Способ определения температурного коэффициента напряжения стабилизации полупроводниковых стабилитронов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1100587
Авторы: Бумарин, Егоренков, Покровский
Текст
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может бытьиспользовано .для контроля температурного коэффициента напряжения стабилизации (ТКНС) полупроводниковыхстабилитронов на этапе их производства,Известен способ измерения электрических параметров полупроводниковыхприборов в диапазоне температур, включающий установку испытываемых приборов в термостат с заданной температу"рой, выдержку в термостате до установления теплового равновесия и измерение электрических параметров 13.При измерении ТКНС необходимо про"15изводить измерения напряжения стабилизации при двух температурах с соответствующими выдержками. Этот способ обладает большой трудоемкостью,связанной с помещением в термостат и 2 Онизкой производительностью в связи снеобходимостью выдержки приборов втермостате.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ определения ТКНС полупроводниковых стабилитронов, включающий измерение .напряжения стабилизации принормальной температуре, пропусканиечерез стабилитрон импульса тока,раэогревающего структуру стабилитрона, повторное измерение напряжениястабилизации непосредственно послепрохождения импульса тока и определе).ние температурного коэффициента напряжения стабилизации по расчетной 35формуле, включающей также тепловоесопротивление стабилитрона С 23.Способ позволяет производить оперативное определение ТКНС,Недостатком этого способа является низкая точность, связанная сбольшим разбросом величины тепловыхсопротивлений полупроводниковых стабилитронов.Целью изобретения является повышение точности.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу определениятемпературного коэфФициента напряжения стабилизации полупроводниковЫх 50стабилитронов, включающему измерениенапряжения стабилизации при нормальной температуре, дополнительно измеряют при нормальной температуре емкость запертого р-и-перехода стабилитрона в предпробойной области и определяют температурный коэффициент .напряжения стабилизации стабилитрона по модели связи с напряжениемстабилизации и емкоСтью запертого 60 р-и-перехода при нормальной температуре.Способ осуществляется следующим образом.Предварительно в достаточно большой группе (объемом 100-200 штук) однотипных стабилитронов (статистически значимой выборке) у каждого стабилитрона измеряют три характеристики:Х, - напряжение стабилизации принормальном токе нагрузки ипри нормальной температуреокружающей среды;Х 2 - емкость перехода, запертогонапряжением смещения, величина которого находится впредпробойной области (измерение емкости производятпри нормальной температуре,окружающей среды);У - ТКНС, равный относительномуизменению напряжения стабилизации, вызванному известным перепадом температуры,Вычисляют ф коэффициенты полинома третьего порядка вида У = Во+ В Х + ВХ 2 + ВХ 1 Х + В Х +В 2 Х + В 111 Х 1 + В Х г являющегося математической модельюсвязи ТКНС каждого стабилитрона ввыборке с его напряжением стабилизации Х и емкостью запертого переходаХ при нормальной температуре. Коэффициенты могут быть найдены, например, методом наименьших квадратов.Для определения ТКНС любого вновьпредъявленного стабилитрона данноготипа измеряют у этого стабилитронапри нормальной температуре его напряжение стабилизации и емкость запертого перехода в предпробойной области и вычисляют искоьий ТКНС с помощьюранее найденной математической мо-,дели связи,Экспериментальная проверка способаопределения ТКНС полупроводниковыхстабилитронов показала, что он дает снижение среднеквадратическойпогрешности определения ТКНС до 6по сравнению с 16 по способу-прототипу. Время определения ТКНС составляет менее 1 мин, что позволяетиспольэовать его также при входномконтроле стабилитронов, осуществляемом в процессе производства электронной аппаратуры, для подбора такойпары полупроводниковых приборов,которая обеспечивает минимальныйтемпературный коэффициент параметровузла аппарата за счет взаимной термокомпенсации.
СмотретьЗаявка
3426192, 16.04.1982
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ, НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ "САПФИР"
ПОКРОВСКИЙ ФЕЛИКС НИКОЛАЕВИЧ, ЕГОРЕНКОВ ВЛАДИМИР АНАТОЛЬЕВИЧ, БУМАРИН ДМИТРИЙ ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: коэффициента, полупроводниковых, стабилизации, стабилитронов, температурного
Опубликовано: 30.06.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1100587-sposob-opredeleniya-temperaturnogo-koehfficienta-napryazheniya-stabilizacii-poluprovodnikovykh-stabilitronov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения температурного коэффициента напряжения стабилизации полупроводниковых стабилитронов</a>
Устройство для измерения коэффициентов термоэдс халькогенидных полупроводниковых термоэлектрических материалов
Номер патента: 555463
Опубликовано: 25.04.1977
Авторы: Лященок, Плехоткина, Стрекопытова, Федоров
МПК: H01L 21/66
Метки: коэффициентов, полупроводниковых, термоэдс, термоэлектрических, халькогенидных
...внутри З 0которого асимметрично располагается измерительная ячейха, создает осевой градиенттемпературы и стабилизирует температурноеполе. Экраны 1 1 устраняют конвекционныепотоки газа, стабилизируя температурное 85поле.Последовательность работы с устройствомследующая,Размельченное исследуемое вешество загружается в измерительную ячейку через от 40верстие, которое закрывается графитовой пробкой 9. Затем ячейку помешают внутрь разъемного блока 10, Камеру 12 вакуумируют и заполняют очищенным от кислорода инертным газом.Исследуемое вещество расплавляют при помо 45ши нагревательной печи 13. Осевой градиенттемпературы устанавливается перемещениемпечи вдоль вакуумного колпака, а рабочаятемпература - выбором необходимой м ощности печи. После...
