Лякас
Устройство для подачи смазочно-охлаждающей жидкости (сож) к мультипликаторной головке
Номер патента: 1720834
Опубликовано: 23.03.1992
Авторы: Ковальчук, Лякас
МПК: B23Q 11/10
Метки: головке, жидкости, мультипликаторной, подачи, смазочно-охлаждающей, сож
...в котором расположен обратный клапан 7, В этом же отверстии пальца 6 установлен патрубок 8, жестко связанный с гильзой 1, Устройство содержит также закрепленное на выходе патрубка 8, сопло 9, штуцер 10 подвода СОЖ с углублением 11 под палец 6 с уплотнением 12, закрепленный на мультипликаторной головке стопорный блок 13 с пазом 14, стопорная пластина 15 которого закреплена на пальце 6,Устройство работает следующим образом.При исходном положении стопорная пластина 15 под действием пружины 5 помещается в паэ 14 стопорного блока 13, Далее при размещении мультипликаторной отверстии пальца патрубка 8 с соплом 9 и неподвижной гильзы 1, СОЖ под давлением через штуцер 10, обратный клапан 7, отверстие в пальце 6, патрубок 8 и сопло 9...
Устройство для измерения емкости, зашунтированной проводимостью
Номер патента: 1636797
Опубликовано: 23.03.1991
Авторы: Вайткус, Лякас, Пранайтис
МПК: G01R 27/26
Метки: емкости, зашунтированной, проводимостью
...объекта и элемента с регулируемой ДП, управляемого напряжением (фиг.2), приводит к следую щим выражениям для эквивалентных значений измеряемой емкости Сэкв и проводимости О,экв.С, - эквивалентаня емкость элемента (ДП) при установленном напряжении смещения;Оэ,экв - эквивалентная дифференциальная проводимость элемента (ДП) при установленном напряжении смещения.Для элемента с регулируемой ДП, управляемого напряжением, значения.Сэ,экв и Оэ,экв ОПрвдЕЛяЮТСя ВЫражЕНияМИ Сэ,экв(1 + йэ Бэ-В 1.э Сэ) +СО (1 эбэ+йэ Сэ) где Оэ - эквивалентная дифференциальная проводимость элемента (ДП); в - круговая частота; Йэ - паразитное сопротивление элемента (ДП);Ь - паразитная индуктивность элемента (ДП);Сэ - эквивалентная емкость элемента (ДП).Анализ...
Устройство для измерения сопротивления контактов к полупроводникам
Номер патента: 1287039
Опубликовано: 30.01.1987
Авторы: Левитас, Лякас
МПК: G01R 27/02
Метки: контактов, полупроводникам, сопротивления
...резистора 2и первой выходной клемме 4, выходблока вычитания 3 соединен с первымвходом (вход уц) регистрирующегоприбора 5, второй вход которого соединен с третьей выходной клеммой 6, 30вторая выходная клемма 7 подключенак общей шине устройства.Устройство работает следующимобразом.Исследуемый образец в форме пластины со сформированными ца ее поверхности не менее, чем тремя контактами8-10 известной площади и формы подключается соответственно к выходнымклеммам 4, 7 и 6 устройства, причем 40исследуемый внутренний контакт 9подключается к второй клемме 7.Периодическая последовательностькоротких импульсов, промодулироваццаяпо амплитуде по пилообразному закону, 45с выхода генератора 1 через токосъемный резистор 2 и первую...
Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов
Номер патента: 1095114
Опубликовано: 30.05.1984
Авторы: Лякас, Привитень
МПК: G01R 31/26
Метки: вольтамперных, исследования, полупроводниковых, приборов, характеристик
...второго блока выборки и хранения - с входом горизонтального отклонения осциллографа, а управляющие входы блоков выборки и хранения подключены к выходу генератора импульсов.На фиг.1 представлена блок-схема устройства; на фиг,2 - временные диаграммы напряжения в случае исследования быстродействующего туннельного диода (ТД); на фиг.3 - наблюдаемая на экране осциллографа ВАХ ТД.Устройство для исследования вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов содержит генератор напряжения, мост 2 Уинстона, в плечи которого и измерительную диагональ включены резисторы 3-8, клеммы 9 и 10 для подключения испытуемого прибора включены в одно из ппеч моста 2 и осциллограф 11, генератор 12 импульсов (ГИ), модулятор 13, усилитель 14, два блока 15,...