Способ травления кристаллов танталата лития

Номер патента: 1082777

Авторы: Андреев, Титов, Шварцман

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН 09) ( 5 И С 30 В 33 00 С 29 30 РЕТЕНИ ИСАНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 65 - 6 ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54) (57) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ,ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, включающий обработку .смесью концентрированной плавиковой кисло.ты и раствора органической кислоты в концент- рированной азотной .кислоте при нагревании, отличающийся тем,что,с целью получения контрастных фигур травления при контроле степени монодоменности кристаллов, в качестве органической кислоты используют щавелевую кислоту и обработку ведут при 85 - 95 С в течение 13 - 17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%:Плавиковая кислота 31-35Насыщенный прикомнатной температурераствор щавелевойкислоты в азотнойкислоте 91082777 Изобретение относится к исследованиюкристаллов, в частности к исследованию доменной структуры кристаллов танталата лития (ТЛ) путем химического травления, . иможет быть использовано при изучении реальной структуры кристаллов ТЛ.Известен способ получения фигур травленияна монокристаллах ТЛ с помощью химического травления в смеси концентрированных азотной и плавиковой кислот, взятых в обьем Оном соотношении НМОз . НЕ = 2:1 при110 С и выдержке 15 мин 111. Вследствие неблагоприятного соотношениянормальной и тангенциальной скоростей травления и загрязнения поверхности продуктами,реакции известный способ необеспечиваетполучения четких фигур травления, Размытые пла 4хо ограненные ямки травления указывают нанизкую контрастность указанного способатравления, Проводить исследования доменнойструктуры ТЛ с размерами доменов в несколько микрон таким способом невозможно.Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ травленияподложек танталата лития в смеси концентрироваиной плавиковой кислоты и раствора уксусной кислоты в концентрированной азотнойкислоте 121.Недостатком данного способа является то,что с его помощью нельзя получить контраст:ных фигур травления на поверхности кристал.лов танталата лития.Цель изобретения - получение контраст.ных фигур травления при контроле степенимонодоменности кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что вкачестве органической кислоты используютщавелевую кислоту и обработку ведут при85 - 95 С в течение 13-17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%:Блавиковая кислота 31-35Насыщенный прикомнатной температуре растворщавелевой кислотыв азотной кислоте 65 - 69Введение щавелевой кислоты благоприятно изменяет кинетику травления, вследствиечего возрастает степень контрастности фигуртравлеиия. При микроскопическом наблюдении оЭистн разноименных доменов резко отлваиотвя, видны междоменные границы и отдельные хорошо ограниченные ямки. 2Допустимый интервал составов травителя объясняется погрешностью измерений при составлении травителя. Отклонение от заданного состава ведет к изменению температурно-временного режима травления. Уменьшение температуры или времени травления не позволяет получить ямки травления и четко выявить доменную структуру, а увеличение ведет к потере контрастности или искажению картины травления. П р и м е р, Монодоменный и полидоменный образцы размером 10 х 10 х 5 мм, изготовленные из монокристалла ТЛ, одновременно подвергают химическому травлению смесью, составленной из одного объема (30 ем) концентрированной плавиковой ,кислоты и двух объемов (60 смэ) насьпценного раствора щавелевой кислоты в концентрированной азотной кислоте. Для получения последнего предварительно растворяют 15 - 20 г кристаллической щавелевой кислоты в 100 см концентрированной азотной кислоты при комнатной температуре. Травление проводят при 85 - 90 С в течение 15 мин, затем образцы промывают в горячей воде и сушат.При микроскопическом исследовании травленых поверхностей наблюдают следующее,Полидоменный образец. На обеих плос. костях (0001) четко обозначены антипараллельные домены и разделяющие их междо. менные границы, междоменные границы также хорошо прослеживаются на плоскостях (1210) .Монодоменный образец. На одной иэ плос. костей (0001) видны хорошо ограненные вы. сококонтрастные ямки трехгранной формы, соответствующие тригональной сингонии крис. таллов ТЛ на параллельной плоскости ямки травления отсутствуют.Современная лазерная техника предъявляет высокие требования к кристаллам по качеству и оптической однородности, Поскольку практическое применение находят только монодоменные кристаллы, необходим метод контроля степени монодоменного состояния их. Предлагаемый способ дает возможность быстро, наглядно и точно устанавливать,степень монодоменности кристаллов и таким образом, производить отбор годных кристаллов и вносить поправки в технологию их выращивания.

Смотреть

Заявка

3403044, 19.02.1982

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6681

АНДРЕЕВ ЕВГЕНИЙ МИХАЙЛОВИЧ, ШВАРЦМАН СОФИЯ АБРАМОВНА, ТИТОВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

Опубликовано: 30.03.1984

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1082777-sposob-travleniya-kristallov-tantalata-litiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления кристаллов танталата лития</a>

Похожие патенты