Элемент памяти

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛ ИСТИЧЕСНРЕСПУБЛИК 19 1) 4 а 11 С 11 ультрафиолетобыть применено в ячейку волу- щего устройства иженного напрязобретения являбляемой мощноь достигаетсяобластей инжек- размещенных затвором и ием и може информаци о запомина плавающи вым стир для запи пос тоянн использованием пон авочникеа 1 о, 1978,з ет введения д щих электродо областями.пл го затворов с осх л 6 ую в ющего и управстичным перекры области инжекараллельны обора, 2 ил,. междля ч м их краев, причем ующих" электродов п ти плавающего затв тсястро грам и тва зом ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР Н АВТОРСКОМУ СОИ(56) Прибор 2708. - Спр1 п 1 е 1 Сошропеп Вайа Сараздел 4.38,Техническое описаниеК 573 Ф 5 И 13.414.021 ТО,с, 12-14.(54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение отн мируемым запоминающи Изобретение относится к программируемым запоминающим устройствам с плавающим затвором и ультрафиолетовым стиранием и может быть применено для записи информации в ячейку полупостоянного запоминающегб устройства с использованием пониженного напряжения записи.Цельо изобретения является уменьшение потребляемой мощностиНа фи 1.1 представлен элемент памяти; на фиг.2 - то же, вид сверху.Элемент памяти содержит управляющий 1 и плавающий 2 затворы, полупроводниковую подложку 3, истоковую область 4, стоковую область 5 циэлектрический слой 6, области инжектирующих электродов 7 (источйик постоянного магнитного поля не показан)Элемент памяти в режиме программирования работает следующим обра,1472946 А 1 ения записи. Целью и тся уменьшение лотре ти, Поставленная цел На инжектирующие электроды 7 по-. дается постоянное напряжение (5-В), вызывающее ток утечки между ними. Над ячейкой устанавливается источник постоянного магнитного поля так, чтобы вектор магнитной индукции В был параллеллен плоскости плавающего затвора. Так как ток утечки представляет собой направленное движение электронов со средней скоростью 7, на них действует сила Лоренца которая смещает электроны рс плавающему затвору. Плавающийзатвор.захватывает электроны до тех пор, пока образовавшееся электростатическое поле не достигнет значения, уравновешива 1 ощего действие силы .Лоренца,Исходное пороговое напряжение запоминающего транзистора 1,8-2,0 В (при отсутствии заряда на плавающемфОГ Я Составитель Л.АмусьеваЛ.Веселовская Техред А.Кравчук Корректор Л,Зайце Редакт 717/50 Тираж 558 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Зака ГКНТ СССР НИИПИ роизводствен издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Г а, 101 3 14729затворе 1 ). Это условно соответствует"1", и записывать эту информацию нетребуется. При наличии заряда на плавающем затворе 1 пороговое напряже 5ние достигает 9 В, что условно соответствует "0",Прилагаемое напряжение чтения 5 Вдостаточно для открытия транзистора,имеющего Ьр1,8-2,0 В и недостаточно для открытия транзистора, имеющего И,р 9 В.Запись "О" происходит следующимобразом. 15Исходное облако электронов созда" ется подачей напряжения на инжектирующие электроды 7, Напряжение на электродах невелико - 5 В. Принципиально это напряжение может быть 20 сколь угодномало, лишь бы создавался ток утечки над плавающим затвором 2. Можно заземлить подложку 3 и подать небольшое (0,05 В) напряжение на управляющий затвор 1. 25 46 4Основную же роль "толкателя", продавливающего электроны к плаваю- . щему затвору, играет магнитное поле. Формула изобретенияЭлемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку, в прнповерхностном слое которой размещены стоковая и истоковая области, на поверхности полупроводниковой подложки расположен диэлектрический слой, в котором размещены взаимно перпендикулярные области управляющего и пла" вающего затворов с частичным перекрытием стоковых и истоковых областей, о т л и ч а ю щ и й с я тем," что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в элемент памяти введены две области инжектирующих электро. дов, размещенных между областями плавающего и управляющего затворов с частичным перекрытием их краев, причем области инжектирующих электродов параллельны области плавающего затвора.