Элемент памяти

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 1049943

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Ильин, Шульгин

МПК: G08B 23/00

Метки: аварийной, многоточечной, сигнализации

...содержащее ячейкисигнализации, каждая ного элемента памяти, каждой ячейкисигнализации подключен к соьтнетствующему входу элемента ИЛИ, вторыевыводы датчиков объединены, введеныпервый и второй одновибраторы и переключатель, а в каждую ячейку сигнализации введены элемент задержки,первый и второй эдементы И, первыйи второй счетчики, перный выходпервого элемента памяти через элемент задержки подключен к первомувходу первого счетчика, выход которого соединен с первым входом первого элемента И, выход которогоподключен к первому вхОду второгосчетчика, выход которого соединен спервым входом второго элемента И,выход которого подключен к второмувыводу первого индикатора, второйвыход первого элемента памяти соединен с вторым входом второго...

Номер патента: 1405088

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элемент, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства

...с записанным зарядом сток инвертируется с истоком, т. е. подается напряжение= 6 = .,3, до появления тока в канале величицой 1 мкА.Экспериментальные зависимости (фиг. 1) резЯсняют принцип считывания информации, если ее записывать как со стороны стока, так и со стороны истока. Пусть к затвору элемента приложено некоторое напряжение Ц = -1-5 В, находящееся внутри межпороговой зоны МНОП-элемента., = 2 В, ) = 9 В). Если элемент находится ц исходном состоянии, то его выход. цая характеристика имеет виднезависичо от того, какой электрод является стоком, т. е. ток в канале идет при любом напряжении ца стоке (1, . Если произведена запись со стороны стока, то эта характеристика примет вид 2. При этом напряжение ( соответствует напряжению...

Номер патента: 1737514

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Маринчук, Поплевин, Трошин, Чекмазов

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...предварительного резервирования, значительно упростив его по сравнению с известным,На чертеже приведена схема предлагаемого элемента памяти.Элемент памяти содержит транзисторы 1 - 4, образующие запоминающий элемент, второй ключевой транзистор 5, плавкую перемычку б, первый ключевой транзистор 7, элемент И 8,шину питания 9, вход предварительного резервирования 10, выход 11, шину нулевого потенциала 12, вход разрешения резервирования 13, адресный вход 14,Истоки 3 и 4 транзисторов запоминающего элемента соединены с шиной питания 9, а стоки транзисторов 2 и 3 с затворами транзисторов 1 и 4 и выходом элемента 11, Истоки транзисторов 1 и 2 запоминающего элемента подключены к шине нулевого потенциала 12 и истоку первого ключевого транзистора 7,...

Номер патента: 834767

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Милошевский, Яковлев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...- напряжение перекрытия кана%ла транзистора х (1=2, 3,. 4, 5) .Пусть крутизна транзисторов 2 и 3 выше, чем крутизна транзисторов 4 и 5( и 1 оЬ 1 М 4 э ЭП работает следующим образом.Если 067 удовлетворяет условию (1) (режим хранения информации), то ЭП может находиться в любом из следующих двух устойчивых состояний, В первом состоянии (пусть оно соответствует, например, 0 двоичной информации) транзисторы 2 и 3 закрыты, а 4 и 5 открыты, вследствие чего У близко к О. Во втором состоянии, соответствующем 1 двоичной информации, транзисторы 2 и 3 открыты, а 4 и 5 закрыты и Ц близко к Ц 6. В обоих состояниях мощность, рассеиваемая ЭП, мала и обусловлена лишь токами утечки.Если ц- увеличить настолько, чтобы оно несколько превысило Уи (режим...