H01J 1/308 — полупроводниковые катоды, например катоды с PN-переходными слоями

Номер патента: 285721

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Кудинцева, Панфилова, Таборко

МПК: H01J 1/308

Метки: катод, холодный

...даюгцсй высокий;контактный барьер с силенкой металла.Существование этик зо в тапсой системе срив О водит к сужению эиертетичеиого спек 1 траэмиттированиык электронов и увеличению коэффициента токопрокождепия до 10 . для использова жвьущественн дныи катод с гепк-диэлектри,к с щиной 70 - 100 А. фпциеи токопроэмпссии к сквозПредлагаемый катод представлясэндвич Мт=7 п. -- ЯО=Мг, где вМ, использован алюминий, а вМг - алючиии 1 й или золото. Гетеобразован пленкой полупроводниковСфида цинка толщиной 500 - 2000 А тдиэлектзической смоноокиси кремниной 500 в 10 А.Большая толщина пленак исключпелировапие электровозов из металподложки через полуспроводиик и дв верхнюю металлическую пленку. т,собои каче,стве,качестае оперекод осго гул ь...

Номер патента: 383107

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01J 1/308

Метки: горячих, электронов, эмиттер

...позволяет применять катод как в обычных электровакуумных приборах, так и в микромпциатюрных вак умных устройствах.=гмиттер горячих электронов ца основе полупроводникового материала, работающий при приложении поперечного электрического поля, от,гггчаюгггггйся тем, что, с целью повы шения плотности тока эмиссии и увеличения эффективности, оц выполнен из пленки двуокиси олова, цацесецной на диэлектрическую подложку и имеющей локальную область с повышенным сопротивлением, пересекающую пленку преимущественно по нормали к вектору напряженности электрического поля. Изобретение предназначено для использо вания в электровакуумных приборах.Известны холодные катоды на основе полупроводниковых монокристаллов, в которых эмиссия обеспечивается...

Номер патента: 385344

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Иофис, Пароль, Шарапова

МПК: H01J 1/308, H01J 9/02

Метки: прибора, электронного

...затем перенести его через атмосферу и смонтировать вприборе, например электроннолучевой трубке.Последнее осуществить невозможно, так какца воздухе окись бария немедленно гидратируется, а диспергированцая пленка окисляетсяиз-за ее исключительно тонкой структуры.В результате нарушается электрический контакт между островками металла и полупроводником, а следовательно, система не может рабстать. ЗЭ Предлагаемый, способ изготовления эмиттера отличается тем, что в качестве ионного полупроводника используют фтористый барий, а подложку и эмиттер, смонтированные в приборе, кратковременно прогревают при температуре 400 - 450 С. Фтористый барий более устойчив к воздействию воздуха чем окись бария, кроме того, его свойства полностью...

Номер патента: 399933

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Мицкис

МПК: H01J 1/308

Метки: потока, электронного

...в областях 3 и 4 и возникает внутренпий ток электроов. Из-за градиента цапряжепности электрического поля подвижность электронов в объеме катода 1 различнав областях 3, 4 и 5, поэтому возможно накопление электронов в области 5. Область.5 представляет собой тонкий слой (порядка нескольких десятков ангстрем) пористого диэлектрика, например окиси того же полупроводника,что служит устойчивоц областью уровней захвата неравновесных электронов, участвующих в эмиссии.Между поверхностью области 5 и металлическим электродом - анодом 6 приложеноэлектрическое поле Ез (переменное или постоянное), причем Ез)Е, так что в областиэмиттирующая поверхность - вакуум образуют другой положительпый градиент напряженности суммарного электрического поляЕ...

Номер патента: 860165

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Стамов, Сырбу

МПК: H01J 1/308

Метки: катод, холодный

...смещения на переход наблюдается эмиссия электроновв вакууме, величина которой зависитот вероятности выхода электронов идиффузионной длины электронов в р-области. Не вьппедшие в вакуум электроны рекомбинируют в р-слое с энергиейрекомбинации, приходящейся на одинэлектрон, намного меньшей, чем ширина запрещенной зоны Е,. Из этого количества некоторая часть теряет энергиюпутем безизлучательной рекомбинации,Сюда включается и перепоглощение электронов. Это обстоятельство приводит кповышению температуры катода. Расчеты,20проведенные для арсенида галлия покаоэывают, что катод нагревается на 45 Кпри общей толщине катода 5 мкм, теплопроводности 0,4 Вт см " К ", ширинеполос 2 мкм (расстояние между контак 23тами по краям) и плотности тока...

Номер патента: 1003195

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Стригущенко

МПК: H01J 1/308

Метки: катод, ненакаливаемый

...обаметаллических электрода расположены наэмитируюшей поверхности сегнетополупроводникового эмиттера,На чертеже приведена схема предлагаемого катода.Предлагаемый катод используют следувшим образом.На пластину сегнетоэлектрика 1, например ниобата или тантвлата лития, вырезанную перпендикулярно полярной оси и имеющую низкую работу выхода, наносятся, например вакуумным напылением, два металлических контакта 2, Кон 95 4такты соединяются с источником 3 токаи между ними вдоль эмитируюшей поверхности начинает течь ток, При протеканииэлектрического тока вдоль поверхности,носители тока (электроны) попадают вэлектрическое поле, обязанное своим существованием спонтанной поляризации инаправленное к поверхности перпендикулярно направлению их...

Номер патента: 1072144

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Гольдман, Ждан, Маркин, Сульженко

МПК: H01J 1/308, H01J 9/42

Метки: автокатодов, параметров, поверхности, полупроводниковых, состояний, электронных

...восстановление таким путем функции М ( Е) либо не всегда возможно, либо приводит к большим ошибкам, свойственным измерениям очень малых токов. Кроме того, необходимость использования спектрометра автоэлектронов усложняет и удорожает эксперименты, а также делает их очень трудоемкими и не- оперативными,так как для нахождения Мз(Е 1 требуется определять зависимость энергетического спектра автозлектронов от напряженности внешнего поля в широком интервале полей. Таким образом, недостатками известного способа определения М ( Е) являются сложность, трудоемкость, неоперативность и недостаточная точность, в частности низкое энергетическое разрешение,Цель изобретения - повышение разрешающией способности и точности измерений, а...