Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых. (материалов

Номер патента: 339883

Авторы: Институт, Левитас, Огильницкий, Пожела, Сащук

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 339883И ЗО БР ЕТЕ Й И ЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства247406 М.Кл. С) 01 г 31/26 Заявлено 18.11.1971 ( 1623444/26-25) с прнсосдннснпсх 1 31 явки Л" -Комитет по лелем изобретений и открытий при Совете Министров СССРПриоритет -Опубликовано 24 Л.1972. Бюллетень17 Дата опубликования описания 18.И 11.1972 УДК 620.1(088.8) И. С. Левитас, Л. М. Могильницкий, Ю. К. Пожела и А, П, Сащук Авторыизобретения ОСЗНАЯ 1 нститут физики полупроводников АН Литовской дявител 1 УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВвышсние чувствиполупроводнуковьх Псрционностью и)о торичнуоансформатора 1Известно устройство для измеропня элскт 1 эопровэдностн полупроводниковых зЗт риалов по авт. св. ЬЪ 24740 б, состоящее из системы двух трансформаторов н полупроводникового образца, который является вторичной обмоткой первого трансформатора и первичной обмоткой второго трансформатора питающего генератора и нуль-,и 1 дикатора.Недостаткаои известного устройства являются: ограничегпые возможности измерений электропроводности, зависящей от инерционных явлений в полупроводн)ковых ооразцах и недостаточная точность при изхереннях полупроводниковых образцов с большнсч сопротивлением.Цель изобретения - потельности при измеренииматериалов с больцтойбольшим сопротивлением.Цель достигается тсч, чтообмотку компенсирующего трвключается конденсатор.На чертеже гредставле 1 а схема устройства.Устройство состоит из генератора радиоимпульсов 1, питающего трансформатора 2, полупроводникового образца 3, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7. Вторнидя 00)10 тка кох 1 пенспру 10 гцего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу)от ,ол сб) з 1 тс,нный конту 1 э.Трансформатор 4 имеет компенсационную обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.Образец 3 является вторнчнон:Омоткой питающего трансформатора н первичной обмоткой компенсирующего трансформатора. Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 3 ток, вызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4 э, д. с. Эта э. д. с. компенс:1- руется напряженнем, возннка)оцим зд счст тока, проходящего черсз оомотку ), включенную стречно по отношению к оомоткс 8. Потснцно.чстр 10 устанавливается то нуль-индикатору так, чтобы ток во вторичной обмотке траВсформатора 4 отсутствовал. Величина сопротивления потенциометра 10 соотвстсгвуст сопротнв - ленио пол)проводи 1 оного ооразца .).Колсбательный контур ндстрое: и резонанс с частотой заполнения радио;мпульса, что позволяет получить большое электрическое,поле, которое зависит от частоты заполнения, и измерять электропроводность полупроводниковых образцов с большим сонротнв. лсннсх 1;1 больПой 1 ПС 1)цноппост 1.1 О.Тираж 448тсппш и открытий прп Совете( 35, Раушская паб., д, 45 3;Гооскаи ппоГ 5 кфн 311:Сдс 1;с косСбе ельОго контура обссиеыв ст увс.4 еП 1 пресчитаиного сопротивле,и иа 1 шч 1 ой няоки комис,Сируюцсгор 11 и;1)см; го;: 1, что уменьшает коз 1 фиеит ЛС. С 1 151,ДС.ТЕЛ 51, С:1 Т 05 ИЦЕГО ИЗ СОПООТИВЛЕ. и и 5 О б р 11.1 и а и и ср с с 1 таии ОГО с Оп р О Р 51 вл Он и Я перь,иной о,:,Отк компенсирующего трансАорматор 11, а такхке уве,чеи 5 е точности,избОрс51 эсктропрэводности полупрОВОдиикох образцов больш;и Опрот 1 Исиием,Прсдм ет и з обр етсиия Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых материалов по авт. сн, М 247406, отлтп 1 оцееся тем, что, с целью б повышения чувствительности прн измерении полупроводиновых материалов с большой инерционностью и большим сопротивлением, во вторичную обмотку компенсирующего транс. форматора включен конденсатор,1 О

Смотреть

Заявка

1623444

И. С. Левитас, Л. М. огильницкий, Ю. К. Пожела, А. П. Сащук, Институт физики полупроводников Литовской ССР

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-339883-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-ehlektroprovodnosti-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых. (материалов</a>

Похожие патенты