Элемент памяти

(5 ГОСУДАРСТВЕНПО ИЗОБРЕТЕНПРИ ПНт СССР НОМИТЕТ ОЧЯРЬПИЯ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЬСТВУ К АВТОРСКОМУ С 3(57) Изобретение тельной технике эовано в постоян устройстве на ИЦП граммируемых тех изобретения - по элемента памяти что расстояние м и третьей полупр составляет 0,3-0 ду краями первой никовых областей овательски 8. 8)4546451980.28563,1982. ра с обогащением), диэлектрический слой 2 - подзатворным диэлектриком, области.4 второго типа проводимости- стоком,истоком, области 5,6 второго типа проводимости - областями истока и стока, уменьшающими эффективную длину канала при постоянной ширине, области 3.Элемент памяти (фиг.1) с вольтамперной характеристикой "а" харак" теризует одноустойчивое состояпие.Элемент памяти (фиг,2) без области 5 второго типа проводимости с наименьшей крутизной вольт-амперной ха рактеристики "б" характеризует другое состояние.В матричном накопителе для по" стоянного запоминающего устройства на однобцтньех элементах памяти, находя-щихся, в одном из двух устойчивых состояний, используют элементы (фиг,1) для единичного состояния и(56) Патент США Ркл . С 11 С 17/00,Патент США У 43кл. Г 11 С 17/00,(54) ЭЛЕИЕЖ 1 ЛМЯП 1 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в матричном накопителе для постоянного запоминающего устройства на ИДП-транзисторах с различной дли" ной какала, программируемой технологически.Целью изобретения является повышение надежности элемента. памяти.Ка фиг.1-3 приведены сечения эле;. ментов памяти, находящихся в различных устойчивых состояниях, на фиг,4их вольт-амперные характеристики (а-в соответственно).Элемент памяти содержит полупроводниковую подложку 1, диэлектрическийой 2, проводящую область 3, первую и вторую полупроводниковые области 4третью полупроводниковую область 5, четвертую полупроводниковую область бПроводящая область 3 является зат" вором элемента памяти (ИДП-транзисто" относится к вычисли может быть исполь" ом запоминающем -транзисторах, про" ологически, Цельышение цадежпости достигается тем, жду краями первой водниковых областей .4 от расстояния межи второй полупровод зопв ф-лиу 4 илаэлементы (Фиг.2) для нулевого состоянняаРабота элемента памяти заключает"ся в следующем,5При подаче относительно истоканизкого положительного напряжения(+5 В) ца область 3, на сток - болеенизкого положительного напряжения1-2 В) череэ него протекает ток, обратно пропорциональный эФФективнойдлине канала. С помощью усилителясчитывания величина тока (больйаяили малая) преобразуется в двоичнуюинформацию (единичную или нулевую).При подаче нулевого напряженияца область 3 элементы памяти (Фиг.1,2) находятся в закрытом состоянии,ток через нцх пе протекает,В элементе памяти (Фиг.З) за счет 20размещения области 6 второго типапроводимости обеспечивается наименьщая эФФективная длина канала, наиболь- .шая крутизна вольт-амперной характеристики ив, чем для элементов (Фиг.1.,52), что характеризует,третье состояние.Такой элемент памяти (Фиг.З) царя"ду с элементамц (фиг.1,2) может бытьиспользован в ПЗУ с троичной логикой или в ПЗУ с двоичной логикой спреобразованием троичной информациив двоичную с использованием соответствующих усилителей считывания, приэтом информационная емкость накопи"теля увеличиватеся в 1,5 раза.А о р м у л а изобретения 1. Элемент памяти, содержащийполупроводниковую подложку первого 40 типа проводимости, диэлектрический слой, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки, первую и вторую полупроводниковые области второго типа проводимости, расположенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, проводящую об" пасть, расположенную на диэлектрическом слое между первой и второй полу" проводниковыми.областямИ с перекрЫ" тием их краев, третью полупроводни" ковую область второго типа проводимости, расположенную в приповерхцостном слое полупроводциковой подложки между первой и второй полупроводниковыми областями с примыканием к краю первой полупроводниковой области, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьппения.надежности эпе" мента памяти, расстояние между краями первой и третьей полупроводниковых областей составляет 30-40% от расстоя ния между краями первой и второй полупроводниковых областей.2. Элемент памяти по и.1, о т л и" ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения инФормационной емкости элемента памяти, он содержит четвертую полулроводниковую область второга типа проводимости, расположенную в приповерхностном слое полупроводникь вой подпожки между первой и второй полупроводниковыми областями с примыканием к краю второй полупроводниковой области, причем расстояние между краямц второй и четвертой полупровод пиковых областей составляет 30"40% ат расстояния между краями первой и второй полупроводниковых областейИ 00 ыг Составитель С. КоролевТехред Л.сердюкова Корректор С Редактор Н. Камеис ЧернитЬеювюзиЕ Тираж роиэводственно-издательский комбинатПатент"ул. Гагарина, 10 о аказ 4059НИИПИ Государственно11303 комитета по Москва, Ж"3 Подписноеизобретениям и открытиям при ГК 1 П СС Раушскай йаб, д, 4/5