Евтин

Номер патента: 1767535

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Верходанов, Гладких, Евтин, Латышев, Славнова, Эрмантраут

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...область каналатранзистора с переменным пороговым напряжением проводят по маске фоторезиста5 ионную имплантацию мышьяка 6 энергией 100 кэВ, дозой 0,06 мкКл/см до вытравливания отверстий, Затем после снятияфоторезиста и обработки пластин в полученных отверстиях выращивают туннельно-прозрачный диоксид кремния 7реакцией закиси азота с кремнием в РПДреакторе при 700 С, толщиной 18 А, в томже реакторе на всей поверхности пластинывыращивают слой нитрида кремния 8 при700 С, толщиной 600 А разложением тетрахлорида или дихлорсилана кремния в среде аммиака, После формированияконтактов напыляют алюминий 9 и методами фотолитографии формируют металлизированную разводку и затворы транзисторовсхемы, Затем по маске алюминия проводятионную имплантацию...