Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов виннокислого калия
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК за С 30 В 7/00, 29/54 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ вк" лйф 1; сЫ фиг ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) (57) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ БЛО.КОВ КОСОГО СРЕЗА ИЗ КРИСТАЛЛОВ ЯО 1089178 А ВИННОКИСЛОГО КАЛИЯ с заранее заданным направлением кристаллографических осей с применением кристаллической затравки, отличающийся тем, что, с целью облегчения получения кристаллов и улучшения их качества, кристаллографическую затравку помешают в форму, стороны которой ориентированы под нужным углом к граням кристалла,1089178 Составитель В. Безбородова Техред И. Верес Корректор Г. Решетник Тираж 352 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор Е. КривинаЗаказ 2879/26 Изобретение относится к выращиванию кристаллов виннокислого калия, используемых в качестве пьезоэлектрических резонаторов.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является известный способ выращивания кристаллов с заранее заданным направлением кристаллографических осей посредством затравки, расположенной требуемым образом 1.Пьезоэлектрические резонаторы из крис О таллов виннокислого калия, как правило, ориентированы относительно граней кристалла под различными углами, что необходимо для достижения малого температурного коэффициента частоты. Обычно для того, чтобы вырезать нужного среза кристаллические пластины для резонаторов предварительно вырезают соответственно ориентированный прямоугольный блок, который затем распиливается на пластины. При этом способе получается много отходов кристалла, поэто О му выгодно выращивать кристаллические блоки, ориентированные под нужными углами к граням кристалла.Цель изобретения - облегчение получения кристаллов и улучшения их качества.Указанная цель достигается способом выращивания косого среза из кристаллов виннокислого калия с заранее заданным направлением кристаллографических осей и применением кристаллической затравки. Отличие изобретения состоит в том, что кристаллографическую затравку помещают вформу, стороны которой ориентированы поднужным углом к граням кристалла.На фиг. 1 показана схема ориентирования затравки среза 2 в 45, на фиг, 2 -схема расположения затравки в форме длявыращивания.Способ осуществляют следующим образом.Пример. На чертежах обозначены затравка 1 и форма 2 для выращивания. Изкристалла виннокислого калия (фиг. 1)вырезают ориентированную пластину. Затем ее укладывают в форму (фигю 2) и проводят выращивание кристалла,Подобным способом удается выращивать совершенно чистые, лишенные внутренних пороков кристаллические блоки нужнойориентировки, например, блоки для пластин среза Х - 45 и среза 2 - 37,5.В то время, как выращивание однородных кристаллов виннокислого калия полнойформы является крайне трудной задачей,выращивание блоков данного кристалла происходит значительно легче и не сопровождается появлением трещин и помутнений обычных при выращивании целых кристаллов.Таким образом достигается облегчениеполучения кристаллов и улучшение их качества.
СмотретьЗаявка
0421970, 14.11.1949
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4149
ШТЕРНБЕРГ АЛЕКСЕЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПОЗДНЯКОВ ПЕТР ГРИГОРЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 7/00
Метки: блоков, виннокислого, выращивания, калия, косого, кристаллов, среза
Опубликовано: 30.04.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1089178-sposob-vyrashhivaniya-blokov-kosogo-sreza-iz-kristallov-vinnokislogo-kaliya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов виннокислого калия</a>
Способ выращивания кристаллов дигидрофосфата калия
Номер патента: 425420
Опубликовано: 30.08.1982
МПК: C30B 7/00
Метки: выращивания, дигидрофосфата, калия, кристаллов
...пере сыщения.Это достигается тем, что в процессе выращивания в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отво дят в количестве, равном количеству растворителя, добавленному с раствором.П р и м е р. Путем синтеза, например, по реакции КОН+НзР 04 = КНР 04+ Н,О из ранее приготовленной соли готовят пасы щенный раствор данной концентрации. Раствор перегревают выше температуры его насыщения на 1 - 2 С и заливают в кристаллизационную камеру с заранее укрепленными и нагретыми в нем затравками, 30 Одновременно с этим к кристаллизационной камере подсоединяют устройство для подпитки раствора и отвода конденсата. Вещество, с помощью которого производят подпитку, вводят в кристаллизационную...
Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия
Номер патента: 1579088
Опубликовано: 27.03.2000
Авторы: Богомолов, Дульцев, Исаенко, Позднякова, Пыльнева
МПК: C30B 29/22, C30B 7/08
Метки: выращивания, затравочных, калия, кристаллов, пентабората
Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.
Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов
Номер патента: 1730223
Опубликовано: 30.04.1992
Авторы: Васев, Зайцева, Пополитов, Спицына
МПК: C30B 29/14, C30B 33/04
Метки: аналогов, дейтерированных, дигидрофосфата, калия, кристаллов, оптических, элементов
...К на длинах волн светового излучения 200 и 700 нм, 10 - полоса поглощения при 220 нм; на фиг, 4 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла КДР, содержащего полосу поглощения при 280 нм и слабую полосу при 220 нм, от дозы гамма-излучения, где 11 - интенсивность ПП при 280 нм; на фиг, 5 - зависимости изменения величин КЛ-среза пирамиды кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения; на фиг, 6 - зависимости изменения величин К части призмы кристалла ДКДР, содержащего ПП при 220 и 280 нм, от дозы гамма-излучения,Наиболее распространенные изделия из кристаллов КДР и ДКДР - удвоители и утроители частоты лазерного излучения. В этих изделиях наиболее полно используются ИК- и УФ-области спектра. Поэтому...
Способ получения кристаллов хлористого калия
Номер патента: 2004494
Опубликовано: 15.12.1993
Автор: Лайса
Метки: калия, кристаллов, хлористого
...соли дисульфокислоты,Количество дисульфонатного поверхностно-активного вещества в качестве модификатора роста кристаллов является любым которое способствует росту более крупных кристаллов, Предпочтительно зто количество составляет по меньшей мере 25 частей на миллион от активного веса на общий обьем и по меньшей мере 50 миллионных долей. Верхний предел количества дисульфонатного поверхностно-активного вещества, полезного для целей изобретения, может быть зкономическим или функциональным, функциональным верхним пределом является количество, при котором растворимость становится проблемой. Предпочтительно верхний предел составляет не более 4000 миллионных долей, более предпочтительно не более 1000 миллионных долей и наиболее...
Способ определения неоднородности нагрева кристаллов дигидрофосфата калия (кдр)
Номер патента: 968632
Опубликовано: 23.10.1982
Авторы: Волкова, Танаева, Фаерман
МПК: G01J 5/50
Метки: дигидрофосфата, калия, кдр, кристаллов, нагрева, неоднородности
...лазер 1, матовую пластинку 2, кристалл КДР 3, поляриза. тор 4 и экран 5, Осуществление способа возможно в результате обнаружЕнного свойства кристаллов КДР - изменения аномальной двуосиости кристалла в зависимости от градиента температуры.Луч лазера 1, проходя через матовую пластинку 2, расширяется и попадает на кристалл КДР 3, который в силу своих оптимальных свойств Формирует на экране 5 при Положении968632 формула изобретения оставитель В.Петуховехред Т.Маточка Корректор С. Шекм Редактор Г.ус 7./6 8 Тираж 887 ВНИИПИ Государственного коми по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, Раушскаказ 814 Подписноета СССРытийнаб., д, 4/5 П Патент, г. Ужгород,Филиа ктная,пропускания света поляризатором 4 коноскопическую картину,...