Способ изготовления перепрограммируемого элемента памяти

(46) 23.09.92, Бюл, М1211 4339795/24 3 ГОСУДАРСТНЕННИЙ КОМИТЕТпо изовРктениям и отнрцтипрИ Гннт сссР ОЛИЬАНИЕ ИЗН АВТОРСИОМУ СВИДЕ(54) спосОБ изГОтО 11 ленил перепрОГРМИРУЕМОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ(57) Изобретение относится к микрэлектронике и может быть использоно при-изготовлении полупроводниквых приборов и интегральных микросхем. Цель изобретения - повьаенибыстродействия и помехоустойчивости элемента памяти, Для этого цель в процессе изготовления элемента паин. ти наносят третий слой поликремния, проводят окисление третьего слоя поликремния с образованием пятого слоя 7 окисла кремния и одновременно - Формирование в приповерхностном слое полупроводниковой подложки областей 8 второго типа проводимости второй группы методом диФФузии; Затем проводят селективное .травление пятого слоя 7 окисла кремния, Образовавшиеся области 8 устраняют зФФек ограничения тока элемента памяти на стенке затворов МОП- и МНОП-транзисторов, 9 ил.О , р 1 (эОТОелецнц плупровоенкоых рборот( т ттнтетрЕЕ.Еых микэосхемепео изобретения ЯвлЯется пОВьппе.цие бы(.1 род(тиствтя и е 10 мехоустойчиости элетецтя цдмт тид Фи,1-9 показана последователь 10ИОсть иэготовления элемен 7 я памятицо предлагаемому способу,После химической обработки полупроводниковой подложкивыращиваютпервый спой 2 полэатворного окиела 15октмтия толщиной 350 А, нзеостт теерРый слОЙ 3 поликремниЯ ТОлщиной000 Х, проводят диффузию Фосфора изгд:Оной Фзы в сл(эй 3 в ре(име Т950 С, : =15 мц, химическим правлением снимаот обрдэовавцийся придете)ц)уз 11 слой ОсФО)но-сихеикЯ 1 ногостекла, выращивая)т на первом слое 3полц(ремция второй слой 4 термичесокого окисла кремя то.пщицой 250 Л,наносят 71 етиЙ (лой 5 пиролитическогоокис.д кремния толщиной 300 Л (Фиг,1),проводят Фотолитогра(1 ео, плазмохимическим травлением последовательноудаляют слои 5, А, 3, 2, снимаот Фоторезист проводят химическую обра-ботку.Якты Образом (1017 мируют подзатВО)"цый окисел кремния, затворы и верхиооиэоляЦепо 3 дтеоров 1 ОП трЯнзисторов 35)(Фиг.2). Д)лее наносят слои 6 нет 1 егировдцного поликремния тох 1 пой 300 Л,проводят термическое окисление в паордх подь( в режиме Г =: 850 С, =18 минпри давлении 15 атм. ,в процессе которого третий слой 6 поликремния преобразуется в пятый слой 7 окисла. кремния. Одновременно с окислениемт 1 эеть( О слоя 6 поли 111 эемни 51 происходит 1 ИФФузи 1 11 римеси (В ддееном случде (1 Ос(тора) из 701)цое) слОЯ 3 Вслое 6 нелегировацного поликремнияи далее в подложку 1 (Фетг.4), с форми;эованием в подложке 1 нап 1 эотивторцов затворов МОП-транзисторов области 8 и-типа проводимости (Фиг.5),что устраняет эффект Ограничения тока эл(.мее 1 та памяти, Бьбрацеьй )ее(иокисления с 105,6 поликремция обеспечивает глубину областей 8 (Ф)и,5)- Ц,З мкм и ширину этих областей "-О,Е мкм, оэмтровдтие таким Способом локанвк Об 5 йстей 8 и-типа троВОДИМО( ТИ ИС 1 ЛЮЧ ЕЕ Т В ОЗМОжОСЬ ДБ за тв орое ) на соседив участки в частности участок кдцдлд МОП-транзистора, через Окруждощуо атмосферу), тдк как участок будупего кдцаля МНОП-транзистора защищен слоем 6 целегированцого поликремния, Это снижает дисперсию порогового цапрякения МНОП-транзистора.