Элемент памяти осинова-худякова

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК С 11/40 ТВЕННЫЙ КОМИТЕТЕТЕНИЯМ И ОТНРЦТИЯМСССР ГОСУДАРСПО ИЗОПРИ ГНН ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ СТВУ Н АВТОРСКОМУ.ОСИНО относится к брет е тронн ехнике может быть и и БИС запоми обретения -полающи з ов ано при со зд устройств. Цель асши 4186804/2427,01,8715,04.89,С,Н,Осинов681,327,6(Электроникрис,1,тент США В11 С 11/4.801472948 рение области применения элементапамяти за счет возможности храненияаналоговой информации, По ставленнаяцель достигается тем, что элементпамяти содержит проводящий слой электрода 14 стир ания, который р асположен эа пределами четвертой полупроводниковой области, Это позволяетисключить из элемента памяти электрический контакт канала транзистора и области 5 стирания, В результате на область 5 может быть подананалоговый сигнал, Заряд, соответствующий амплитуде этого сигнала,стекает на слой 4 затвора хранения,где и сохраняется, 3 ил,Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании БИС запоминающих устройств,5Цель изобретения - расширение области применения элемента памяти засчет воэможности хранения аналоговойи нфор мации,На фиг, представлена топологияэлемента памяти; на фиг,2 - разрезА-А на фиг,1; на фиг,3 - разрез Б-Бна фиг,1,Элемент памяти содержит полупроводниковые области 1 стока., 2 истока, 15первый диэлектрический слой 3, прово-.дящий слой затвора 4 хранения, полупроводниковую область 5 стирания,изолирующие области 6, второй диэлектрический слой 7, проводящий слой 20затвора 8 записи, третий диэлектрический слой 9, диэлектрический слой10, электроды 11 и 12 областей стокаи истока 2, полупроводниковуюподложку 13, проводящей слой электрода 14 стирания,Элемент памяти;работает следующим образом.Режим программирования, На область5 подается входной сигнал, при подаче на затвор 8 программирующего напряжения происходит запись информации на затвор 4 хранения исток 2з аземлен,Режим считывания, При подаче назатвор 8 напряжения считывания в зависимости от значения порогового напряжения запрограммированного полевого транзистора в егоканале про"текает ток и на области 1 стока уста навливается выходной сигнал, область2 истока заземлена,Режим стирания, При подаче на область 5 напряжения стирания происходит стекание заряда с затвора запоминания, транзистор переходит в ис"ходное состояние.На основе рассмотренного полевоготранзистора возможно создание аналоГовых запоминающих устроиств а также управляемых квазианалоговых моделей для расширения дифференциальныхуравнений в частных производных,В элементе памяти для заряда и разряда используется механизм туннелирования Фаулера-Нордхейма, которыйявляется двусторонним процессом и мржет быть испол ьз о в ан как для з аряда,так и разряда затвора 4 хранения, Заряд плавающего затвора 4 происходитпри подаче на з атвор 8 з аписи высо"кого положительного напряжения и нулевом стоковом напряжении, При этомэлектроны, обусловливающие зарядвходной информации, проникают из области 5 в затвор 4 через окисел толщиной 10-20 нм, что приводит к изменению порогового напряжения транзистора. Заряд записывается на плаваю"щий затвор 4 до того момента, поканапряженность поля в туннельном диэлектрике превышает некоторое пороговое значение Е 10 В/см, Как только напряженность поля подает меньшеЕ , туннельный ток резко падает и запись заряда прекращается,Элемент памяти изготавливается вподложке 13 р-типа и содержит первую1 и вторую 2 области, соответствующие областяМ.: истока и стока транзистора, первый диэлектрический слой3 тодщиной 500-1000 А, находящийсянад каналом, поликремниевый плавающий затвор 4, изолированный от канала первым диэлектрическим слоем 3,находящийся над каналом и областью5, Область изолирована от областей1 и 2 и канала окислом и лежит внеобласти канала транзистора, Транзистор содержит второй окисный слой 7толщиной 10-20 нм, расположенный надобл аст ью 5, 3 ат вор 8 з аписи р асположен над плавающим затвором 4 и изолирован от него третьим . диэлектрическим слоем 9 толщиной 800- 1200 ОА,формула изобр ет ения Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, три полупроводниковыеобласти второго типа проводимости, которые являются областями стока, истока и стирания элемента памяти соотвественно и расположены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, четвертую полупроводниковую область первого типа проводимости, расположенную в приповерхностном слое полупроводниковой подложки между первой и второй полупроводниковыми областями, которая является областью канала элемента памяти, первыйдиэлектрический слой, расположенныймежду первой и второй полупроводниковыми областями на поверхности полу-,проводниковой подложки, второй ди",.электрический слой, который располо-,1472948 жен на поверхности полупроводниковой подложки над первой частьютретьей полупроводниковой области иявляется туннельно-тонким, проводящий слой з ат вор а хр анения элемент апамяти, расположенный на поверхностях первого и второго диэлектрических слоев, третий диэлектрическийслой, расположенный на поверхностипроводящего слоя затвора храненияэлемента памяти, проводящий слойзатвора записи элемента памяти, рас 7 Фиг,У оставитель С,Королевехред А.Кравчук Кор Л.Весел а ор Л,Зайц Тираж 558 твенного комитета по изобретения 113035, Москва, Ж, РаушскаяЗаказ 1717/50ВНИИПИ Госуда Подписии открытиям при Гб, д. 4/5 г.ужгор бинат "Пате Гагарина,0 Производственно-издательск положенный на поверхности третьего диэлектрического слоя, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью расширения области применения элемента памяти за счет возможности хранения аналоговой информации, он содержит проводящий слой электрода стирания элемента памяти, который примыкает к второй части третьей полупроводнио ковой области, которая расположена за пределами четвертой полупроводниковой области.