту технологического цикпа, т.е. более высокую температуру травления, высокую воспроизводимость параметров. Кроме того,1 ла изобретения химической полировки монотитаната стронция с плоскосации (100), включающий оберхности нагретым раствором ой кислоты при вращении, ю щ и й с я тем, что, с3 ения чистоты обработки по-оцесс осуществляют 70 вес.) водным раствором орто 78 4колебайия температуры порядка несколь-., их градусов в процессе обработки кристасща не влияют на результат попирую- щего травления.Нелинейные конденсаторы, созданные на основе монокристаллоа титаната строн ция, обработанных предлагаемым способом, существецю повысили диэлектрические характеристики и стабильность./фосфорной киспоты, нагретым200 оС в течение 20-25 мин ищецин со скоростью 70-80 об/мии.Источники информации,принятые во внимание при акспертизе1.Ьодеа.а.Н"уоВ Дгпег 1 Мо СегоГМС, ВОСн., 196 Ь,49,)4 Ъ, ФМО2. Хирш П. Эпектронная,:микроскопитонких кристаллов. М.,Мир", 1968,с. 478 (прототип).
СмотретьЗаявка
2889169, 10.12.1979
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА
ЗАЙОНЧКОВСКИЙ АЛЕКСАНДР ЯКОВЛЕВИЧ, КУДРЯШОВА ГАЛИНА НИКОЛАЕВНА, ЛЕВИНА ЛЮДМИЛА ЕВДОКИМОВНА, ЛИХОЛЕТОВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, МОСЕВИЧ АНДРЕЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 33/00
Метки: монокристаллов, полировки, стронция, титаната, химической
Опубликовано: 15.03.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-912778-sposob-khimicheskojj-polirovki-monokristallov-titanata-stronciya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция</a>
Предыдущий патент: Катодное устройство алюминиевого электролизера
Следующий патент: Устройство для изготовления изделий из щелочно-галоидных кристаллов
Случайный патент: Ограничитель грузоподъемности стрелового крана