Патенты с меткой «перепрограммируемого»

Номер патента: 1231484

Опубликовано: 15.05.1986

Авторы: Глинкин, Грошев, Муромцев, Тимуржи

МПК: G05B 19/02

Метки: освещения, перепрограммируемого, уровнем

...импульсов б, на выходе 15последнего появляется импульс по переднему фронту сигнала регистра сдвига 5 (фиг. 2 к). Этот импульс поступает на управляющий вход симисторногорегулятора, обеспечивая при этом регулировку напряжения за счет включения его в каждый полупериод черезвремяв соответствии с фазой у.определяемой кодом М.(фиг. 2 5 ). Всоответствии с этим на нагрузке будет 25происходить плавный "рассвет" и плавный "закат" (фиг. 2 и ).Между плавными рассветом" и закатомн находится режим День, которыйопределяется временем конца "рассве- ЗОта (начало дня)М и временем концадня (начало "заката") М . В периоддня код ( И = 50) остается постоянным на протяжении некоторого времени(между й и М, ). Симисторный регуля-З 5тор 10 открыт на весь...

Номер патента: 1471222

Опубликовано: 07.04.1989

Автор: Вохмянин

МПК: G11C 17/00

Метки: емкостного, запоминающего, накопитель, перепрограммируемого, типа, устройства

...раз" рядных шинах и жестко связаны с адресными шинами. Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для создания запоминающих устройств, для которых важным Фактором является воэможность смены информа-ции эа короткое время.Цель изобретения - упрощение накопителя и сокращение времени перепрограммирования.На фиг. 1 представлен Фрагмент накопителя; на Фиг, 2 - конструктивное выполнение разрядных шин с элементами связи.Накопитель содержит адресные 1 и разрядные 2 шины, элементы 3 связи ,:емкостного типа. Разрядные шины 2 выполнены в виде круглых стержней с кольцевыми канавками 4, равномерно расположенными по всей длине стержня. Наружная поверхность стержня покрыта электроизоляционным материалом 5, например стержни...

Номер патента: 1496524

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гладких, Муравский, Сайбель, Титов

МПК: G11C 17/14

Метки: памяти, перепрограммируемого, элемента

...ОЗМОжОСЬ ДБ за тв орое ) на соседив участки в частности участок кдцдлд МОП-транзистора, через Окруждощуо атмосферу), тдк как участок будупего кдцаля МНОП-транзистора защищен слоем 6 целегированцого поликремния, Это снижает дисперсию порогового цапрякения МНОП-транзистора.Слой 7 окисла кремния, получеццьп в результате окисления поликремция, удаляют анизотропным птдзмохимическим травлением с горизонтальных учдсткотз структуры, оставляя его нд вертикальных стенках затворов (фиг,5). Затея проводят химическуо обработку, наносят туннельно-прозрачный четве 1)тый слОЙ Окисла креме 1 ияотолщиной 16.1,5 Л и слой нитридао кремния толщиной 200+15 Л. В совокупности эти два слоя представляот собой здпоминдощую среду слоя 9 )цт.6)...