Огильницкий

Номер патента: 339883

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Институт, Левитас, Огильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатора 2, полупроводникового образца 3, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7. Вторнидя 00)10 тка кох 1 пенспру 10 гцего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу)от ,ол сб) з 1 тс,нный конту 1 э.Трансформатор 4 имеет компенсационную обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.Образец 3 является вторнчнон:Омоткой питающего трансформатора н первичной обмоткой компенсирующего трансформатора. Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 3 ток, вызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4...