Способ измерения коэффициента диффузии носителей заряда в полупроводниках, содержащих переход
Номер патента: 620918
Опубликовано: 25.08.1978
МПК: H01L 21/66
Метки: диффузии, заряда, коэффициента, носителей, переход, полупроводниках, содержащих
...в сильных электрических СВЧ полях.Цель изобретения - повышение точности измерений.Это достигается тем, что на исследуемый полупроводник воздействуют однородным СВЧ полем, определяют отношение тангенсов угла наклона вольтамперной характеристики образца в электрическом поле и без него, а коэффициент диффузии носителей заряда определяют по формуле620918 Е) =(1 - е 11О, 1 х.,Составитель Т. ДозоровТехред О. Луговая. Корректор А. Власенко Тираж 1112 Подписное Редактор Л. ГребенниковаЗаказ 4649/42 ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 411 - термоЭДС горячих носителей заряда;Х - отношение тангенсов...
Способ измерения коэффициента теплопроводности полупроводникового образца
Номер патента: 1636753
Опубликовано: 23.03.1991
Автор: Грядунов
МПК: G01N 25/18
Метки: коэффициента, образца, полупроводникового, теплопроводности
..." температура свободнойграни образца, параллельной теплоконтактной;т " температура внешней средыО и О - измеряете величины разноствих электрическихсигнапов, определякщиеразности температур между внешней средой и, соответственно, теппокон"тактной и свободной гранямиК и К" коэффициенты, определяющие преобразование величин измеряемых раэностных электрических сигналов в информации о разностях температур междувнешней средой и, соответственно, теппоконтактной и свободной гранями.Для снижения погрешности измерения коэффициента теплопроводности путем повышения точности определения отношениявеличину последнего определяют по отношению величины переменного сопротивления Рк величине эталонного Р, при балансе резистивного моста 7 в соответствии с...
Способ измерения коэффициента шума и температуры шума активного четырехполюсника
Номер патента: 548813
Опубликовано: 28.02.1977
Автор: Мартышевский
МПК: G01R 17/04
Метки: активного, коэффициента, температуры, четырехполюсника, шума
...генератор шума 1, в качестве нагрузки в котором используется согласованная поглощающая нагрузка 2, охлаждаемая жидким гелиемилп азотом. С выхода сигнал через направленный ответвптель 3 поступает на вход измеря 30 емого активного четырехпол 1 осппка 4, куда30 40 45 оставнтсль Д. Веириицев Текред А, Ка аышникова Редактор Е. Ка Корректор О. Тюрина ва Заказ 363/19ЦНИ Изд.239 Тираж 1054 И Государственного козштета Совета Министров СС ио делам изобретений и открытий 113035, Москва, 7 К, Раушская наб.,;1. 4 5одииснос ииография, ир. Саиунона,одновременно из тракта опорного сигнала, состоящего из аттенюатора 5, имеющего два фиксированных положения, и генератора опорного сигнала б подается сигнал вида У=Ус Сов Ы (где озв - частота СВЧ-колебания)....
Способ измерения коэффициентов отраженияматериалов при низких температурах
Номер патента: 851207
Опубликовано: 30.07.1981
Авторы: Буяков, Прудников, Слободкин, Трипуть
МПК: G01N 21/55
Метки: коэффициентов, низких, отраженияматериалов, температурах
...приставку, сферы, эталон (модель абсолютно черного тела),851207 Формула изобретения Составитель В. Юртаев Редактор И.Михеева Техред А. Бойкас Корректор Г. Решетник Заказ 6340/59 Тираж 907 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4системы вакуумирования, охлаждения, напуска газов и регулирования температуры.Особенностью работы двухлучевых спектрофотометров является автоматическая компенсация разности в лучистых потоках междудвумя каналами за счет введения оптического клина в канале эталона, Относительнаявеличина этой разности прямо пропорциональна коэффициенту отражения образцаОптическая приставка...
Предыдущий патент: Способ отбраковки шумовых лавинно-пролетных диодов
Следующий патент: Устройство для измерения вольт-фарадных характеристик
Случайный патент: Система блокировки для автомобиля в передаче на переднюю и заднюю оси с непрерывным приводом на все колеса