Способ беспроволочной сборки полупроводниковых приборовim: -sqecciv-би5л1. -.

СПИСАНИЕ 303677 Саюз Ссеетскик Сациал 55 ст 5 ческих Ресублик)ав 55 с 5 яос От а 55 т. св 55 дстсльства Лс Заиле 50 01.1 Х.1969 ТЛЪ 1358842,26-25) С 55 Р 55 СОСД 55 ПО 55 Ст За 5 К Ь" -йвмитет по делам изобретений и аткрыти 5 лри Сввете Министров СССР,дата Опубликован 5 я Описа 55 ия 2:,51,197:,Авторыизобретения И. М. Глазков, Г. П, Кузьмичев, Е. Е. Онегин и В. Ф, Волос За 55 в 55 тель 5ф3СПОСОБ БЕСПРОВОЛОЧНОЙ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ О Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов, а именно к сборочному процессу, и может найти применение при массовом выпуске транзисторов, диодных матриц, монолитных и гибридных интегральных схем.Известен способ оеспроволочной сборки полупроводниковых приборов, при котором на алюминиевой ленте выштамповывается рисунок контактных выводов, к выводам присоединяется кристалл, затем приклеивается керамический диск для укрепления выводов. Рамка с полученным сэндвичем приваривается к рамке с наружными выводами, после чего прибор герметизируется.Недостатком известного способа является трудность изготовления штампа для рамок с расстоянием между осями выводов менее 0,3 мм. Поверхности выводов после штамповки имеют заусенцы, что снижает качество последующей сварки, а сами выводы могут быть деформированы.Предложенный способ упрощает технологический процесс, позволяет увеличить выход годных приборов за счет повышения жесткости контактных рамок и создания благоприятной для присоединения формы контактных выступов, а следовательно, повышает точность и надежность сборки.Согласно способу, в металлической ленте(или плате) формуют методом чеканки контактныс выводы переменного сечения. При этом на концах выводов получают контактныс выступы сферической формы, расположенис 5 которых соответствует расположению контактных площадок на кристалле и наружных выводов, К этому рисунку приклеивают укрепляющее кольцо (шайбу) из пластмассы или керамики и травят ленту в растворе травителя 10 до исчезновения утонений между выводами.К полученным выводам, выступающим в виде балок над шайбой, присоединяют контактные площадки кристалла, к наружным выводам - рамку с кристаллом и герметизируют прибор.15 Формование контактных выводов методомчеканки на метллической ленте обеспечивает большую точность размеров и позволяет получить контактные выступы сферической формы, чего нельзя достигнуть штамповкой, Сфериче ская форма контактных выступов являетсянаиболее благоприятной для присоединения и позволяет производить одновременную сварку всех выводов с кристаллом при меньшей нагрузке сварочного инструмента и использовать 25 кристаллы малой площади и толщины прибольшем числе