Слой 7 окисла кремния, получеццьп в результате окисления поликремция, удаляют анизотропным птдзмохимическим травлением с горизонтальных учдсткотз структуры, оставляя его нд вертикальных стенках затворов (фиг,5). Затея проводят химическуо обработку, наносят туннельно-прозрачный четве 1)тый слОЙ Окисла креме 1 ияотолщиной 16.1,5 Л и слой нитридао кремния толщиной 200+15 Л. В совокупности эти два слоя представляот собой здпоминдощую среду слоя 9 )цт.6) МНОП-транзистора.Затем наеОсят Второ 1 слОИ 10 пооликремния толщиной ч 000 Л, проводятФотолитографию, травление слоя 10поликремния, слоя 9 нитрида кгемнияИ ТУЕЦЕЛЪЦО ПРОЗРДЧНОГО ОИС 11 Д СЕ 1 Имаот Фоторезист, проводят ионноелегировдние Фосфором (Фег./)В процессе ионного легировяния Формируются области 11 второго типа етроводтости вт 01)ой группы. обеспечивается требуемдЯ э 1 ектро 1 роводность затвора 11 ОП-транзистора. После ионного легировдния проводят плязмохжичесттуео очистку, хпмнческуео обработку, выращивают нд цо)еесретцеии шестой слой 12 термического окислаокремния толщиной 000 Л. Для сглаживаеия рельея с целью исключения разрывов алкминиевой рдзВОдКН Наносят слой 13 ФосФорно-силикатного стекла толщиной 10000 Х и проводят его оплавлецие, После оплавления длявскрытия контактных окон к подложке 1 истоковым и стОковым р и переХО ддм (Областям 11), затворам МОП- и МНОП-трднзи( торов проводят Фотолитографиго, плдзмохимическое травение слоев 13, 12, снхР 1 дот Фотоэезист, па ЫН 5 ит (лои( ял:от:иния п 1)оводт 7 070 лцто 1 1 афию т)Яв(ение слоя 1 се 111 аот ФОТОэези(7) вжигдк)т дл 1 пмицнйФ О р м у и д и 1 г) б р г 1 е и и яСпособ изгг 1 тг 111.г 1 генигг перенрогрдмми - руемого элемента памяти, Рклгячдкпяий последовательное нанесение на поверхность полупроводниковой подлож 5 ки первого типа проводимости первого слоя окисла кремния, первого слоя поликремния, второго слоя окисла кремния третьего слоя окисла кремния, сеггективцое плдзмохимическое травление третьего слоя окисла кремния, второго слоя окисла кремния, первого слоя поликремния, селективцое плазмохимическое травление перво го слоя окисла кремния, последователь- ное нанесение четвертого слоя окисла кремния, слоя цитрида кремния, второго слоя поликремния, селективное травление второго слоя поликремния, 20 с 11 .1 111 гтр 1111;1 Крг;11111 я, чг твг рт 11 го гггоя(1 КИГ 1111 КРЕгп 1111, ФГ 1 РМИРОЕД 111 гф Р ИРН -11 ОРг Г 1 Х 11 ог. Т 11 г 1 М Слг 1 ИОПУ 11 роггвцН 11 КГ) РОЙподложки облав я с й Р т 11 ро 1 о типа ггроВОД 11 М 1 СТ 1 Г ПЕРВОЙ ГРУППЫ, О т Л Ич 11 гг 1 щ 11 1"г с я тем, что, с целью НОРМченггя бистродеЙстВНЯ и пом 1.ХОУСтОйЧИВОСтИ Э 111 МЕЦТД ПаМЯтк, ПОСЛЕ селективного плаэмохимичского трав . пения первого слоя окислд кремния наносят третин слой поликремцггя, проводят окислеггие третье го слоя гголикремния с образованием пятого слоя окисла кремния и одновременно - ФормироваНне В ПрИПОРЕрХНОСТНОМ СЛОЕ ПОЛуПрО- водниковой иодлояки областей второго типа проводимости второй группы, затем проводят селективное травление гятого слоя окисла кремния.1496524 ФИГ,6 ьева ецактор Г.Бельская орректор З.Лончакоаа Тиражного комитета по иэобретениям035, Иосква, Я, Раушская на Зака ВНИИ ГКНТ СС Производственно-издательский комбинат "Патент",г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 058Государств Составитель Л.АмТекред И.Ходани Подписное открытиям , д, 4/5