Патенты с меткой «осинова-худякова»

Номер патента: 1472948

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Осинов, Худяков

МПК: G11C 11/40

Метки: осинова-худякова, памяти, элемент

...элементе памяти для заряда и разряда используется механизм туннелирования Фаулера-Нордхейма, которыйявляется двусторонним процессом и мржет быть испол ьз о в ан как для з аряда,так и разряда затвора 4 хранения, Заряд плавающего затвора 4 происходитпри подаче на з атвор 8 з аписи высо"кого положительного напряжения и нулевом стоковом напряжении, При этомэлектроны, обусловливающие зарядвходной информации, проникают из области 5 в затвор 4 через окисел толщиной 10-20 нм, что приводит к изменению порогового напряжения транзистора. Заряд записывается на плаваю"щий затвор 4 до того момента, поканапряженность поля в туннельном диэлектрике превышает некоторое пороговое значение Е 10 В/см, Как только напряженность поля подает меньшеЕ ,...