G11C 17/14 — в которых содержимое определяется путем выборочного размещения, размыкания или модификации соединительных перемычек при помощи постоянного изменения состояния элементов связи, например программируемые постоянные запоминающие устройства

Способ изготовления перепрограммируемого элемента памяти

Загрузка...

Номер патента: 1496524

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гладких, Муравский, Сайбель, Титов

МПК: G11C 17/14

Метки: памяти, перепрограммируемого, элемента

...ОЗМОжОСЬ ДБ за тв орое ) на соседив участки в частности участок кдцдлд МОП-транзистора, через Окруждощуо атмосферу), тдк как участок будупего кдцаля МНОП-транзистора защищен слоем 6 целегированцого поликремния, Это снижает дисперсию порогового цапрякения МНОП-транзистора.Слой 7 окисла кремния, получеццьп в результате окисления поликремция, удаляют анизотропным птдзмохимическим травлением с горизонтальных учдсткотз структуры, оставляя его нд вертикальных стенках затворов (фиг,5). Затея проводят химическуо обработку, наносят туннельно-прозрачный четве 1)тый слОЙ Окисла креме 1 ияотолщиной 16.1,5 Л и слой нитридао кремния толщиной 200+15 Л. В совокупности эти два слоя представляот собой здпоминдощую среду слоя 9 )цт.6)...