Соединительная структура для сборки полупроводниковых приборов

(54)57) СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ СТРУКСБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБ 05 К 1 00 Н 01 С 23 4. содержащая диэлектрическую подложку с размещенными на ней токопроводящими выводами, одни концы которых предназначены для соединения с контактными площадками корпуса, а дру.гие - с контактными площадками полупроводникового прибора, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения надежности приборов, она снабжена компенсирующими элементами, , соединяющими выводы и выполненными из материала подложки.Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструккиям полупроводниковых приборов свыводными рамками,Известна конструкция соединительной структуры для сборки полупроводниковых приборов, содержащая в рабочей зоне компенсирующие элементы,размещенные на выводах рамки 1,Наиболее близкой по техническойсущности к изобретению является 10конструкция соединительной структурыддя сборки полупроводниковых приборов, содержащая диэлектрическуюподложку с размещенной на ней системОЙ токОПРОВОдящих ВыВОДОВр Одни кОн 15цы которых соединены с контактнымиплощадками полупроводникового прибора, а другие в . с контактнымиплощадками корпуса (2) .Недостатком известных конструкцийяВляется низхая надежность в связис отоутствием в рабочей зоне структуры. компенсирующих элементов,соединяющих Выводы рамки,Целью изобретения являетсяповышение надежности приборов. 25Указанная цель достигается тем,чтб соединительная структура длясборки полупроводниковых приборов,.содержащая диэлектрическую подложкус размещенными на ней токопроводящими выводами, одни концы которых,предназначены для соединения с контактными площадками корпуса, а другие - с контактными площадками полупроводникового прибора, снабженакомпенсирующими элементами, соединяющими выводы и выполненными изматериала подложки,Компенсирующие элементы, расположенные в рабочей зоне выводов,40необходимы как при монтаже интегральных схем (ИС), так и В процессе ееработы, так как они играют рольмеханических, тепловых компенсаторови придают выводам большую эластичность,45Характерной чертой соединительнойструктуры является также и то, чтодиэлектрические компенсирующие элементы выполнены из материала подложки в едином технологическом цикле 50изготовления системы выводов.0формадиэлектрических компенсирующих элементов, расположенных врабочей зоне, может быть В виде любой 55геометрической фигуры,. например колец, полых тонкостенных ромбов,прямоугольников,На чертеже представлена конструкция соединительной структуры,Соединительная структура состоитиз двух зон; рабочей и технологи. ческой, Соединительная структурасодержит диэлектрическую подложку 1,с токопроводящими выводами 2 (Выводы,65 находящиеся в технологической зоне,в работе готового прибора не участвуют и после монтажа кристалла ккорпусу технологическая зона удаляется),Выводы, находящиеся в рабочейзоне, состоят из внутренних концов 3,которые присоединяются к контактнымплощадкам 4 полупроводникового прибора 5, и внешних концов б, которыеприсоединяются к контактным площадкам 7 корпуса или платы, Между внутренними и внешними концами выводов,образующих рабочую зону, располагаются компенсирующие элементы 8 ввиде колец различной формы, предохраняющие выводы от различных механи-.ческих и тепловых воздействий какпри монтаже ИС, так и в процессе ееработы.Учитывая то, что выводы и компенсирующие элементы, изготовленные изалюминия толщиной 30 мкм, в процессе.мойтажа, или работы ИС,изгибаются,они" скреплены компенсирующими элементами 9 в виде колец, изготовленных из материала подложки в одномтехнологическом цикле, для обеспечения единой плоскопараллельной системы выводов.Придание плоскопараллельностисоединительной структуре необходимодля повышения надежности прибора,так как компенсирующие элементы,расположенные в рабочей зоне вывода,изгибаясь в процессе монтажа ИС иее работы, электрически замыкаютблизколежащие токопроводящие эле менты.Предлагаемую соединительную структуру изготавливают из лакофольгового материала марки ФДИ-АП 50, представляющего собой двухслойный материал, где первый слой - алюминий толщиной 30 мкм, используемый в качестве токопроводящего слоя, вто-, рой слой " полиимид толщиной 20 мкм, используемый в качестве диэлектрического слоя.Топологический рисунок на алюминии и полиимиде получают методомфотолитографии с последующим химическим фреэерованием,Построение топологического рисунка подается таким образом, чтобывнутренние концы выводов совпадалис контактными площадками прибора,а внешние концы - с контактнымиплощадками корпуса, В местах контактирования выводов и других необходи"мых технологических зонах в полиимиде вскрывают окна,Таким образом, данное изобретение позволяет повысить производительность труда на сборочных операциях1053336на 30; механизировать н автомати- на 20; повысить надежность ИС в раэировать процесс сборки ИС; увеличить боте прн различных климатических выход годных на сборочных операциях воздействиях более, чем в 2 раза,Составитель В, Любавин Редактор Г. Волкова Техред Т.МаточкаКорректор Г.Решетник Эаказ 8905/59 . Тираж 845 . ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Рауюская наб., д, 4/5ю е ю Ш Е ЮФилиал ППП "Патентф, г, Ужгород, ул. Проектная, 4