Способ термообработки монокристаллов твердых растворов галогенидов таллия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П Союз Советскнк Соцналнстнческня Республик(5 ЦМ, Кл с присоединением заявкн Йо "(23) Приоритет С 30 В 33/00 Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытийДате опубликования описания 0709,81(5 4) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ГАЛОГЕНИДОВ ТАЛЛИЯ Наиболее близким к изобретению потехнической сущности и достигаемомуэффекту являетсяспособ термообработки монокрксталлов твердых растворов галогенидов таллия, включающийвыдержку образцов при повышенной температуре и охлаждение со скоростью5-10 С/ч 12,Однако при указанных режимах отО жига не достигается равномерное распределение таллия по образцуЦель изобретения - устранение неоднородностей состава кристалловКРСи КРС.15 Поставленная цель достигаетсятем, что выдержку осуществляют притемпературе на,10-35 оС ниже температуры плавления монокристаллов.Причем отжиГ кристалла (Т 61-ТсВг)о 20 ведут при температуре 380-400 С24-27 ч, а кристалла (ТСС- ТС Вг)ведут при 390-410 оС 27-72 ч.Отжиг проводится в атмосфере инертного газа, например аргона (воэдей ствие ки жорода и влаги воздуха наповерхностный слой кристалла можетпривести к частичному химическомуразложению его) .П р и и е р. Для отжига исполь зваиия заводские образцы кристаллов Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, в частности к термической обработке кристаллов твердых растворов, и мо" жет найти широкое примеНение при из готовлении э ву копров одов акустооптических устройств.Известен .способ термической обработки кристаллов твердых растворов, например галогенидов таллия, заключающийся в отжиге выращенных кристаллов при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула изобретения Редактор С.Титова Техред А. Бабинец Корректор Ю;Макаренко Заказ 6688/59 Тираж 333 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва,Ж, Раушская набд,4/5филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 твердых растворов КРС. Отжиг прово= дили в атмосфере аргона при 390 С 24 ч с последующим медленным охлаждением 10 ОС/ч.Лгя устранения прилипания кристаллов к подпожке между кристаллами и подложкой помещали прокладку иэ высокотемпературного материалаВ результате отжига акустическое затухание в кристаллах значительно уменьшалось Для сдвигов волн, имеющих направле- ц нне распространения и поляризации по главным кристаллографическим направлениям, затухание звука уменьшилось с 3-5 до 1 дБ/мкс. на частоте 100 МГц. Для продольных волн в направлении 1111 затухание звУка измЕНЯ- лось от 0,5 до 0,3 дБ/мкс на частоте .100 МГц.В лабораторных условиях создан акустооптический дефлектор.со звуко- проводом из КРС, отожженного ука занным способом, который по своим параметрам значительно превосходитвсе известные аналогичные устройства. Способ термообработки монокристаллов твердях растворов галогенидовталлия, включающий выдержку образцовпри повышенной температуре и охлаждение со скоростью 5-10 С/ч, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью улучшения химической однородности монокристаллов, выдержку осуществляют при температуре на 10355 С ниже температуры плавления монокристаллов,Источники информации,принятые во вниманиепри экспертизе1., Научные труды Гиредмет, Т29,1970,с.107,2. Автбрское свидетельство СССР9 24887 б, кл, С 09 К 1/06, 1968
СмотретьЗаявка
2370921, 08.06.1976
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ АН СССР
АВДИЕНКО К. И, БЕРЕЗИНА Н. И, БОГДАНОВ С. В, МАСТИХИН В. М, САПОЖНИКОВ В. К, ШЕЛОПУТ Д. В
МПК / Метки
МПК: C30B 33/00
Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки
Опубликовано: 07.09.1981
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-593349-sposob-termoobrabotki-monokristallov-tverdykh-rastvorov-galogenidov-talliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ термообработки монокристаллов твердых растворов галогенидов таллия</a>
Способ изготовления растра на контролируемой поверхности при исследовании деформации твердых тел при высоких температурах
Номер патента: 493624
Опубликовано: 30.11.1975
Авторы: Гохфельд, Маковецкий, Шелехов
МПК: G01B 11/16
Метки: высоких, деформации, исследовании, контролируемой, поверхности, растра, твердых, тел, температурах
...поверхность и тер 5 особ заключается в сле способом с растра-оригиительную эмульсию на осатается изображение. Состав эмульсии, г:Двухромовокислый аммониСухая глюкозаАльбумин 702 1 нашать эмульси Крный спирт добавляется до о в лимонно-желтый цвет) рболовая вода, мл 0 стиллированная вода, мл 00 аски Эмульсию поливом наносят стекла стандартных фотопласт в горизонтальном положении ре 45 С и влажности 70 - 80% 25 20 мин. Засветку осуществляют лампой 500 вт с расстояния О,мости от плотности оригинала получают хорошо видимое в о чах, но малоконтрастное изобр ЗО та (растра). Ватным тампономна очищенные инок н сушатри температув течение 10 -3 - 5 мин под 4 м в зависиВ результате траженных луажение объекзабивают (ок О П И С А Н И Е и)...