контактных площадок на кристалле. Меньшее давление на кристалл уменьшает возможность создания внутренних напряжений в хрупком кристалле и образования ЗО микротрещин, сколов. Искло 5 ается отгибка:ОИТЯКТ/1 ЬХ Ц/НОДО/3 ДЛ 51 Об/)с 303 ЫНИ 51 Зс 130 Рс 1 3/СИДУ ЦЫ 30 ДЯ Мп 1 ГРЫИЯ)п КРИСТЗГЛсИЛГ 3 ып(итя крстялл ы СГсг(иа,ьиь/,. Илсикз,"1 ) (/Г с Г,(2 Р 5 1 0 М Ч,ТО Б ) ИОД И Р И 13 Я Р И 3 3 С ТС 51 и С ЦССЙ ПЛОСКОСТЬЮ, с КОИТЯКТЫМИ ЬЫСУпаИ Пс 1 Ис:3 СфСРИССКОЙ ОР)Ь. ПРИКЛСИВЯИИС Дп)ЛСКТРИ/ССКОЙ ИЯЙОЬ К ИСИР 01 Рс 113 ЛСИНОЫ) РИ- (.ку гзрзптируст сохранение тоицости рдсио ЖСНИ 5 КОПТЯс/ИЫХ ВЫ 130 ДОВ ПР 1 ПОСЛСД0- их Опсра 51 х .ч(хзппзироцзнеОЙ сборки, ио- :3/ОЛЯЕТ УЦСЛИИТЬ ДЛИН (ОИТЯКЬ/Х ВЫБОДОЦ СЗ ЦОТСРИ ИХ ЖССТКОСТИ И, СЛСДОВЗТСЛ 1 И, РЗСИР 51 СТ ТСПОЛ 01 ИИССКИС ЦОЗ)10 Я(ПОСИ ПРСДЛЯГысмого сЮсоа сборки.Тяки) Оорязох, и:1 ии Способ ис тОл 1 ко УПРОЩаЕт ТЕХИОЛО ПсССКИЙ ПРО/ЕСС И ПОЗЦОЛЯСт тКЗЗатЬСЯ От РЯДЫ ОПСРЫПй ТсКИХ КаК ЗацИкристаллы и(сика) и д).), ио и Обссцс 1- /сст СООРКУ О,1 УПРО)ОДИИ 1(031 Х /РИООРОЦ и корпусах рызлиииых тцпов и рызчсров.НЗ фп.0(ЗЗЗПЯ )СТс 1 с 7)ССКс/5 СТс С 3)ДЯ 3 ГГСРНЫ) РИСЧИКО)1 КОИТс 1 КТИ/Х ЦЬЦО;)ОЦ; из фиг. 2 - лента с цытрацлсным утоисия- МИ И КРИСс.ЛО.)/.В ЪСТЯЛЛИСКОЙ ЛСИТС (ИЛИ ИлсТС) г .ЫДЫЦ/паОТ ИсПРСССС РСЛЬСфпЫИ РИСПОК 1 И сК- )/х Вы 130 дог) 2, соедииснных мсжду соОЙ чтОЦСИИ 5)1 И ИСРС.КЯМИ) с). Г 1 РИ 13 ЫДЗЦ;1 ИЦЫН фОРМ)ЮТ 5 ТЫ(ЖС ССРИИССКИС КОИТЗКТПЫС ЦЬ/- 3 ПЫ 4, РЯСИОЛОЖСИИС КОТОРЫХ СООТ 3 СТСГ 35)СТ ;)с "ИО,ОЖСИИЮ КОИТЗКТИ/Х ПЛОН(ЯДОК Ис/ КРИ- ;ллс и пар 3 жпьх /ьп)одо 3.,.яте риклси/ЕТС 51 КРСИЛ 51/01/ГСС (ОЛЬ/О - И/с 1 Й2 д ИЗ Ь с 1 СТ) 2 ССЬ , И КСРс ЧКИ, Лсптс ТР с 3 ТС 51 /3) ЫС Г 30 РС ТРЯБИ ГСЛЯ ДО ИССЗЦО/1)СИИ 5 1 ТОИСИ 1 И мс)кду цывода):и. Траление осущестцляст ИО 13 ССЙ ОБСРХПОСТИ ЛСПТЫ, ЛЫГО,(с 1 Р 51 С )с/с 130 РЯЮТСЯ ОКИСИЫС /ЛСПКИ 1 ЧЛсп(/2 СТС 5 5 СОСТОЯНИС ИОВСРХИОСИ КОИТЫ 1 ТНЫХ ЦЬСТУ 03перед операцией присосдипсиия. После этого ирСосдин 5 стс 5 Иол) ироцодиикоцыЙ кристалл 6 К 13;ЧТРСИНИ) КОНТЯКТНЫМ 13 ЬСТ 5)ПЯ) 7, Ы 3 ИСП- ИИС (ОПТЫ/СГПЫС 13 ЬСТПЫ 6 СОСДИИЯ 10 ТСЯ С Цс РУЖ/Ь)11 БЫБОДЯМИ. ЛЕРТЯ С Нс/РУЖН /И ЦЬ- ЦОДЯ )1 И КР ИСТЯЛЛЯ) И ГСР.3 СТ/ЗИРЧСТС 5 И.с/С- )ЯССОИ, И ГОТОВЫП ПРИООР ЦЫРОсГСТС 51 13 МсТ 271; ИССКО/ ЛЕНТЫ. 1(РИСТсЛГ С КОП 1 ЯКИ)3) 3 Ь ЦОДсМИ )07(СТ 1 ЯК;КС /Р 1ЕДИИ 51 ТЬ 51 К КОР 1 дСЗ) Др ОГО 1 ИЯ пар 3 Жи)п 3:)1 ВОДс)/и иС/) й (.Т 3 )0 Зс 1 ТЬ 5 )С З 111 /ССК 1 ) КОЛЫ Ко).И 3 0 Р (. Т С И5гр20 1. С.00 С/ роцЛОИой 0 р Кп303677 Со.аа: ли Н. Островскаякрл Т. П. Курилко Коррюор Т. А. Джднанкулов РдакторТ, 3. Орло Облае гпая ипограф л 1,оетрогпекого управ теиия по пеиати п щмакак 3879 1 ирака 173 Ц 1 Р 11 П 11 Когииге", по тлаги изобретеиай и открытий при Москва, Ж.35, Раушская паб., д, 4/5