Патенты с меткой «615лgt»

Способ прецизионного базирования полупроводниковых пластинвсесоюзная11дтши9-тш2пь: 615лgt; amp; ютена

Загрузка...

Номер патента: 307544

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Зайченко, Кутко, Моргулис, Сандеров

МПК: H05K 3/24

Метки: 615лgt, базирования, пластинвсесоюзная11дтши9-тш2пь, полупроводниковых, прецизионного, ютена

...из кремния и гокрыта пленкой 2 окисла ЯО. Методом фотолитографии на пленку окисла в трех местах наносятся канавки 3 глубиной 0,4 т 1 к,я, шириной 5 - 10 лкя, пленка окисла покрывается слоем фоторезиста 4. Игла б при перемещении пластин западает в канавку 3. Контрольный инструмент также может иметь иглы,Окружностями Х и т обозначены фиксированные положения игл с базами А и В.После предварительной установки пластины 1 по трем штифтовым упорам б с точностью порядка О - 15 якл (фиг, 2) пластина перемешается по часовой стрелке до попадания иглы в канавку 3 (фиг. 3), затем происходит поворот пластины против часовой стрелки вокруг оси иглы ) до попадания иглы Х во вторую канавку.Процесс оазирования заканчивается (фиг. 5) в момент захваса...