H01L 21/88 — H01L 21/88

Электродный вывод кремниевого полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 151399

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/88

Метки: вывод, кремниевого, полупроводникового, прибора, электродный

...соединен с торцом отрезка проволоки из серебра путем сплавления в вакууме,В кассету 1 из графита (см. чертеж) закладывается серебряный столбик 2, а на него алюминиевый столбик 3. На столбик д накладывается кристалл 4 кремния с прокладкой 5 из золота.Точный режим сплавления следующий. Кассета 1 загружается в кварцевую трубу, При вакууме около 10 4 л 1,и рт. ст, на трубу надви гается трубчатая печь, нагретая до 900 Когда температура кассеты будет 600 - 610, печь сдвигается, После охлаждения кассета 1 вынимается из трубы и разгружается, В данном случае контактное сплавление ве,1 ется в вакууме, поэтому спай алюминий - серебро не подвержен коррозии, Основное внимание уделяется получению хорошего сплавления алюминия с кремнием,т...

Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам

Загрузка...

Номер патента: 208134

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: B21D 39/00, C25D 5/00, C25D 7/12 ...

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...присоединения вывода, безприменения нагрева,г) возможность присоединения вывода кр-тг-переходам сравнительно малой площ5 д) возможность нагрева места соединдо сравнительно высоких температур без ухудшения прочностных характеристик, благодарятому, что проводят гальванические осажденияслоя металла из электролита, содержащего10 соль этого металла, одновременно на металлизированную поверхность электрода полупроводникового прибора и на вывод, приведенный в электрический контакт (соприкосновение) с ним путем подачи на вывод отрицатель 15 ного потенциала относительно электролита.Способ, осуществляемый согласно данномуизобретению, состоит в следующем:На пленке 510 в над р-п-переходом, получают отверстие (площадью примерно 500 лкз),20 через...

Способ беспроволочной сборки полупроводниковых приборовim: -sqecciv-би5л1. -.

Загрузка...

Номер патента: 303677

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Волос, Глазков, Кузьмичев, Онегин

МПК: H01L 21/88

Метки: sqecciv-би5л1, беспроволочной, полупроводниковых, приборовim, сборки

...выступы сферической формы, чего нельзя достигнуть штамповкой, Сфериче ская форма контактных выступов являетсянаиболее благоприятной для присоединения и позволяет производить одновременную сварку всех выводов с кристаллом при меньшей нагрузке сварочного инструмента и использовать 25 кристаллы малой площади и толщины прибольшем числе контактных площадок на кристалле. Меньшее давление на кристалл уменьшает возможность создания внутренних напряжений в хрупком кристалле и образования ЗО микротрещин, сколов. Искло 5 ается отгибка:ОИТЯКТ/1 ЬХ Ц/НОДО/3 ДЛ 51 Об/)с 303 ЫНИ 51 Зс 130 Рс 1 3/СИДУ ЦЫ 30 ДЯ Мп 1 ГРЫИЯ)п КРИСТЗГЛсИЛГ 3 ып(итя крстялл ы СГсг(иа,ьиь/,. Илсикз,"1 ) (/Г с Г,(2 Р 5 1 0 М Ч,ТО Б ) ИОД И Р И 13 Я Р И 3 3 С ТС 51 и С ЦССЙ...

Невыпрямляющий контактвсесоюзнаяштлимпви

Загрузка...

Номер патента: 332525

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Изо

МПК: H01L 21/88

Метки: контактвсесоюзнаяштлимпви, невыпрямляющий

...выше уров-ня сплава в рабочем зазоре при любом расположении прибора в пространстве,На чертеже схематически изображено про 15 дольное сечение контактного соединения в силовом кремниевом вентиле.Медовое основание 1, вентпльный элемент 2и фигурная медная шайба 3 образуют объем,заполняемый жидким металлом илп сплавом.20 Основание и шайбу собирают вместе пайкойили другим известным способом, обеспечивающим достаточную герметичность шва.Электрический и тепловой контакт вентпльного элемента с медным основанием осуществ 25 ляется преимущественно по поверхности выступа 4 медного основания. Вентильный элемент при этом поддерживается шайбой 3 назаданном расстоянии ют выступа, обеспечивающем минимальное электрическое и тепло 30 вое сопротивление...

Автомат монтажа микросхем

Загрузка...

Номер патента: 499614

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Кулешов, Мистейко

МПК: H01L 21/88

Метки: автомат, микросхем, монтажа

...7, держатель 8 которого вращаетсяна оси поворотной опоры 9. Прижим 10 н основание 5 обеспечивают заданное натяжениепроволоки при монтаже. Пламенем пли ди 25 электрическим разрядом на конце проволоки,выступающим из-под инструмента, образуетсяшарик (на чертеже не показан).Автоматический монтаж микросхем проволочными проводниками осуществляется в слеЗО дующей последовательности.Механизм автоматической подачи приборов 11 перемещает обрабатываемое изделие в зону совмещения оптического устройства 12. При помощи фотоэлектрических датчиков производят управление перемещениями координатного стола 13 и совмещение обрабатываемого изделия с шаблоном оптического устройства 12, т. е. обрабатываемое изделие устанавливается в строго определенное...

Установка для присоединения проволочных выводов методом термокомпрессии

Загрузка...

Номер патента: 604056

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Бухман, Сиваков, Шуньков

МПК: H01L 21/88

Метки: выводов, методом, присоединения, проволочных, термокомпрессии

...первои и второй сварок. В исходном положении сварочной головки 3 упором 28 регулируют момент отрыва прово 45 о 55 ьо локи за счет установки высоты расположения губок 20, 21 (фиг. 2, 3) относительно прибора, а упором 13 устанавливают положение губок относительно продольной оси инструмента так, чтобы линия их разъема совпала с продольной осью инструмента. Упором 16 регулируют положение губок относительно инструмента 2 (фиг. 1) так, чтобы инструмент 2 и сварочная головка 3 могли свободно перемещаться в вертикальном направлении, упором 19 регулируют угол поворота коленчатого рычага 14 вместе с губками 20, 21. После этого предметный столик 1 с прибором подводится с помощью микроманипулятора 10 под инструмент 2. После совмещения с помощью...

Способ изготовления контактной рамки с выводами

Загрузка...

Номер патента: 743080

Опубликовано: 25.06.1980

Авторы: Афанасьев, Твердов, Якубович, Янович

МПК: H01L 21/88

Метки: выводами, контактной, рамки

...выводами заключается в следующем, В одно. слойной металлической ленте 1(см. фиг. 1) одновременно с основным рисунком выводов контактной рамки 2 в местах оснований выводов формируют канавку 3 по замкнутому контуру, глубиной не менее глубины основного рисунка выводов контактной рамки, после чего ее заполняют диэлектриком 4 (см, фиг. 2), производят его сушку и травят металлиЧескую ленту в растворе травителя в зоне размещения выводов до исчезновения материала ленты между выводами (см. фиг. 3), Затем контактную рамку с выводами передают на операцию сбор. ки полупроводниковых приборов с последующим контролем (см. фиг, 4).П р и м е р . Для изготовления контактных рамок с изолированными выводами используют3 743080алюминиевую и медную ленты...