G11C 17/14 — в которых содержимое определяется путем выборочного размещения, размыкания или модификации соединительных перемычек при помощи постоянного изменения состояния элементов связи, например программируемые постоянные запоминающие устройства
Способ изготовления перепрограммируемого элемента памяти
Номер патента: 1496524
Опубликовано: 23.09.1992
Авторы: Гладких, Муравский, Сайбель, Титов
МПК: G11C 17/14
Метки: памяти, перепрограммируемого, элемента
...ОЗМОжОСЬ ДБ за тв орое ) на соседив участки в частности участок кдцдлд МОП-транзистора, через Окруждощуо атмосферу), тдк как участок будупего кдцаля МНОП-транзистора защищен слоем 6 целегированцого поликремния, Это снижает дисперсию порогового цапрякения МНОП-транзистора.Слой 7 окисла кремния, получеццьп в результате окисления поликремция, удаляют анизотропным птдзмохимическим травлением с горизонтальных учдсткотз структуры, оставляя его нд вертикальных стенках затворов (фиг,5). Затея проводят химическуо обработку, наносят туннельно-прозрачный четве 1)тый слОЙ Окисла креме 1 ияотолщиной 16.1,5 Л и слой нитридао кремния толщиной 200+15 Л. В совокупности эти два слоя представляот собой здпоминдощую среду слоя 9 )цт.6)...