Раскевич

Номер патента: 1770439

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Анищенко, Белов, Дубов, Залата, Зыкова, Коваль, Раскевич

МПК: C22C 38/24

Метки: инструментальная, сталь

...отжиг, Результаты определения механических свойств известной и предлагаемой стали приведены в табл, 2. Из данможет быть использовано при производстве холоднотянутой ленты. серебрянки и других мелких изделий, С целью снижения склонности к графитизации сталь дополнительно содержит ванадий и алюминий при следующем соотношвнии компонентов, мас. Д: углерод 0,97-1,01; кремний 0,15- 0,25: марганец 0,2-0,35; хром 0,2 - 0,3; ванадий 0,07-0,15; алюминий 0,005-0,015; железо - остальное, при выполнении следующих соотношений: ванадий:алюминий = 7 - 30, марганец;кремний = 1,3 - 2,35. Повышается качество стали, Брак по графитизации уменьшается на 40-50 О. 2 табл. ных табл. 2 видно, что по сравнению с известной заявляемая сталь имеет более высокий...

Номер патента: 1684910

Опубликовано: 15.10.1991

Автор: Раскевич

МПК: H03H 5/00

Метки: нагрузки, универсальный, эквивалент

...внутреннего сопротивления. Следовательно, внутреннее сопротивление универсального эквивалента нагрузки пропорционально коду, набранному на датчике 2 кода. Изменяя последовательно код на датчике 2 кодов можно изменять внутреннее сопротивление эквивалента нагрузки от минимально допустимого до максимально допустимого значения, В этом случае предложеннов устройство эквивалентно обычному резистору. Вольтамперная характеристика5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 этсго режима приведена на фиг. 2 (кривая а),При переводе переключателя 11 в положение, когда замкнуты первый и второй контакты, вместо резистора 16 включается полевой транзистор 7. В этом случае, вольтамперные характеристики эквивалента нагрузки при напряжении источника питания более 2...

Номер патента: 1583814

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Богобоящий, Дроздов, Петряков, Раскевич, Рогулин

МПК: G01N 27/00

Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного

...К - коэффициент включения, который зависит от конФигурации электродов, измерительного зазора между ними и толщины образца, Точный расчет коэффициента включения для планарного конденсатора является сложной задачей, поэтому для конкретных практических применений достаточно произвести градуировку по образцам с известными номиналами Ь определенными независимым методом.Примером конкретного применения устройства может служить устройство для измерения удельного сопротивления пластин кремния и теллурида кадмия (фиг, 1 и фиг2), Генератор 6 высокой частоты нагружен на делитель, состоящий из сопротивления образца (К ) и сопротивления нагрузки (К ), на котором измеряется сигнал, пропорциональный току, протекающему по цепи. Площадь контактных...

Номер патента: 1361553

Опубликовано: 23.12.1987

Авторы: Воронцова, Раскевич

МПК: G06F 9/50

Метки: асинхронное, переменного, приоритета

...с выхода элемента И 9разрешает запись поступивших запросов. После того, как генератор 8сформировал импульс, триггер 6 переключается в единичное состояние, начинается новый цикл работы устройства. Если же к моменту записи запросов на входы 13 не поступили новыезапросы, то триггеры регистра 3остаются в нулевом состоянии и навыходе элемента И 7 постоянно присутствует логическая "1", Генератор 8 2 Опостоянно формирует импульсы, которые периодически переключают триггер6. На выходе 19 разрешения записимаски периодически появляются импульсы. С элемента И 9 также периоднчески проходит разрешение на записьзапросов в регистр. В таком состоянии устройство находится до тех пор,пока хотя бы на одном из входов 13не появится запрос, При записи в...

Номер патента: 1106983

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Анистратенко, Ергаков, Кирилюк, Оксанич, Раскевич

МПК: G01B 7/28

Метки: геометрических, параметров, пластин, полупроводниковых

...соединен с вторым информационным входом узла 25 памяти и через формирователь 27 команды разбраковки с входом сигнализатора 28 результата контроля толщины полупроводниковой пластины.Выходы узла 25 памяти соединены с соответствующими входами сумматора 29, а выходы сумматора через узел 30 коммутации каналов вывода информации и формирователи 31-33 соединены соот ветственно с входами сигнализаторов 34-36 результата контроля отклонения от плоскостности верхнего рельефа, отклонения от параллельности и отклонения от плоскостности нижнего рельефа полупроводниковой пластины. Управляющий вход узла 23 коммутации соединен с выходом датчика 19, вторым и четвертым входами электронного бло. ка 2 и первым входом анализатора 37. Управляющий вход узла 24...

Номер патента: 446743

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Глушков, Раскевич

МПК: G01B 11/06

Метки: полупроводниковых, слоев, толщины

...таким образом, чтобы поверхности его слоев былй параллельны направ 1 о лению потока, и по выявленной границе раздела между слоями определяют их толщину.Описываемый способ прост взксплуатации и не требует химичвстб КОй ПОдГОтОВКИ ОбраэцОВ.Принципиальная схема измеренияпо предложенному способу показана на чертеже.Свет от источника 1 проходит 20 через конденсор 2, поляризатор 3,образец 4, анализатор 5, фокусирующую систему б и попадает на регистрирующее устройство 7.ИсследуемыИ образец 4 помещают 25 между скрещенными поляризатором 32 2 б 7 Составитель А, С Э ЛИ НРедактор С,ХОЙфИЦ Текред Н .СОНИНЭ Заказ 4 З Изд. И )Я Тираж Щ) Подписиое ЦНИИПИ Государствеияого комвтета Совета Мииистров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113...