Элемент памяти

,8)ника. Сер.82 ав тома итс и технике и мот быть использо но в постоянныхствах. Целью апоминающих уст мй являчетверт нанесе ром сформи5, 6 кнесен слой металлич сформиро щие обла тям 5, 6 ческий с дки оторого скои ра аны вто ти 7, 8 а зате ой защи ая и третья проводя к контактным обласнанесен диэлектриы 9, Область 1 рас 7, 8 лов,ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ изобретения является повышение ст 1 зобретецие относится к электронике и предназначено для использов ния в постоянных запоминающих устр ствах.Цель изобретения - повышение надежности элемента памяти,Ца фиг.1 и 2 представлен элементпамяти, виц сверху и сечения.Запоминающий элемент согласноизобретению выполнен следующим образом (фиг,1),Первая проводящая область 1ется плавкой перемычкой, на которуюнанесен слой диэлектрика 2, изолирующий плавкую перемычку отгроводящей области 3. Далееслой диэлектрика 4, в которованы контактные областиперемычке. После этого на бильцости элемента памяти, Поставленная цель достигается тем, чтоэлемент памяти содержит областьдиэлектрика ц четвертую проводящуюобласть, причем четвертая проводящаобласть расположена на поверхностидиэлектрика, а область диэлектрикарасположена на поверхности первойпроводящей области, или четвертаяпроводящая область расположена наповерхности подложки, а область диэлектрика расположена на поверхностчетвертой проводящей области. 2 ил . на диэлектрическои подложкеположена10.Второй вариант конструктивноговыполнения запоминающего элемента(фиг,2) характеризуется иным взаимным расположением первой и четвертойпроводящих областей 1 и 3.В одном из вариантов реализациипервая и четвертая области 1, 3 выполнены из поликристаллического крения, легированного фосфором толщино0,5 мкм. Диэлектрик 2 выполнен изнитрида кремния (также может бытьвыполнен иэ 810 ) толщиной 0,1 мкм,а слои диэлектрика 4, 9 - из фосфоно-силикатного стекла толщиной 0,8 мкмЗапоминающий элемент работаетследующим образом (фиг.2, 3),В исходном состоянии первая 1 ичетвертая 3 области проводника изолированы одна от другой диэлектриком 2,Для записи информации в ЗЭ к областямприкладывают разность потенциапропуская через область 1 элек 149040трический ток, Разогрев первой области 1 приводит к термической деформации его поверхности и к разрушеню диэлектрика 2, В результате между первой 1 и четвертой 3 областями возникает надежный электрический контакт, что и является признаком записи/ информации в элемент памяти,Элемент памяти обладает поньгшенной надежностьо и вероятностью прогрдммированил, что подтверждаетсяследующими г 1 дкторд.и, ЕострукцилБ 11 С с двумл иэопгровднными друг отдруга слоями полигрег ния напгла широкое применение в производстве БИС,Такиы образом элемент памятиудачно вгпгсывдетсл в стандартныйтехнологический 1 рог.сс изготовленилБИС и не требует дог.с.пгитель 11 х опс. -раций,5 20 В элементе ггд.5 и грогр 1 г.ирог 1-.шге осугцествляется рд,1 ругченем д- электрика между двумя областями про водника 11 поэтому не требует вылопения критичноц операции формирования окна над переыьико 1 устрдняетслнегативное влияние недовскрг тогс 1 сло 51 загиты и 1 ежсхоиой изол 5 ипги 30 НДД ПЕРЕМ 1 ЧКОй И ггО 1:ГГДЕтС 5 иЕРО- ятность программирования, лонер;гк 1 ств элемента памяти закрыта слоем здшиг что препятствует нроннкпс вению загрязнений, д в результате повыпгдетсл35 его надежность. В процессе программирования область 1 разогреваетсл до температуры плавления;дтериала области ( дляополикремиия т. пл, 1670 С 7. В результате разругаегся диэлектрик и происходит спекание первой 1 и четвертой 3 областей, что приводит к образовдшпо между ними надежного электрическо о контакта,Формула изобретенияЭлемент памяти, содержащий диэлектрическую подложку, первую проводящую област рдспотоженную на поверхности диэлектрической подложки, слойдиэлектрика с отверстиями, вторую итретью пр 1 водгггио области, расположенные нд поверхностях первой прово 115 пое 1 области и слое диэлектрика,о сличаюпийс 5:тем,что,с целью подьгения надежности элемента памяти, ; содержит область диэлектрика и четвертуо проводящуюобласть, причем или четвертая проводящая область расположена нд поверхности области диэлектрика, а областьдиэлектрика - нд поверхностях первойпроводящей области и диэлектрическойподложки, или четвертая проводяда 1область распо 11 ожсгд на поверхностидиэлектрич: ской гго,ложки д областьдг 1 лектрик;1 - ьд поверхности че гвертой проводящей области, а перная проводящая область рдсполомсенд на поверхности обдаст диэлектрика,1494040 Составитель Б.ВенковТехред Л,Сердюкова Корректор И,Горная Редактор М,КелемешЗаказ 4115/47 Тираж 558 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101