Раствор для полировки монокристаллов ванадия
Номер патента: 1019032
Опубликовано: 23.05.1983
МПК: C30B 33/00
Метки: ванадия, монокристаллов, полировки, раствор
...ортофосфорной кислоты менее 10 мас.ивинной кислотыменее 3 мас.% на поверхности кристаллов образуется окиснаяпленка, При увеличении концентрацииортофосфорной кислоты более 15"и винной ЗО более 5% идет неравномерная полировкаповерхности.Концентрации водного раствора дляполировки следующие, мас.%; азотнаякислота ДО; ортофосфорная ислота;10-15; винная кислота 3-5.Результаты обработки монакристаллов ванадия в растворах разных составов40 представлены в таблице.10190321 о о. ффЧ О х хЯфи О ОО О тч еч ОО г 1 еЧ г 1 фч ф"132 40-15 мин при перемешивании. Затем ромывают водой. Обрабатывают 19 моокристаллов ванадия; 6 монокристаллов,адия ориентации 111; 7 монокрисаллов ориентации 1103; 6 монокристалов ориентации 100, При съемке на ентгеновском...
Способ отбора желтых природных кристаллов исландского шпата для термообработки
Номер патента: 1116368
Опубликовано: 30.09.1984
Авторы: Касяненко, Матвеева, Скропышев
МПК: G01N 21/64
Метки: желтых, исландского, кристаллов, отбора, природных, термообработки, шпата
...спектры поглощения (зависимости оптической плотности от длины волны падающего света) светлеющих при термообработке кристаллов, на фиг.4 оптические спектры поглощения темнеющих при термообработке кристаллов.На фиг, 1-4 приняты следующие обозначения: кривая 1 - спектр возбуждения желтого, светлеющего при термообработке, кристалла;кривая 2 - спектр .возбуждения желтого, темнеющего при термообработке,кристалла, кривая 3 - спектр люминесценции желтого, светлеющего при термообработке, кристалла; кривая 4- спектр люминесцении желтого, темнеющего при термообработке кристалла, кривая 5 - спектр оптического поглощения желтого, светлеющего при термообработке, кристалла в исходном состоянии; кривая 6 - спектр оптического поглощения того же...
Способ контроля структурного совершенства монокристаллов твердых растворов, метастабильных при комнатной температуре
Номер патента: 1427268
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Александровский, Дьяков, Рубинина, Яковлева
МПК: G01N 25/02
Метки: комнатной, метастабильных, монокристаллов, растворов, совершенства, структурного, твердых, температуре
...элементов. 5Целью изобретения является расширение класса контролируемых образцов монскристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.Способ осуществляют следующим об разом,Г Кристалл твердого раствора помещают в печь и отжигают при температу,ре Т соответствующей двухфазной об ласти. При этом происходит выпадение второй фазы. Кристалл отжигают в течение времени й, которое зависит от температуры отжига. С ростом времени отжига растет размер частиц второй 2 О фазы поэтому минимальнал длительность отжига определяется мЬментом, когда размер частиц становится порядка длины волны оптического излучения ( 1 мкм), а следовательно, частицы становятся видны в оптическом Микро,скопе. После декодирующего отжига кристалл помещают в микроскоп,...
Способ создания высоких давлений при определении температур фазовых превращений твердых материалов
Номер патента: 1138721
Опубликовано: 07.02.1985
Автор: Дмитриев
МПК: G01N 25/02
Метки: высоких, давлений, определении, превращений, создания, твердых, температур, фазовых
...удельной нагрузке на частицу0,1-2 г силы обеспечивает созданиедавлений в диапазоне мегабар, варьируемых в пределах этого диапазонапосредством изменения размеров, формы и материала частиц.Использование тонкодисперсногопорошка в качестве среды для передачи давления обеспечивает возможностьсоздания высоких давлений в сочетании со сдвиговыми напряжениями.При относительном перемещении тонкодисперсного алмазного порошка поповерхности материала со скоростью10-100 м/с одновременно с высокимидавлениями вследствие трения достигаются высокие температуры. Для этого чаиболее эффективны заданные траектории кривых второго порядка и фигурЛисажу.П р и м е р, Создаются высокиедавления на поверхности материала наоснове о-окиси алюминия с...
Предыдущий патент: Датчик радиометрического дефектоскопа
Следующий патент: Кристаллизатор
Случайный патент: Машина для отсортировки короткомерных сортаментов древесины на сплавных рейдах